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文档简介

X射线光电子谱方法研究CdTe CdS异质结界面 报告人 韩俊峰北京大学核物理与核技术国家重点实验室 2020 3 31 内容 研究背景试验方法结果和讨论结论 研究背景 CdS CdTe异质结是CdTe电池的核心CdS与CdTe界面能带结构是影响异质结性能的关键参数CdS CdTe界面晶格失配达到10 存在大量界面态CdCl2退火处理可以改善异质结性能 试验方法 化学水浴方法沉积CdS层密闭空间升华方法沉积CdTe层CdCl2气氛中退火 350 5分钟XPS对退火前后CdTe CdS界面进行深度分析 退火前CdTe CdS界面XPS光电子谱图 退火前CdTe CdS界面S和Te分布图 退火后CdTe CdS界面XPS光电子谱图 退火后CdTe CdS界面Te和S分布图 CdTe CdS界面能带结构图 S2p EVB EF ECB CdS CdTe Te3d 2 42eV 0 98eV 1 45eV CdTe电池IV曲线 CdTe电池及其制备系统 结论 CdTe和CdS导带不连续差值为0 01eV 价带不连续值为0 98eVCdTe和CdS层存在S和Te的相互扩散CdCl2退火处理促进了S和Te的进一步扩散Te和S的扩散减少了界面态 改善了异质结性能 CdTe电池性能得到极大提高 谢谢 北京大学
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