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文档简介

第二章电路图基础 读图及复习 N沟道增强型MOS管P沟道增强型MOS管 与管子对应的结构示意图 GateSourceDrainSubstrate 新名词 沟道宽度W和沟道长度L l晶体管的长度 沟道的长度 w晶体管的宽度 沟道的宽度 um的概念 复习 N沟道增强型MOS管的工作原理 复习 N沟道增强型MOS管的工作原理 通常将开始形成反型层所需的VGS值称为开启电压 用VGS th 表示 开启电压取决于场效应管的工艺参数 SiO2绝缘层越薄 N 区的掺杂浓度越高 衬底掺杂浓度越低 VGS th 就越小 复习 P沟道增强型MOS管的工作原理 本书的符号 G D S G D S 0 1 P6 7 8 CMOS反向器 CMOS与非门 CMOS或非门 复杂逻辑门 画版图的方法 1 层次化画法16个晶体管2 合并 形成新的晶体管级描述8个晶体管 CMOS传输门 单晶和多晶 按照原子在整个晶体内的排列形式不同 晶体分成单晶体和多晶体两种 单晶是指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列 多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列 但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同因此多晶体也可看成是由许多取向不同的小单晶体 又称晶粒 组成的 SiO2石英玻璃透明 集成电路的物理结构 截面图剖面图 互连线的电阻 Rs代表上表面边长为WXW的方形区域的电阻 每方 互连线的电阻 互连线的电容 绝缘氧化层的厚度Tox绝缘氧化层的介电常数 ox电容存在于任意两个在电气上被分开的导体之间 互连线的电容 绝缘氧化层的厚度Tox绝缘氧化层的介电常数 ox对于互连线来说 连线导体是通过二氧化硅玻璃绝缘层与半导体衬底
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