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文档简介

14 2PN结及其单向导电性 不论是P型半导体还是N型半导体 导电能力还远不及金属导体 都只能看做是一般的导电材料 不具有半导体器件的任何特点 半导体器件的核心是PN结 是在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体 在两种掺杂半导体的交界面形成一个特殊的薄层 称为PN结 各种二极管 三极管等半导体器件 都是以PN结为核心而制成的 正确认识PN结 是了解和使用各种半导体器件的关键所在 一 PN结的形成 P N 空间电荷区 P区 N区 多数载流子将扩散形成耗尽层 耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区 内电场 方向 N P 一块晶体薄片的两面分别制成P型半导体和N型半导体 内电场阻碍了多子的继续扩散 耗尽层中载流子的扩散运动和漂移运动最后达到一种动态平衡 这样的耗尽层结构就是PN结 二 PN结的单向导电性 PN结未加电压时 载流子的扩散和漂移运动处于动态平衡 空间电荷区的宽度基本稳定 当对PN结加有外部电压时 其特性为 1 加正向电压 将外电源的正端接P区 负端接N区 外电场与内电场方向相反 空间电荷区变窄 漂移运动变弱 扩散运动增强 I 由多数载流子扩散形成较大的正向电流 2 加反向电压 将外电源的正端接N区 负端接P区 外电场与内电场方向相同 空间电荷区变宽 扩散运动变弱 漂移运动增强 P N I 0 少子是由热激发产生的 即温度愈高少子的数量愈多 反向电流受温度的影响很大 PN结具有单向导电性
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