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固体物理SolidStatePhysics 4 7能态密度和费米面 第四章能带理论 04 07能态密度和费密面 1能态密度函数 孤立原子 电子的本征态形成一系列的分立能级 可以具体的标明各能级的能量 说明它们的分布情况 固体 电子的能级是异常密集的 形成准连续的分布 去标明其中每个能级是没有意义的 为了概括这种情况下能级的状态 引入所谓 能态密度 的概念 能态密度定义 若在能量在E E E之间范围内 能态数目 Z 则能态密度N E 定义为 若在空间中 根据为常数作出等能面 那么在等能面E E E的状态数目就是 Z 等能面 状态在k空间是均匀分布的 E E E之间的能态数目 应用关系 状态密度 能态密度 考虑到电子的自旋 能态密度 1 自由电子的能态密度 电子的能量 k空间 等能面是半径为 的球面 在球面上 能态密度 若以N E 为横坐标 E为纵坐标 就得到如图所示的抛物线 2 近自由电子的能态密度 周期场 在布里渊区的边界附近产生较大影响 在其它的地方只对自由电子的情形有较小的修正 因此 在考虑第一布里渊区的等能面的情况下 可以认为 2 接近布里渊区边界时 等能面将向边界凸出 1 从原点向外 等能面应基本上保持为球面 原因 微扰作用 使第一布里渊区边界的电子能量下降 等能面凸出意味着要达到同样的E需要更大的值 根据以上分析 对能态密度N E 可以做如下估算 接近布里渊区的A点 能量受到周期性势场的微扰能量下降 等能面向边界凸现 在A点到C点之间等能面不再是完整的闭合面分割在各个顶点附近的曲面 a 当能量没有接近EA时 N E 和自由电子的结果接近 根据以上分析 对能态密度N E 可以做如下估算 b 当E接近EA时 随E 等能面一个比一个更加强烈的向外凸出 使他们之间的体积由愈来愈大的增长 E EA时 N E 自由电子的N E c 当E EA时 等能面开始残破 面积不断下降 E EC时 等能面缩成n个顶角点 E EC时 N E 0 因此 对近自由电子近似的情况 得到如图所示的N E 曲线 第二布里渊区能态密度 能量E越过第一布里渊区边界A点从B点开始能态密度由零迅速增大 能带不重叠 第二布里渊区能态密度 能量E越过第一布里渊区边界A点从B点开始能态密度由零迅速增大 能带重叠 3 紧束缚模型的电子能态密度 简单立方格子的s带 等能面为球面 k 0附近 随着E的增大 等能面与近自由电子的情况类似 能态密度 出现微商不连续的奇点 等能面与布里渊区相交 带底 和 X点 出现微商不连续的奇点 等能面与布里渊区相交 的等能面 的等能面 2费米面 固体中有N个自由电子按照泡利原理它们基态 N个电子由低到高填充的N个量子态 电子的能级 电子填充k空间半径为kF的球 球内的状态数 球内的状态数 球的半径 电子密度 费米波矢费米动量费米速度费米温度 费米能量 费米球半径 费米动量 费米速度 费米温度 自由电子球半径 电子密度 费米半径 费米速度 费米能量的估算 费米半径 费米能量 费米能量的估算 晶体中的电子 满带 电子占据了一个能带中所有的状态 空带 没有任何电子占据 填充 的能带 导带 一个能带中所有的状态没有被电子占满即不满带 或说最下面的一个空带 价带 导带以下的第一个满带 禁带 两个能带之间不允许存在的能级宽度 周期性势场的影响使得电子的能级形成一系列的准连续的能带 N个电子填充这些能带中最低的N个状态 半导体和绝缘体 电子刚好填满最低的一系列能带 形成满带导带中没有电子 半导体带隙宽度较小 1eV 绝缘体带隙宽度较宽 10eV 金属 电子除了填满一系列的能带形成满带还有部分电子填充其它能带形成导带 电子填充的最高能级为费密能级位于一个或几个能带范围内 在不同能带中形成一个占有电子与不占有电子区域的分解面 面的集合称为费密面 金属 半导体 绝缘体的能带 碱金属 体心立方格子 一个原胞有1个原子 n 2的能级 原子的量子态数为8 电子填充数为8个 晶体中相应的能带2s 1个 2p 3个 共4个能带 N个原子构成的晶体各满层电子能级相应分成2N个量子态的能带内层电子刚好填满了相应的能带 每个能带所容许的量子态2N 共8N个量子态可以填充8N个电子 碱金属 体心立方格子 一个原胞有1个原子 最外层ns态所对应的能带可以填充2N电子 N个电子只填充了半个布里渊区费密球与布里渊区边界不相交 费米面接近球面 N个自由电子 只填充了半个能带而形成导带 例 二价碱土金属 最外层2个s态电子 2N个电子刚好填充满和s相应的能带 ns态所对应的能带可以填充2N电子 与s对应的能带和上面的能带发生重叠2N个电子尚未填充满s态能带 开始填充上面的能带 两个能带都是部分填充 二价碱土金属 是绝缘体 例 第一布里渊区尚未填满 碱土金属为金属导体 二价碱土金属 最外层2个s态电子 费米面由两部分构成 第二布里渊区已填充电子 仅第一布里渊区中的费米面 细线是第一布里渊区的边界 图五 不同金属单质的费米面 摘自美国佛罗里达大学物理系主页 科学网 金刚石结构的IVB族元素 C Si和Ge电子的填充 IVB原子外层有4个电子形成晶体后成键态对应4个能带在下面反键态对应4个能带在上面 每个能带可容纳2N个电子 成键态的4个能带刚好可以容纳8N电子 例 每个原胞有两个原子 共8个电子 Si和Ge为半导体 成键态的4个能带刚好可以容纳8N电子 晶体中8N个电子全部填充成键态的4个能带形成满带 反键态则是空带金刚石为绝缘体 能态密度的实验结果 X射线将原子内层电子激发产生空的内层能级导带中的电子跃迁填充内层能级时发射X射线光子 X射线将Na原子的内层电子激发后产生了诸如1s 2s和2p等空的内层能级 K 电子到1s能级的跃迁LI 电子到2s能级的跃迁LII 电子到2p能级的跃迁LIII 电子到3s能级的跃迁 导带中电子能量从带底能量到最高能量E0各种能量的电子均可发生跃迁产生不同能量的X光子 发射出X光子能量形成一个连续能量谱 X光子发射强度决定于 能态密度 发射几率 根据不同固体的X光子发射谱可以获知能态密度的信息 在低能量区域 X光子发射能量逐渐上升的 电子的能量从带底逐渐增大 能态密度逐渐增大 在高能量的一端 X光子发射谱陡然下降 导带未填充

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