电子技术期末试卷及答案.doc

电子技术试卷及答案一、填空题（每空1分，共18分）1PN结具有（ ）性能，即：加（ ）电压时PN结导通；加（ ） 电压时PN结截止。2晶体二极管因所加（ ） 电压过大而（ ），并且出现（ ） 的现象，称为热击穿。3硅晶体三极管的饱和压降约为（ ）V，锗晶体三极管的饱和压降约为（ ） V。4一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而（ ）。5表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有（ ）、（ ）和（ ）。6对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要（ ） 些，以减轻信号源的负担，输出电阻要（ ） 些，以增大带动负载的能力。7逻辑代数的三种基本运算是（ ） 、（ ） 和（ ）8放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生（ ）。二、判断题（每题2分，共16分）1在半导体内部，只有电子是载流子。（ ）2晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ）3无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。（ ）4放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（ ）5交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（ ）6逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。（ ）7与门的逻辑功能可以理解为输入端有0，则输出端必为0；只有当输入端全为1时，输出端为1。（ ）8负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。（ ）三、选择题（每题3分，共18分）1内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（ ）A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体 2晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是（ ）A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态3晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ）A、发射结为反向偏置 B、集电结为正向偏置 C、始终工作在放大区4凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、低电平的矩形波脉冲信号，称为（ ）A、模拟信号 B、数字信号 C、直流信号5二进制数10011转换为十进制数后为（ ）A、18 B、19 C、216在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3V,则这只三极管是( )A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管四、问答题与计算题（48分）1如图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。（每题5分，共10分）-2。2V17V6V-2。3V-2V1V2画出三极管的输出特性曲线。（8分） 3、电路如下图所示，已知：VCC 12V，RS 10kW，RB1 120kW， RB2 39kW，RC 3.9kW，RE 2.1kW，RL3.9kW，电流放大系数 b 50，电路中电容容量足够大，要求：（共15分）usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1_+_RC1求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ 0.6 V )；（6分）2画出放大电路的微变等效电路；（3分）3求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。（6分）解:(1) (3) (4) 4在举重比赛中，有A、B、C。（15分）答案：一、填空题1单向导电性 正向 反向2反向 击穿 烧毁30.7 0.34增大5IBQ ICQ UCEQ6大 小7逻辑乘 逻辑加 逻辑非8失真二、判断题1错 2错 3错 4错 5对 6对 7对 8错三、选择题1C 2A 3C4B 5B 6A四、问答题与计算题1（1）放大状态 （2）饱和状态2略31 24Y=AB+BC+CAA B C Y0 0 0 00 0 1 00 1 0 00 1