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任课老师：吴海霞作业章次：第三章 完成日期：2010年4月9日姓名： 高 磊 学号： 20070682 班级： 01530701 老师点评：6.计算硅在-78、27、300时本征半导体费米能级、假定它在禁带中线处合理吗？10.以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时以杂质电离为主的饱和区掺杂的浓度范围11.若锗中施主杂质电离能=0.01eV，施主杂质浓度分别为=及。计算1、99%电离；2、90%电离；3、50%电离时温度各为多少？14.计算含有施主杂质浓度=及受主杂质浓度=的硅在300K时的电子和空穴浓度及费米能级位置20.制造晶体管一般在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼磷而成。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV， 300K时位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
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