1我的ds18b20总结.doc

我的ds18b20总结，一、 初始化，如图一：数据线拉低至少480us后再将其拉高，大约等待1560us，就会收到60240us的低电平的存在脉冲，其后数据线会恢复被拉高状态，在数据线被拉高到初始化结束经过的时间至少为480us，以下是我根据对初始化时序写的子程序，用的是51：#include #define uchar unsigned char #define uint unsigned intvoid delay1(uint z)/延时子程序 uint x,y; for(x=10;x0;x-)/*z=1时，延时子程序用时约为61.5US*/ for(y=z;y0;y-); void reset() uint i; DQ=1; i+; DQ=0; delay1(120);/软件仿真测试为495us DQ=1; for(i=65;i0;i-) /i这个数值可以改，for语句只是作为收到存在脉冲时的延时只要满足60us就可以 if(!DQ)break; /当收到存在脉冲时跳出循环 delay1(120); /大于480us其实这个子程序并没考虑到干扰，因为假设在初始化过程有低电平脉冲的干扰，那么即使ds18b20没有发送低电平，也会认为初始化成功。二、 写时隙（1）写1时隙，如上右图：主控器将数据线拉低至少1us，并在拉低后的15us内再将其拉高，整个过程大于60us，子程序如下uchar bit1_write18b20()uint i=0; DQ=1; i+; DQ=0; for(i=0;i1;i+); /for(i=0;i1;i+)约为12.94us DQ=1; for(i=0;i4;i+); /约为51us，整个过程大于60us return(DQ);（2）写0时隙，如上左图，主控器将数据线拉低至少60us后将其拉高，子程序如下：uchar bit0_write18b20()uint i=0; DQ=1; i+; DQ=0; for(i=0;i5;i+);/大于60us return(DQ);三、 读时隙阴影部分表示数据线的在这个时间段状态不确定，整个时序图的意思是主控制器将数据线拉高至少1us后，再将其拉低，在拉低后15us内的数据有效，整个时隙时间要大于60us.虽然pdf中，用两个时序图分别表示读0时隙和读1时隙，实际上读一位数的子程序只要一个，数据线拉低后1us，将数据线拉高，在15us内储存数据，再延时，使其满足总时间大于60us，下面给个例子：uchar bit_read18b20(void) uint i; uint k; DQ=1;k+; DQ=0; for(i=0;i1;i+);/*for(i=0;i1;i+)约为12.94us*/ DQ=1; /*60us*/ return(DQ);四、 写、读一个字节数子程序：/*写一字节数*/void byte_write18b20(uint w) uint i=0; bit b; for(;i1; /*读一字节*/uchar byte_read18b20(void) uchar i; uint k; ucharvalue=0; for(i=0;i8;i+) if(bit_read18b20()value|=(0x01i); for(k=0;k6;k+);/延时使其满足读时隙时间 return(value);（1）unsigned int Readtemp() /温度转换unsigned char a=0;unsigned char b=0;unsigned int t=0;float tt=0;reset(); byte_write18b20(0xCC);byte_write18b20(0x44);reset();byte_write18b20(0xCC); /skip rom指令 byte_write18b20(0xBE); /温度转换指令a=byte_read18b20(); /连续读两个字节数据 /读低8位 b=byte_read18b20(); /读高8位t=b;/数值处理t=8;t=t|a; /两字节合成一个整型变量。tt=t*0.0625; /得到真实十进制温度值，因为DS18B20可以精确到0.0625度，所以读回0.625据的最低位代表的是0.0625度t= tt*10+0.5; /*放大十倍，这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显示数字，同时进行4舍5入计算*/return(t);（2）/*电源模式读取*/unsigned int Readpower( ) unsigned int t=0;reset(); byte_write18b20(0xCC);/skip rombyte_write18b20(0xB4);t=bit_read18b20();return(t);（3）/*将快速暂存寄存器的TH,TL和配置寄存器复制到EEPROM*/void copyRam() reset();byte_write18b20(0xCC);byte_write18b20(0x48);说明：这个指令与WRITE SCRATCHPAD(4Eh)指令结合可以将所要设置的温度上下限值写入ds18b20中的eeprom中，实现断电后所设置的数值仍然保存，可已通过这种方式做一个可报警的温度计，下面给个例子：void send(uchar TH,ucharTL)/将要写的温度上下限值存入EEPROMreset(); byte_write18b20(0xCC); byte_write18b20(0x4E); byte_write18b20(TH); byte_write18b20(TL); byte_write18b20(0x00); reset(); byte_write18b20(0xCC); byte_write18b20(0x48); reset();（3）读单个ds18b20的序列号子程序uint a7;uint b