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文档简介
申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上的内容。一、选择填空题1、 本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。2、 本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。3、 N型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。4、 P型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。5、 PN结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。6、 PN结的伏安特性方程式： 正偏时： 反偏时：其中：热电压 26mV（室温）；温度每升高10，Is约增加一倍。7、 硅PN结：VD（on）=0.7V 锗PN结：VD（on）=0.3V8、 PN结的击穿特性：热击穿（二极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。9、 PN结的电容特性：势垒电容、扩散电容。10、 三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结面积大。11、 三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏；截止模式：发射结反偏，集电结反偏。12、 三极管工作在放大模式下：对NPN管各极电位间要求：VeVbVbVc例：测得某三极管的三个极的电压分别为U1=10V，U2=3V，U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其B C E极。解：电压值都为正，可判断为NPN管；假设三极管工作在放大状态，根据电位间要求：VeVb0.3V,由此可判断此三极管为NPN型三极管，且工作在放大状态，假设成立。13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ14、公式： 15、三极管的三种组态： 16、混合型小信号电路模型： rce三极管输出电阻，数值较大。RL 1 或 F 1 称为深度负反馈条件。39、 深度负反馈条件下 Avf 的估算：（1） 根据反馈类型确定 kf 含义，并计算 kf 若串联反馈：将输入端交流开路 若并联反馈：将输入端交流短路（2）确定 Afs(= xo / xs) 含义，并计算 Afs = 1 / kf（3）将 Afs 转换成 Avfs = vo / vs40、虚短虚断：虚短路不能理解为两输入端短接，只是 (v - v+) 的值小到了可以忽略不计的程度。实际上，运放正是利用这个极其微小的差值进行电压放大的。同样，虚断路不能理解为输入端开路，只是输入电流小到了可以忽略不计的程度。41、重点42、反向放大器：2、 计算题1、 第一章：习题1-132、 第二章：习题2-123、 第三章：（1） 习题3-6（2）习题3-114、 第四章：（1） 习题4-15 共发型放大器：（2） 习题4-19 共基型放大器：（3） 习题4-20 共集型放大器：（4） 习题4-35 差分放大器：5
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