硅片检验作业指导书.doc

硅片检验作业指导书 文件类别文件编号版本号/发布日期页数文件名称版本号/日期编写人批准人备注本文件由浙江尚源光伏科技有限公司，未经尚源公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。 这是电子文件，影印版本未受控制。 任何争议，以尚源公司文控中心的硬拷贝为准。 晶体硅多晶硅片检验作业指导书1.目的规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。 2.范围适用于正常购入多晶硅片的检验判定3.定义无4.规范性引用文件4.1GB/T2828.1-xx计数抽样检验标准4.2CD-硅片-02.4多晶硅片技术条件5.职责5.1电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。 5.2电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门5.3电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准5.4电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。 6.内容6.1多晶硅片基本检验要求6.1.1检验环境室温、有良好光照（光照度700lux左右）6.1.2运输/储存要求6.1.2.1产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。 6.1.2.2产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施6.1.3核对相关信息6.1.3.1收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。 6.1.3.2报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。 6.2多晶硅片抽样方案及判定准则项目检验项目判定准则1外观检验方案检验批定义以箱为单位组成独立检验批国内供应商按照国际GB2828一般检验水平II,接受质量限AQL0.15%以箱为单位作为一个独立的检验批，按外观抽检方案抽样检验，若检出不良大于等于Re,则整箱判退。 备注鉴于硅材料易碎的特性，在开盒、检验过程中产生的人为的崩边、碎片、裂纹、缺角直接挑出，不做零收一退国外供应商质量比较稳定，且连续十批外观合格率达到99%，按照国内供应商外观抽样方案执行；若不满足以上条件则外观全检2尺寸、性能抽样方案国内供应商边长、对角线、厚度、电阻率、导电类型检验抽样方案每箱数量1800pcs，抽取5片(在不同的盒子，不同的包装袋中抽取)；每箱数量1800pcs，抽取8片(在不同的盒子，不同的包装袋中抽取)。 若抽取的样本全部合格，则整箱判定为合格；若抽取的样本中有1片不合格（未满足边长、对角线、厚度、电阻率、导电类型判定标准任何一项），则整箱判定为不合格，即零收一退项目检验项目判定准则2尺寸、性能抽样方案国外供应商尺寸、厚度、电阻率、导电类型检验抽样方案a)每箱数量1000pcs,抽取2片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；b)1000pcs每箱数量1800pcs,抽取5片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；c)每箱数量1800pcs,抽取8片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）。 边长、对角线若抽测1片不合格，直接做零收一退；TV、TTV、电阻率若抽测1片不合格，加抽5片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）,若5片全部合格，则接受；若有1片不合格，则整箱拒收3少子寿命抽样方案检验批抽样方法a)每箱数量1000pcs,抽取2片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；b)1000pcs每箱数量1800pcs,抽取5片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；c)每箱数量1800pcs,抽取8片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）。 若有1片少子寿命测试值10us,以此片二次制绒为最终确认值，若此片测试值合格，则整箱合格；若此片测试不合格，则整箱判定为不合格，即零收一退。 6.3晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观碎片硅片受力后变为破碎或不完整现象目测目测硅片四周及表面合格无碎片不合格表现为硅片整体破裂，破碎面积接近整体的1/2合格无缺口不合格表现为硅片边缘某处呈三角形的缺口，尖端朝向硅片合格无裂纹/裂痕不合格表现为硅片边缘，或对角有线形延伸裂开缺口上下贯穿硅片边缘的缺损，形状为“V”型或半圆形等目测目测硅片四周及表面裂纹/裂痕延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕由于单晶拉制过程中的气泡或回溶等原因，形成的贯穿硅片表面的孔洞目测目测硅片四周及裂纹、裂痕的长度针孔目测目测硅片表面及发现孔上下两片洞硅片紧挨着的合格无针孔不合格表现为硅片表面大小不等的小孔，贯穿两面的孔检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观沾污硅片表面肉眼可见的某种颜色的花样，如指纹、水渍、有机物、灰尘以及腐蚀氧化由于硅片切割过程中的异常情况，导致硅片表面出现两种不同的颜色硅片表面未贯穿硅片的局部区域缺损，成凹凸状硅片边缘因硬物划伤等原因出现的微小崩边，在多片硅片放在一起会发现，单片难以发现目测强光下目测硅片表面质量合格无沾污色差目测强光下目测硅片表面质量合格无色差硅晶脱落目测目测硅片表面质量合格无硅晶脱落划痕目测目测多片硅片放在一起，在边缘形成的划痕强光下目测硅片边缘质量合格无划痕判定合格硅片边沿是光亮的（切片前的锭要经化学腐蚀去除损伤层）不合格硅片边沿不光亮合格无密集型线痕边缘毛糙硅片边缘或侧面由于未抛光、抛光不充分或线切割等原因导致的硅片边缘连续锯齿状缺陷目测密集型线痕垂直于线痕的1cm长度上线痕的条数超过5条目测、便携式面粗度计、显微镜见便携式面粗度计作业指导书检验项目术语定义测量仪器同心度模板测试方法以相邻两边和夹角为基准测量其他三个倒角偏离值使用同心度模板以一边一角为基准测量其他边判定基准判定合格0.50mm不合格0.50mm外形尺寸四角同心度（外形片、倒角偏差）单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值梯形片梯形片式一边满足要求，另一边偏大或偏小。 严重的梯形片是两边平行长度不等，另外两边不平行，长度可相等也可能不相等四条边长度相等，但是对角线长度不等，一般通过对角线突出和缩进的数值游标卡尺、同心度模板判定合格0.50mm不合格0.50mm菱形片游标卡尺、同心度模板使用同心度模板以一边一角为基准测量其他边使用游标卡尺测量两边及两对角的中心点判定合格0.50mm不合格0.50mm尺寸偏差由于硅片在切割过程中的异常情况，导致硅片的边或角超出要求范围游标卡尺/MANZ判定合格标称尺寸0.5mm不合格超范围检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观线痕由线切割造成的硅片表面的局部区域的高低起伏，其尺寸由双面同一位置叠加和不同位置最深的线痕深度或高度给出硅片局部区域整体性的高低起伏，其尺寸由台阶深度或高度给出目测、便携式面粗度计、显微镜见便携式面粗度计作业指导书判定合格线痕深度20um不合格线痕深度20um判定合格台阶深度20um不合格台阶深度20um判定合格崩边长度0.5mm，深度0.3mm,每片崩边数量2个不合格崩边长度、深度、数量，只要有一项超出合格范围即判不合格台阶目测、便携式面粗度计、显微镜见便携式面粗度计作业指导书崩边硅片边缘未贯穿硅片的局部区域缺损，其尺寸由缺损区域的长和宽给出目测、显微镜目测硅片边缘质量翘曲度晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值，翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性晶片中心面凹凸形变的一种变量，它与晶片可能存在的任何厚度变化无关，弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面性质塞尺、水平测试平台将硅片放置水平硬质平台上，采用塞尺进行测试表现为晶片边缘微微上翘卷曲判定合格翘曲度75um不合格翘曲度75um硅片呈现弯曲的现象，表现为硅片侧面有空隙。 判定合格弯曲度75um不合格弯曲度75um弯曲度塞尺、水平测试平台将硅片放置水平硬质平台上，采用塞尺进行测试检验项目术语定义硅片中心点厚度误差，是指一批硅片的中心点厚度分布情况测量仪器WA-1200测试仪测试方法使用非接触式测试设备测试硅片中心点厚度，看其数据是否满足厚度公差范围使用非接触式测试设备测试硅片最厚点和最薄点的厚度差值（一般测量采取五点法）将硅片的损伤层去除后，使用0.08mol/L的碘酒钝化，使用少子寿命测试仪测量针对氧施主片需要进行退火处理，在650惰性气体（氮气）保护下退火30分钟，正常片直接测试判定基准外形尺寸TV厚度（um）检验标准判定合格范围标称厚度TV范围TTV范围xx0020TTV30um1