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文档简介
专业用语注释 一 一 不良用语不良用语 MURA 画面污渍的总称 TFT LCD 画面显示后产生的污渍形态的不良 X Y Block 以 X Y TAB Block 单位产生的不良 以 Block 单位产生异常点灯和 Line Defect 现象 IDD 指 TFT LCD 的消耗电流 是驱动 LCD 时消耗的电流 IDD 不良是指消耗电流 的不良 Data Loss 指驱动 LCD 时从信号发生器传递的显示画面信号的不良 在画面出现小点为没 有显示信号的不良现象 DDC 表示 Display Data Channel 以及输入在 I Module 产品内部的信息 生产工厂 生产日期 DDC 信号形态 当 DDC 信息输入错误时产生的不良现象 Wave LCD 画面显示时按 Wave 横排 竖排形式在画面上出现周期性波浪形态的不良 现象 Common Short 表示由于 Cell 内部的导电性异物产生的 1 Line 形态的线缺陷不良现象 Data Open 指随着 Data 信号 Line 产生的线缺陷的一种 Gate Open 随着控制 TFT Channel On Off 的 Gate 信号 Line 产生的线缺陷的一种 Zaratsuke 由于 TFT LCD Cell 内部 PI 膜的损伤产生的 Pixel 单位或者凝结成一定形态的漏 光现象的一种 ESD 由于静电的 Discharging 产生的微小线缺陷或 Mura 形态的不良 Flicker 由于 TFT 特性不良以及画面局部性抖动不良产生的现象 在 Green L31 One Dot Skip 画面容易检查出来 X Talk Cross Talk 显示 Gray 水准有差异的现象 在 Cross Talk 画面容易检查出来 DG Short 由于 Data Line 和 Gate Metal layer 间的 Short 产生的 Line Defect 现象 二 二 Sputter 原理介绍原理介绍 Sputtering 通过 RF Power 或 DC Power 具有高能量 102 103eV 的粒子撞击固体表面 通过动能的交换将固体表面的粒子撞击出来并贴附到基板表面的工程 Plasma 在电学上为通过放电而形成的阳离子和电子的集合 Plasma 就是所谓的第四种 物质状态 Glow discharge 异常辉光放电 一般薄膜溅射常用的放电形式 可提供面积较大 分布较均匀的等离子体有利于实现大 面积的均匀溅射和薄膜沉积 Sputtering yield 溅射率由以下条件决定 入射粒子的能量 target 原子的结合能量 入射粒 子的角度 target 的晶体结构 单晶 target Arc 靶表面不平或杂质等影响 使溅射过渡到弧光放电区 较强的电流由某点集中射出 此现象称为 Arc System Rack 内部主要包括设备的总电源开关 UPS 电源开关 电源指示灯 设备各部分 子系统电源开关等设备 Heater Rack 主要作用为向设备各个加热元件提供电力 并且监视各加热元件状态 防止设 备过热损坏 SMD 1200CX 加热部分主要有两个 一个是 L UL Chamber 中的加热灯 另一个是 Sputter Chamber 中 Platen 上的电阻加热丝 DC Rack 主要负责为各 Cathode 提供溅射用的直流电 主要设备包括 异常放电探测器 MAM101 Pinnacle 直流电源 切替器和 Noisy Filter Vacuum RIU 检测整个主系统各 chamber 真空度情况 PM PM 设备维护 包括 L chamber 升降部件的上油 L chamber 的清理 气体供给冷却水供 给数据的整理 TO robot 摩擦力的测试 thickness 数据的整理 Grease up 利用油枪对设备需要润滑的部位进行注油 Thickness 膜厚测试 对 pm 后 dep 的膜所做的膜厚度的测试 Friction 摩擦力测试 对真空机器手上下臂的摩擦系数进行测量 从而检查出机器臂 pad 对 玻璃基板的摩擦状况 再确认是否更换新的 pad Half clean ITO 设备靶材使用率过半后 为保持 PI 结果良好 对靶材所作的清理工作 Load unload chamber L UL Chamber 是 ATM 与真空状态的一个中介 在正常工作时 该 Chamber 一侧处于真空 状态 另一侧处于大气状态 它的作用就是在这两种状态之间实现玻璃基板的传送 在 把 Substrate 从 Cassette 送入 T0 时 要从大气压变到真空状态 同时还要实现对玻璃基 板进行预热的功能 该功能是通过红外灯加热的形式实现的 在把 Substrate 从 T0 送出 时 要从真空变到大气压状态 同时 L UL Chamber 要将 Dep 后玻璃基板进行冷却 在 L UL 室内壁四周有一圈隔热层 是双层中空的结构 起保温和隔热作用 在真空 室中的隔热层基本上都是采用这种材料 Heat Plate 玻璃基板从 Cassette 进入设备后 首先要在这里进行预热 预热使用的是 64 个红外灯 lamp Heater Cooling Plate 玻璃基板成膜后的温度比较高 不可以直接进入低温的 ATM 环境中 所以 要进行冷却 T0 chamber 构成构成 Vacuum Robot 由于处于真空室中 因而不能对其使用真空引力来抓住 Glass 而需要在每 个 Arm 上使用阻挡物来防止 Glass 滑落 玻璃基板有无传感器 在各个 Chamber 的入口处 都有一对可以感知玻璃基板边缘的传感 器 可以感知玻璃基板的有无以及是否发生破碎 Isolation Valve 如果一个 Sputter Chamber 出现问题 我们可以通过该 Valve 把它与设备隔 绝 使设备继续工作 而只是对该 Chamber 进行维修 Sputter chamber 介绍介绍 Platen 放玻璃基板的平台 Gate 每个 Ch 有两个 Susceptor 石英材质具有较好的热传导作用 能够为玻璃基板均匀加热 我们使用上 中 下三块 固定在 Platen 上 Cathode 阴极 包括 Target 靶材 Shield 防着板 Magnetic Bar 永久磁条 等构成部分 Motor 有 Plate 转动的 Motor Plate 升降的 Motor Cathode 开关 Gate 每个 Ch 有两个 Motor 有 Plate 转动的 Motor Plate 升降的 Motor Cathode 开关的 Motor Magnetic Bar 运动 的 Motor 等 Door Valve 与 Transfer Chamber 之间有 Door Valve PCW 冷却水 由于 SP Ch 温度比较高 而且 Plasma 撞击 target 温度升高 不利于 Process 进行 需要通冷却水降低温度 6 个进水口 6 个出水口 DC Power 1 DC power 主要负责为各 Cathode 提供溅射用的直流电 主要设备包括 异常放电探测器 MAM101 Pinnacle 直流电源 切替器和 Noisy Filter 异常放电探测器 MAM101 由于 Particle 或靶材表面状态不均 溅射时有可能发生异常放 电现象 对靶材造成破坏 异常放电探测器可以探测到异常放电现象 并且记录放电次 数 统计一段时间内发生异常放电的频率 Pinnacle 直流电源 Pinnacle 电源主要负责将输入的交流电转换为溅射用的直流电 并且确 保溅射时直流电源功率恒定 同时 Pinnacle 电源内部还带有高速屏蔽功能 可以在异常 放电发生的瞬间停止供电 降低异常放电的能量 减少造成的破坏 电源切替器 SMD 1200CX 设备每个 Sputter Chamber 都配备有一组 Pinnacle 电源 其中 Gate 设备每个 Sputter Chamber 安装有两个阴极 切替器的作用就是控制 DC 电源在两 个阴极间切换 直流电源切替器安装在 DC Rack 的最上层 并且仅有 Gate 设备安装有 切替器 Noisy Filter Noisy Filter 安装在 DC 电源上方 其作用是为 DC 电源提供稳定的三相交流电 Noisy Filter 与 DC 电源并联连接在回路中 Constitute Pinnacle 电源安装采用 Master Slave 结构 多个电源并联成一组 每组设置一 个主电源 Master 负责控制其余各电源 Slave 工作 控制信号采用串连方式 Working mode 输入电源为三相交流电 经过 AC 到 DC DC 到 AC AC 到 DC 的三次转 换以及一系列改善输出波形的处理后 最终输出我们所需要的直流电 真空仪器介绍真空仪器介绍 Dry Pump 是一种机械 Pump 主要用于对 Chamber 及 CryoPump 抽初真空用 延长 CryoPump 的使用寿命 CryoPump 是一种低温 Pump 靠高压氦气来产生低温 工作时的温度可达到 20K 以下 使 气体凝固 达到高真空 Compressor 把 He 转化为气态 提供给 CryoPump 使用 L UL 的两个 CP 公用一个 Compressor 其它每个 CP 一个 Qulee 分析管 发生器的一体型 可直连 一体化 到分析管 sensor 发生器部分有简易的显示表 镀膜设备的 He 检漏 支持累计测试 全压 分压变化量的计测 Super trap 由于 Gate Sputter chamber 比较大 用于快速抽真空用 Target Cathode 介绍介绍 Target 靶材 溅射过程中提供沉积粒子的载体 gate 材料为 AlNd MO S D 为 MO ITO 为氧化铟锡 Gate S D 靶材为一整块 ITO 为三小块 Magnetic Bar 永久磁条 其作用是束缚电子 增大 Plasma 的浓度 从而加快成膜速度 Magnetic 和 Shield 其作用是保证 Process 时 限制等离子体的区域 其中 Mask 有内外两层 Outer Mask 和 Floating Mask 之间有绝缘垫片 Magnetic Control Motor 控制 Magnetic Bar 既可以在 X 轴方向运动进行 Scanning 也可以在 Z 轴运动调节 TM 值 在量产时 Gate 的 Magnetic Bar 在 Z 方向不运动 而是每次更换 Target 后 Monitoring 选择一个最佳的 Z 轴位置 Substrate Up Down Motor 用于 S CH Substrate L UL 时使用 Cathode Up Down Motor 用于 Target Mask Shield 进行更换时 Cathode 的 Open 和 Close TM 值 Target 前表面到 Magnetic Bar 的距离 TM 值对溅射的影响非常大 而随着 Target 的 使用 Target 会变薄 从而使 TM 值变小 这就要求人为调整 Mask Target 交换交换 Mask 和 Shield 其作用是保证 Process 时 限制等离子体的区域 其中 Mask 有内外两层 Outer Mask 和 Floating Mask 之间有绝缘垫片 Outer Mask 平面防着板 GS Deposition 侧面防着板 Floating Mask 悬浮掩膜 Cap 防着帽 12 个大号 18 个小号 Gap Outer Mask 和 Floating Mask 之间的距离 Mask GapSPEC 3 5mm 4 5mm Clamp Platen 上用来夹玻璃的夹子 刻蚀量 每次材料交换后对靶材的具体位置进行测量 得到靶材消耗的结果 Control Box 手动操作 SP ch 各部件动作的操作面板 真空仪表介绍真空仪表介绍 真空表 Sputter 设备使用的真空表主要有四种 ATM Sensor PIG 表 DG 表 测量的真空 度递增 IG 用来测试高真空领域的 Gauge 测定范围为 9 9 5 0 10E 8 Pa 在这里可以看到 IG 的读数 PIG 用来测定初真空领域的 GAUGE 测定范围为 0 4 2700 Pa 在这里我们可以看到其读 数并可以进行更改 我们只使用 40Pa Roughing Interlock Upper Limit 和 67Pa Roughing Interlock Lower Limit DG 用于监控 Process 时 Chamber 内的压强是否满足要求 DG 表在 High Vacuum 时读数 应为 0 若不是 0 需要在此处对其进行调 0 同时通过调整 Gate Valve 可以调整反应时 Chamber 内的压强使 DG 读数满足要求 Indexer Indexer Transfer System 主要由 Cassette Stage ATM Robot Interface Touching Panel 等四 个结构组成 Stage 用
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