西北工业大学 CMOS集成电路实验报告 实验考试答案

模拟模拟 CMOS 集成电路实验集成电路实验 考试题考试题 一 Gm Id 曲线仿真 1 给定 NMOS 的宽长 W 10um L 0 5um 采用 cis018 l 库中 model 仿真得到 NMOS 管的 gm Id 曲线 衬底电位 0 Sp 文件 1 title test1 1 protect lib E cmos test cis018 l TT 3V lib E cmos test cis018 l TT BIP3 unprotect source VDD VDD 0 3 3 M1 DN GN BN SN NCH3 W 10u L 0 5u M2 DP GP BP SP PCH3 W 10u L 0 5u RD VDD DN 2k I1 VDD DN 0 0 analysis VSN SN 0 0 VBN BN 0 0 VGN GN 0 2 1 VBP BP 0 3 3 VSP SP 0 0 DC I1 0 3 0 05 output options post acct probe option accurate 1 probe i M1 LX7 M1 op end 仿真结果 2 2 给定 PMOS 的宽长 W 10um L 0 5um 采用 cis018 l 库中 model 仿真得到 PMOS 管的 gm Id 曲线 衬底电位 3 3V Sp 文件 1 title test1 2 protect lib E cmos test cis018 l TT 3V lib E cmos test cis018 l TT BIP3 unprotect source VDD VDD 0 3 3 M2 DP GP BP SP PCH3 W 10u L 0 5u RD VDD DN 2k I1 DP 0 0 analysis VGP GP 0 1 6 VBP BP 0 3 3 VSP SP 0 3 3 DC I1 0 3 0 05 output options post acct probe option accurate 1 probe i M2 LX7 M2 op end 仿真结果 2 二 如图所示电路 采用 cis018 l 库中 model 设计 AVDD 1 65V AVSS 1 65V VDDM 0 IDMP1 500uA IDMN1 IDMN2 50uA 限制条件 Cin 5pF 问题 1 写出正确的网表 g 2 Sp 文件 title test3 protect lib E cmos test cis018 l TT 3V lib E cmos test cis018 l TT BIP3 unprotect source VDD VDD 0 3 3 vAVDD AVDD 0 1 65 vAVSS AVSS 0 1 65 VDDM VDDM 0 0 VBP BP 0 3 3 VBN BN 0 0 VB1 VB1 0 0 65 VB2 VB2 0 0 55 VB3 VB3 0 0 65 IDMP1 VDDM SP1 DC 500u IDMN1 NET1 DN1 DC 50u IDMN2 AVDD DN2 DC 50u MP1 NET2 VIN SP1 BP PCH3 W 145u L 0 6u M 19 MP2 NET1 VB1 AVDD BP PCH3 W 14 5u L 0 5u MN0 NET2 VB2 AVSS BN NCH3 W 45 5u L 0 5u MN1 DN1 VB1 NET2 BN NCH3 W 4 15u L 0 5u MN2 DN2 NET1 VOUT BN NCH3 W 4 15u L 0 5u MN3 VOUT VB3 AVSS BN NCH3 W 4 15u L 0 5u analysis TEMPERATURE temp 27 TT temp 40 FF temp 125 SS PARAMETER param LV 3 3 2 9 3 7 PANA OPTIONS op 0 40u 80u 85u 100u 110u 150u 250u 350u OPTIONS OPTIONS probe options post node list OPTIONS ingold 2 post 1 limpts 30000 method gear OPTIONS lvltim 2 imax 20 gmindc 1 0e 11 tnom 25 OPTION CONVERGE 1 DC VIN 0 3 0 05 dc temp 40 125 1 output options post acct probe option accurate 1 probe v VO