核辐射探测习题解答3.doc_第1页
核辐射探测习题解答3.doc_第2页
核辐射探测习题解答3.doc_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第三章作业答案1.用图3.6的列线图，求出由具有1000*CM电阻率的N型硅制造的一个结型半导体探测器中产生0.1mm厚耗尽深度所需要的偏压。解：教材P161图3.6 0.1mm=100um，连接电阻率与灵敏区厚度两个点的连线，延长线交偏压于35V所对应的点。即偏压为35V。3.当粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，241Am刻度源的主要射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使粒子偏离法线350角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以粒子粒子能量损失表示）。解： 教材P162当能量为损失E0的粒子垂直入射时当 0时， 设粒子在探测器死层内的能量为E1则探测器灵敏体积得到的能量为（E0-E1）谱峰位在461道 当350时，死层内能量损失为E21.22E1探测器灵敏体积得到的能量为（E0-E2）E0-1.22E1谱峰位449道则粒子两个角度入射探测器灵敏体积分别得到的能量的差为E461449（E0-E1）（E0-E2）12E0E1- E0+1.22E1=0.22E1 所以E1（道）（补充：由手册可查，241Am刻度源的主要射线能量，设G每道所对应的能量，那么 解可得 ）4.试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱：（a） 5MeV入射粒子，探测器的耗尽深度大于粒子的射程。（b） 5MeV粒子，探测器的耗尽深度为粒子射程之半。（c） 情况同（a），但5MeV粒子已经经过一块吸收体，其厚度等于该物质中射程的一半。解：（何为微分脉冲幅度谱？即通常所说的能谱曲线。利用脉冲幅度甄别器，表征某一能量对应的计数）根据射程方程 R3.2104(0.2850.005E)E3/2（a） 相应能谱峰位能量=5Mev（c）当=5Mev时 Roa =0.31E3/2R3.21040.31E3/20.5 R=3.2104(0.2850.005E)E3/2可求出：=3.212Mev （可利用“数学”软件求出结果）(先经过R厚物质后，穿过探测器内的粒子能量由得)（b）相应的能量为 （原答案）由于探测效率不变，因此峰面积应该相等，只是峰位改变。7.绝对峰效率为38的NaI（T1）闪烁探测器，对57Co源的122kev射线测量15min光电峰计数146835个。然后同样的源置于离表面积为3600m的Si(Li)探测器的表面为10记录60min得到一个谱。如果在7.1kev的KX射线峰下面的计数为932个，那么在这个能量时Si(Li)探测器的效率是多少？（对于57Co的特征X射线和射线的强度比X/分别为：对6.40kev的K线为0.5727
人人文库> 全部分类> 应用文书 > 技术指导

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论