半导体发光二极管

1 半导体发光二极管企业标准 1 范围 本标准规定了美的冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求 试验方法 检验规则和包装 贮 存 本标准适用于美的冰箱事业部控制器 照明指示灯等所选用的半导体发光二极管 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件 其随后所有的 修改单 不包括勘误的内容 或修改版均不适用于本标准 然而 鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件 其最新版本适用于本标准 GB 191 2000 包装储运图示标志 GB T 2423 3 1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验 Ca 恒定湿热试验方法 idt IEC 68 2 3 1984 GB T 2828 1 2003 计数抽样检验程序第一部分 按接收质量限 AQL 检索的逐批检验抽样计划 GB T 2829 2002 周期检验计数抽样程序及表 适用于对过程稳定性的检验 GB 4589 1 1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 idt IEC 747 10 84 GB T 4937 1995 半导体分立器件机械和气候试验方法 idt IEC 749 1995 GB T 4938 1985 半导体分立器件接收和可靠性 GB T 17626 2 1998 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 idt IEC 61000 4 2 1995 Q GD 01 2003 发光二极管测试方法 3 半导体发光二极管分类 3 1 按颜色分类 a 红色发光二极管 D 620 660nm b 橙色发光二极管 D 600 620nm c 黄色发光二极管 D 580 600nm d 绿色发光二极管 D 500 577nm e 兰色发光二极管 D 430 480nm f 紫色发光二极管 P 380 410nm g 白色发光二极管 TC 3000 25000K 3 2 按芯片材料分类 Q HLDZ 003 2005 2 InGaAlP GaAs GaN Al2O3或 SiC 衬底 InGaN Al2O3或 SiC 衬底 4 要求 4 1 静电防护工艺要求 因产品易受静电破坏 生产及运输过程中应做好静电防护工作 ImGaAlP GaAs 系列及 GaN 基 SiC 衬 底系列静电等级要求控制在 500V 以下 GaN 基 蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在 100V 以下 4 2 封装形式及外观要求 4 2 1 封装形式 采用环氧树脂全包封的封装形式 4 2 2 外观要求 目测环氧表面无明显发花 划伤 出光面无明显气泡 黑点 无多缺料 无明显偏支架 外引线平 整 无明显锈蚀 变色及镀层脱落现象 4 3 极限值 绝对最大额定值 极限值 绝对最大额定值 见表 1 表 1 极 限 值 除非另有规定 下表的值在整个工作温度范围内适用 参 数符号条件额定值单位 15a 20b 25c 正向电流IFMTamb 25 5 30d mA 正向脉冲电流 e IFPTamb 25 5 100mA 反向电压VR5V 贮存温度TStg 40 100 工作温度Tamb 25 85 耗散功率PMTamb 25 5 75mW 焊接温度Tsd10s260 InGaAlP 500 GaN 基 Al2O3 100 GaN 基 SiC 1000 抗静电电压 GaN 基加齐纳 ESD C 150PF R 330 5000 V a IF 15mA GaN InGaN 芯片 12 12mil 以下的发光二极管 b IF 20mA InGaAlP 芯片 8 8mil 以下 GaN InGaN 芯片 13 13mil 及 14 14mil 的发光二极管 白色除外 c IF 25mA GaN InGaN 芯片 13 13mil 及 14 14mil 的白色发光二极管 d IF 30mA InGaAlP 芯片 9 9mil 至 12 12mil 的发光二极管 e 脉冲宽度 0 1ms 占空比 1 10 3 4 4 光电特性 4 4 1 InGaAlP 系列红色发光二极管光电参数 InGaAlP 系列红色发光二极管光电参数应符合表 2 的规定 表 2 InGaAlP 系列红色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别 正向电压VFIF 20mA 2 02 5VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFR8B3 C T 15005000 HFR863 1001000 HFR883 1001000 HFR803 C T 500 5000 3 HFR803 M 100 5000 HFR8B5 C T 400020000 HFR865 1001000 HFR8E5 2003500 HFR885 1001000 HFR805 C T 150 15000 5 HFR805 M 100 15000 HFR808 C T 1000 25000 8 HFR808 M 10020000 HFR8010 C T 1000 30000 HFR8010 M 100 30000 10 HFR8B10 C T 1500 50000 HFR84 C T 1001000 HFR8F C T 5004000 发光强度IVIF 20mA HVR84 C T 100 1500 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA620 660nmJS LX CP 光谱辐射带宽 IF 20mA 20 nmC HFR8B3 C T 515 HFR863 100 HFR883 120 HFR803 C T 10 120 3 HFR803 M 10 180 HFR8B5 C T 5 15 HFR865 100 HFR8E5 15 50 40 110 HFR885 120 HFR805 C T 10 120 5 HFR805 M 10 180 HFR808 C T 10 120 8 HFR808 M 10 180 HFR8010 C T 10 120 HFR8010 M 10 180 10 HFR8B10 C T 5 15 HFR84 C T 120 HFR8F C T 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVR84 C T 120 度C Q HLDZ 003 2005 4 注 LX 例行试验最后测试参数 JS 交收检验测试参数 CP 成品测试参数 C 参考参数 以下同 4 4 2 InGaAlP 系列黄色发光二极管光电参数 InGaAlP 系列黄色发光二极管光电参数应符合表 的规定 表 InGaAlP 系列黄色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 正向电压VFIF 20mA 2 02 5VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFY8B3 C T 15005000 HFY863 1001000 HFY883 1001000 HFY803 C T 500 5000 3 HFY803 M 100 5000 HFY8B5 C T 400020000 HFY865 1001000 HFY8E5 2003500 HFY885 1001000 HFY805 C T 150 15000 5 HFY805 M 100 15000 HFY808 C T 1000 25000 8 HFY808 M 10020000 HFY8010 C T 1000 30000 HFY8010 M 10030000 10 HFY8B10 C T 1500 50000 HFY84 C T 100 1000 HFY8F C T 5004000 发光强度IVIF 20mA HVY84 C T 100 1500 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA580600nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 15 nmC HFY8B3 C T 5 15 HFY863 100 HFY883 120 HFY803 C T 10120 3 HFY803 M 10180 HFY8B5 C T 515 HFY865 100 HFY8E5 15 5040 110 HFY885 120 HFY805 C T 10120 5 HFY805 M 10180 HFY808 C T 10120 8 HFY808 M 10180 HFY8010 C T 10120 HFY8010 M 10120 10 HFY8B10 C T 515 HFY84 C T 120 半强度角 1 2IF 20mA HFY8F C T 3080 度C 5 HVY84 C T 120 4 4 3 InGaAlP 系列橙色发光二极管光电参数 InGaAlP 系列橙色发光二极管光电参数应符合表 的规定 表 InGaAlP 系列橙色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 正向电压VFIF 20mA 2 02 5VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFO8B3 C T 15005000 HFO863 1001000 HFO883 1001000 HFO803 C T 500 5000 3 HFO803 M 100 5000 mcdJS LX CP HFO8B5 C T 400020000 HFO865 1001000 HFO8E5 2003500 HFO885 1001000 HFO805 C T 150 15000 5 HFO805 M 100 15000 HFO808 C T 1000 25000 8 HFO808 M 10020000 HFO8010 C T 1000 30000 HFO8010 M 10030000 10 HFO8B10 C T 1500 50000 HFO84 C T 100 1000 HFO8F C T 5004000 发光强度IVIF 20mA HVO84 C T 100 1500 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA600620nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 20 nmC HFO8B3 C T 5 15 HFO863 100 HFO883 120 HFO803 C T 10120 3 HFO803 M 10180 HFO8B5 C T 515 HFO865 100 HFO8E5 15 5040 110 HFO885 120 HFO805 C T 10120 5 HFO805 M 10180 HFO808 C T 10120 8 HFO808 M 10180 HFO8010 C T 10120 HFO8010 M 10120 10 HFO8B10 C T 515 HFO84 C T 120 HFO8F C T 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVO84 C T 120 度C Q HLDZ 003 2005 6 4 4 4 InGaAlP 系列绿色发光二极管光电参数 InGaAlP 系列绿色发光二极管光电参数应符合表 的规定 表 InGaAlP 系列绿色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 正向电压VFIF 20mA 2 02 5VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFG8B3 C T 6002500 HFG863 50500 HFG883 50500 HFG803 C T 200 2500 3 HFG803 M 50 2500 HFG8B5 C T 10008000 HFG865 50500 HFG8E5 1002000 HFG885 50500 HFG805 C T 100 8000 5 HFG805 M 50 8000 HFG808 C T 100 10000 8 HFG808 M 5010000 HFG8010 C T 100 10000 HFG8010 M 5010000 10 HFG8B10 C T 100 10000 HFG84 C T 50 500 HFG8F C T 2002000 发光强度IVIF 20mA HVG84 C T 50 800 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA565577nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 20 nmC HFG8B3 C T 5 15 HFG863 100 HFG883 120 HFG803 C T 10120 3 HFG803 M 10180 HFG8B5 C T 515 HFG865 100 HFG8E5 15 5040 110 HFG885 120 HFG805 C T 10120 5 HFG805 M 10180 HFG808 C T 10120 8 HFG808 M 10180 HFG8010 C T 10120 HFG8010 M 10120 10 HFG8B10 C T 515 HFG84 C T 120 HFG8F C T 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVG84 C T 120 度C 7 4 4 5 GaN 基系列绿色发光二极管光电参数 GaN 基系列绿色发光二极管光电参数应符合表 6 的规定 表 6 GaN 系列绿色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别 GaN 基 Al3O22 9 3 8 正向电压VFIF 20mA GaN 基 SiC3 04 5 VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFG9 AB3 C T 15005000 HFG9 A63 1001000 HFG9 A83 1001000 HFG9 A03 C T 500 5000 3 HFG9 A03 M 100 5000 HFG9 A B5 C T 400020000 HFG9 A 65 1001000 HFG9 A E5 2003500 HFG9 A 85 1001000 HFG9 A 05 C T 150 15000 5 HFG9 A 05 M 100 15000 HFG9 A 08 C T 1000 25000 8 HFG9 A 08 M 10020000 HFG9 A 010 C T 1000 30000 HFG9 A 010 M 10030000 10 HFG9 A B10 C T 1500 50000 HFG9 A 4 C T 100 1000 HFG9 A F C T 5004000 发光强度IVIF 20mA HVG9 A 4 C T 100 1500 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA500540nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 30 nmC HFG9 AB3 C T 5 15 HFG9 A63 100 HFG9 A83 120 HFG9 A03 C T 10120 3 HFG9 A03 M 10180 HFG9 A B5 C T 515 HFG9 A 65 100 HFG9 A E5 15 5040 110 HFG9 A 85 120 HFG9 A 05 C T 10120 5 HFG9 A 05 M 10180 HFG9 A 08 C T 10120 8 HFG9 A 08 M 10180 HFG9 A 010 C T 10120 HFG9 A 010 M 10120 10 HFG9 A B10 C T 515 HFG9 A 4 C T 120 HFG9 A F C T 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVG9 A 4 C T 120 度C Q HLDZ 003 2005 8 4 4 6 GaN 基系列蓝色发光二极管光电参数 GaN 基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表 7 的规定 表 7 GaN 系列蓝色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测 试 条 件最小值典型值最大值单位参数类别 GaN 基 Al3O22 9 3 8 正向电压VFIF 20mA GaN 基 SiC3 04 5 VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFB9 AB3 C T 5002500 HFB9 A63 20500 HFB9 A83 20500 HFB9 A03 C T 50 2500 3 HFB9 A03 M 10 2500 HFB9 A B5 C T 3008000 HFB9 A 65 20500 HFB9 A E5 802000 HFB9 A 85 20500 HFB9 A 05 C T 50 8000 5 HFB9 A 05 M 10 8000 HFB9 A 08 C T 50 10000 8 HFB9 A 08 M 1010000 HFB9 A 010 C T 50 10000 HFB9 A 010 M 1010000 10 HFB9 A B10 C T 50 10000 HFB9 A 4 C T 20 500 HFB9 A F C T 503000 发光强度IVIF 20mA HVB9 A 4 C T 20 500 mcdJS LX CP 峰值发射波长 DIF 20mA430480nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 30 nmC HFB9 AB3 C T 5 15 HFB9 A63 100 HFB9 A83 120 HFB9 A03 C T 10120 3 HFB9 A03 M 10180 HFB9 A B5 C T 515 HFB9 A 65 100 HFB9 A E5 15 5040 110 HFB9 A 85 120 HFB9 A 05 C T 10120 5 HFB9 A 05 M 10180 HFB9 A 08 C T 10120 8 HFB9 A 08 M 10180 HFB9 A 010 C T 10120 HFB9 A 010 M 10120 10 HFB9 A B10 C T 515 HFB9 A 4 C T 120 HFB9 A F C T 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVB9 A 4 C T 120 度C 9 4 4 7 GaN 基系列白色发光二极管光电参数 GaN 基系列白色发光二极管光电参数应符合表 7 的规定 表 8 GaN 系列白色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 GaN 基 Al3O22 9 3 8 正向电压VFIF 20mA GaN 基 SiC3 04 5 VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFW9 AB3 C 15005000 HFW9 A63 1001000 HFW9 A83 1001000 HFW9 A03 C 500 5000 3 HFW9 A03 M 100 5000 HFW9 A B5 C 400020000 HFW9 A 65 1001000 HFW9 A E5 2003500 HFW9 A 85 1001000 HFW9 A 05 C 150 15000 5 HFW9 A 05 M 100 15000 8HFW9 A08 1000 25000 HFW9 A010 C 1000 25000 10 HFW9 AB10 C 1500 50000 HFW9 A 4 C 100 1000 HFW9 A F C 5004000 发光强度IVIF 20mA HVW9 A 4 C 100 1500 mcdJS LX CP X0 2000 3000 400 色坐标 Y IF 20mA 0 2000 3000 400 nmJS LX CP 色温TcIF 20mA300025000KC HFW9 AB3 C 5 15 HFW9 A63 100 HFW9 A83 120 HFW9 A03 C 10120 3 HFW9 A03 M 10180 HFW9 A B5 C 515 HFW9 A 65 100 HFW9 A E5 15 5040 110 HFW9 A 85 120 HFW9 A 05 C 10120 5 HFW9 A 05 M 10180 8HFW9 A08 10120 HFW9 A010 C 10120 10 HFW9 AB10 C 515 HFW9 A 4 C 120 HFW9 AF C 3080 半强度角 1 2IF 20mA HVW9 A 4 C 120 度C Q HLDZ 003 2005 10 4 4 8 GaN 基系列紫色发光二极管光电参数 GaN 基系列紫色发光二极管光电参数应符合表 8 的规定 表 9 GaN 系列紫色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 GaN 基 Al3O2 3 53 8 正向电压VFIF 20mA GaN 基 SiC 2 84 5 VJS LX CP 反向电流IRVR 5V 10 AJS LX CP HFWAB3 C 10200 HFVA63 5100 3 HFVA03 C 5 150 HFVA B5 C 20300 HFVA 65 5100 发光强度IVIF 20mA 5 HFVA 05 C 5 200 mcdJS LX CP 峰值发射波长 PIF 20mA380 410nmC 光谱辐射带宽 IF 20mA 30 nmC HFWAB3 C 5 15 HFVA63 120 3 HFVA03 C 10120 HFVA B5 C 5 15 HFVA 65 120 半强度角 1 2IF 20mA 5 HFVA 05 C 10120 度C 4 4 9 HFT 系列多色发光二极管光电参数 HFT 系列多色发光二极管光电参数应符合表 9 的规定 表 10 HFT 系列多色发光二极管光电参数表 Tamb 25 5 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 GaAsP GaAlAs1 82 5 InGaAlP GaAs1 82 5 GaN 基 Al3O22 9 3 8 正向电压VFIF 20mA GaN 基 SiC3 04 5 VJS LX CP GaAsP GaAlAs10 InGaAlP GaAs10反向电流IRVR 5V GaN 基 Al2O3或 SiC 10 AJS LX CP GaAsP GaAlAs5 InGaAlP GaAs20 3 GaN 基 Al2O3或 SiC5 GaAsP GaAlAs5 InGaAlP GaAs30 5 GaN 基 Al2O3或 SiC15 GaAsP GaAlAs5 InGaAlP GaAs30 8 GaN 基 Al2O3或 SiC15 GaAsP GaAlAs5 InGaAlP GaAs30 10 GaN 基 Al2O3或 SiC15 发光强度IVIF 20mA 方形GaAsP GaAlAs3 mcdJS LX CP 11 InGaAlP GaAs10 GaN 基 Al2O3或 SiC5 表 10 续 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位参数类别 红色620660 橙色600620 黄色580600 绿色500577 峰值发射波长 D 兰色430480 nmC GaAsP GaAlAs30 InGaAlP GaAs20光谱辐射带宽 GaN 基 Al2O3或 SiC 30 nmC HFT503C 15 3 HFT503M 30 HFT505C 15 5 HFT505M 30 HFT508C 15 8 HFT508M 30 HFT5010C 15 10 HFT5010M 30 HFT54 C 120 半强度角 1 2IF 20mA 方形 HFT54 M 120 度C 4 5 型式检验要求 4 5 1 引出端强度 通过 5 4 试验后 引出端无断裂 松动 与环氧体之间无相对移动或脱落现象 4 5 2 引出端可焊性 通过 5 5 试验后 湿润表面应覆盖一层平滑而光亮的焊料涂层 浸润面积应大于或等于浸渍面积的 95 4 5 3 耐焊接热 通过 5 6 试验后 样品环氧体无明显溶化及变色现象 光电特性参数应符合以下要求 VF 1 1VFO IF 20mA VFO 试验前电压测试值 以下同 IR 10uA VR 5V IV 0 9IVO IF 20mA IVO 试验前光强测试值 以下同 4 5 4 快速温度变化及恒定湿热 通过 5 7 试验后 样品无开裂及引线松动现象 环氧体无明显变色 光电特性参数应符合以下要求 VF 1 1VFO IF 20mA IR 20uA VR 5V IV 0 7IVO IF 20mA 4 5 5 电耐久性 通过 5 8 试验后 光电特性参数应符合以下要求 Q HLDZ 003 2005 12 VF 1 1VFO IF 20mA IR 20uA VR 5V IV 0 7IVO IF 20mA 4 5 6 高温贮存 通过 5 9 试验后 样品环氧体无明显溶化及变色现象 光电特性参数应符合以下要求 VF 1 1VFO IF 20mA IR 10uA VR 5V IV 0 8IVO IF 20mA 4 5 7 静电放电抗扰度 通过 5 10 试验后 光电特性参数应符合以下要求 VF 1 1VFO IF 20mA IR 10uA VR 5V IV IVO 5 IVO IF 20mA 5 试验方法 5 1 外形测试 用游标卡尺或显微镜测量 尺寸测量结果符合 4 2 1 中规定 5 2 外观测试 目测及显微镜下镜检 外观符合 4 2 2 及 4 2 3 中规定 5 3 光电特性测试方法 按 Q GD01 中规定测试 测试结果符合 4 4 中规定 5 4 引出端强度试验 5 4 1 拉力试验 按 GB T4937 1995 第 II 篇 1 1 试验 Ua1 的规定 a 外加力 5N b 时间 10 1 秒 c 样品测试符合 4 5 1 中规定 5 4 2 弯曲试验 按 GB T4937 1995 第 II 篇 1 2 试验 Ub 第 3 4 2 1 方法 2 的规定 a 加力 2 5N b 次数 2 次 c 样品测试符合 4 5 1 中规定 5 5 引出端可焊性试验 本试验只针对无铅焊 按 GB T4937 1995 第 II 篇 2 1 试验 Ta 方法 1 的规定 a 焊锡温度 245 5 13 b 浸锡时间 2 0 5 秒 c 浸入到离器件本体 1 1 2 mm d 焊剂 松香 25 酒精 75 e 样品测试符合 4 5 2 中规定 5 6 耐焊接热试验 本试验只针对无铅焊 按 GB T4937 1995 第 II 篇 2 2 试验 Tb 方法 1A 的规定 a 焊锡温度 280 5 b 浸锡时间 10 1 秒 c 浸入到离器件本体 2 2 5 mm d 焊剂 松香 25 酒精 75 e 恢复 试验样品在标准大气条件下恢复 1 小时 然后在 4 小时内测完光电参数 并应符合 4 5 3 中规定 5 7 快速温度变化及恒定湿热试验 温度快速变化按 GB T4937 1995 第 III 篇 1 1 试验 Na 的规定 a TA 40 3 TB 100 2 b 暴露时间 10 分钟 c 转移时间 2 3 分钟 d 循环次数 5 次 温度快速变化结束后 试验样品的外观颜色应无明显变化 在标准大气条件下恢复 4 小时 继之于恒 定湿热试验 按 GB T 2423 3 1993 的规定 a 严酷度 温度 40 2 湿度 93 3 时间 240h b 恢复 试验样品在标准大气条件下恢复 2 小时 样品测试应符合 4 5 4 中规定 5 8 电耐久性试验 按 GB T4938 1985 工作寿命试验的规定 a IF 15mA GaN InGaN 芯片 12 12mil 以下的发光二极管 IF 20mA ImGaAlP 芯片 8 8mil 以下 GaN InGaN 芯片 13 13mil 及 14 14mil 的发光二极管 IF 30mA ImGaAlP 芯片 9 9mil 至 12 12mil 的发光二极管 b 试验时间 1000h c 自进行 1000 小时的耐久性试验通过后 对于自 1000 小时电耐久性试验之后不超过 120 天所进 行的新的试验 即可开始至少 340 小时的耐久性试验 d 试验完成后 试验样品在标准大气条件下恢复 4 小时后 在 4 小时内测完下列光电参数 测试 结果应符合 4 5 5 中规定 5 9 高温贮存试验 按 GB T4937 1995 第 III 篇 2 条规定 Q HLDZ 003 2005 14 a 温度 100 2 b 时间 1000h c 恢复 试验样品在标准大气条件下恢复 4 小时 然后在 4 小时内测完光电参数 并应符合 4 5 6 中规定 5 10 静