三极管的命名参数及测试ppt课件.ppt

三极管的命名和参数 半导体器件的命名方式 第一部分 数字字母字母 汉拼 数字字母 汉拼 电极数材料和极性器件类型序号规格号 3 三极管 第二部分 第三部分 X 低频小功率管 G 高频小功率管 D 低频大功率管 A 高频大功率管 第四部分 第五部分 例 3AX313DG12B3DD6PNP低频小功率锗三极管NPN高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管3CG3AD3DKPNP高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管 D 硅材料NPN C 硅材料PNP A 锗材料PNP B 锗材料NPN 2 1 6半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下 3DG110B 第二位 A锗PNP管 B锗NPN管 C硅PNP管 D硅NPN管 第三位 X低频小功率管 D低频大功率管 G高频小功率管 A高频大功率管 K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 1 电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时 在静态 无输入信号 时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流 直流 放大系数 当晶体管工作在动态 有输入信号 时 基极电流的变化量为 IB 它引起集电极电流的变化量为 IC IC与 IB的比值称为动态电流 交流 放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下 可近似认为 但二者含义不同 电流放大系数一般在10 100之间 太小 放大能力弱 太大易使管子性能不稳定 一般取30 80为宜 1 直流参数 极间反向电流1 集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极 O是Open的字头 代表第三个电极E开路 它相当于集电结的反向饱和电流 指发射极开路时 集电极与基极之间的反向电流 一定温度下ICBO是一个常数 所以又称为反向饱和电流 EC 2 集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系ICEO 1 ICBO相当基极开路时 集电极和发射极间的反向饱和电流 即输出特性曲线IB 0那条曲线所对应的Y坐标的数值 如下图所示 EC 1 集电极 基极反向饱和电流ICBO 反向饱和电流随温度增加而增加 是管子工作状态不稳定的主要因素 因此 常把它作为判断管子性能的重要依据 硅管反向饱和电流远小于锗管 在温度变化范围大的工作环境应选用硅管 二 极间反向饱和电流 2 集电极 发射极反向饱和电流ICEO 2 1 7 1 电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时 在静态 无输入信号 时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流 直流 放大系数 当晶体管工作在动态 有输入信号 时 基极电流的变化量为 IB 它引起集电极电流的变化量为 IC IC与 IB的比值称为动态电流 交流 放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下 可近似认为 但二者含义不同 电流放大系数一般在10 100之间 太小 放大能力弱 太大易使管子性能不稳定 一般取30 80为宜 2 交流参数 1 2 7 3 4 5 返回 特征频率fT三极管的 值不仅与工作电流有关 而且与工作频率有关 由于结电容的影响 当信号频率增加时 三极管的 将会下降 当 下降到1时所对应的频率称为特征频率 用fT表示 2 交流参数 当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流 称为集电极最大允许电流ICM 1 集电极最大允许电流ICM 3 极限参数 基极开路时 加在集电极和发射极之间的最大允许电压 称为集 射反相击穿电压U BR CEO 2 V BR CEO 发射极开路时的集电结击穿电压 下标BR代表击穿之意 是Breakdown的字头 CB代表集电极和基极 O代表第三个电极B开路 管子基极开路时 集电极和发射极之间的最大允许电压 当电压越过此值时 管子将发生电压击穿 若电击穿导致热击穿会损坏管子 2 集电极 发射极间反向击穿电压V BR CEO 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时 集电极所消耗的最大功率 称为集电极最大允许耗散功率PCM 由ICM U BR CEO PCM三者共同确定晶体管的安全工作区 返回 正常工作时 IC流过集电结要消耗功率 而使三极管发热 三极管达到一定温度后 性能变差或者损坏 使用时应该使集电极消耗的功率PC PCM 3 集电极最大允许耗散功率PCM 3 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过三极管 所