半导体集成电路引线框架企业标准

xxx Q 江阴 康强电子 有限公司企业标准 Q CYXXX001 2011 半导体集成电路引线框架 2011 发布 2011 实施 江阴 康强电子 有限公司发布 前言 本标准编写符合 GB T 1 1 2009 的规定 本标准由江阴康强电子有限公司负责起草 本标准由江阴康强电子有限公司批准 本标准主要起草人 半导体集成电路引线框架 1 范围范围 本标准规定了半导体集成电路引线框架术语和定义 集成电路引线框架的分类 技术要求 检测 及验收规定 标志 储存等 本标准适用于本公司生产的半导体集成电路引线框架 2 规范性引用文件规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件 其随后所有 的修改单 不包括勘误的内容 或修订版均不适用于本标准 然而 鼓励根据本标准达成协议的各方 研究是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件 其最新版本适用于本标准 GB T 2828 1 2003 计数检查抽样方案和程序 GB 7092 半导体集成电路外形尺寸 GB T 13546 92 挑选型记数抽样检查程序及抽样表 GB T 14112 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB T 14113 半导体集成电路封装术语 GB T 15878 小外形封装引线框架规范 3 术语和定义术语和定义 GB T 14113规定的及下列术语和定义适用于本标准 3 1 毛刺 Burr 粘结在引线框架上的水平或垂直方向上的多余材料碎片 3 2 侧向弯曲 Camber 引线框架在长度方向出现的侧向弯曲 3 3 卷曲 Coil set 引线框架在长度方向的弯曲 3 4 玷污 Contamination 不和原材料起化学反应的并且可以被含水或不含水溶液清除掉的有机或无机的粘附着的外来物质 3 5 横向弯曲 Crossbow 引线框架在宽度方向上的弯曲 3 6 打凹 Downset 打凹是指芯片粘贴基岛反常的沉降 3 7 引脚扭曲 Lead twist 引线框架的键合区偏离引线框架条带方向的角度 3 8 精压区 Coining 塑料封装的引线框架上 被加工后的键合区表面 3 9 凹坑 Pit 基体材料上具有可见边缘的浅凹陷或设计规定的压痕 3 10 压痕 Slug mark 基体材料上的任意的机械划伤 压印和外界杂质所引起的无序凹坑 3 11 功能区 Functional area 塑封引线框架上的芯片粘接区和引线键合区的总称 3 12 引线框架 Lead frame 采用冲制或刻蚀工艺制造 使具有一定几何图形和规定外形尺寸 提供陶瓷熔封或塑料封装引出 线的一个或一组金属零件 引线框架各部位名称见图1 4 集成电路引线框架的分类集成电路引线框架的分类 集成电路引线框架分为P DIP SOIC PLCC QFP SSOP TSSOP TSOP HSOP PGA BGA 等 5 技术要求技术要求 5 1 引线框架外形尺寸符合GB 7092有关规定 5 2 引线框架材料建议选用A194 C7025 PMC90 A42 K65 K80 KFC ALLOY 42等 5 3 引线框架常用材料厚度公差见表1 表1 引线框架常用材料厚度公差表 单位为 材料厚度允许公差值 0 1000 0 007 0 1270 0 0076 0 1520 0 0076 0 2540 0 0076 0 3810 0 0076 0 508 0 010 P32 240X165 定位孔定位孔 引线步距引线步距 图1 5 4间距 长度宽度见表2 表2 间距 长度宽度表 单位为mm 锁定孔锁定孔 腰形槽腰形槽 标识孔标识孔 外引线外引线 Y 槽口槽口 引线肩引线肩 基岛基岛 内引线内引线 连筋连筋 框架切段线框架切段线 鱼形尾鱼形尾 标记标记 基岛基岛 凹坑凹坑 倒角倒角 引线连筋引线连筋 产品类型L F 类型单位 条间距长度宽度 PDIP8LD DUAL IDF28 14X2 13 716 0 025196 698 0 12724 638 0 102 14LD IDF1413 716 0 025196 698 0 12724 638 0 102 16LD IDF1413 716 0 025196 698 0 12724 638 0 102 18LD1018 288 0 025182 88 0 12727 718 0 102 20LD1018 288 0 025182 88 0 12731 496 0 102 24LD SKINNY 1018 288 0 025182 88 0 12737 338 0 102 28LD SKINNY 1018 288 0 025191 008 0 12742 418 0 102 24LD626 416 0 025158 496 0 12737 338 0 102 28LD626 416 0 025158 496 0 12742 418 0 102 32LD626 416 0 025158 496 0 12757 658 0 102 40LD626 416 0 025158 496 0 12757 658 0 102 48LD626 416 0 025158 496 0 127 67 564 0 102 PLCC18LD R ST1018 288 0 025182 88 0 12731 242 0 05 20LD SQ1019 812 0 025198 120 0 12724 638 0 05 28LD SQ1022 352 0 025158 496 0 12727 178 0 05 32LD SQ1022 352 0 025158 496 0 12731 242 0 05 44LD SQ827 432 0 025219 456 0 12731 242 0 05 68LD SQ635 56 0 025213 360 0 12742 418 0 05 84LD SQ540 64 0 025203 200 0 12747 498 0 05 SOIC8 14 N16 DUAL40 20X2 9 144 0 02518 288 0 10227 178 0 05 W16LD1217 120 0 025205 435 0 10218 288 0 05 20LD1217 120 0 025205 435 0 10218 288 0 05 24LD1217 120 0 025205 435 0 10224 638 0 05 28LD1217 120 0 025205 435 0 10224 638 0 05 W28LD 8 382 1217 120 0 025205 435 0 10224 638 0 05 SSOP48LD30 10X3 20 32 0 025202 768 0 10250 800 0 05 56LD24 8X3 25 40 0 025202 768 0 10250 800 0 05 TSSOP20 24LD50 10X5 18 009 0 025179 502 0 10250 800 0 05 48LD32 8X4 22 504 0 025179 502 0 10250 800 0 05 QFP64 80 100LD626 416 0 025158 496 0 10234 798 0 05 表 2 续单位为 mm 产品类型L F 类型单位 条间距长度宽度 TSOP6LD140 14X10 15 469 0 025216 129 0 10258 166 0 05 66LD TSOP24 3x8 26 416 0 025210 312 0 1060 706 0 05 54LD TSOP24 3x8 26 416 0 025210 312 0 1060 706 0 05 SOIC8LD Mtx 3 81 140 14X10 16 309 0 025228 295 0 10250 800 0 05 8LD Mtx 5 283 120 12X10 16 637 0 025199 263 0 10258 166 0 05 PDIP8LD Matrix40 16X3 30 000 0 025239 499 0 10258 000 0 05 5 5引线框架侧弯表及侧弯示意图见表3及图2 表3 引线框架侧弯表 单位为 mm 类型适用品种最大 C 的尺寸 P DIP所有品种0 127 SOIC所有品种0 05 PLCC所有品种0 05 QFP所有品种0 05 SSOP所有品种0 05 TSSOP所有品种0 05 TSOP所有品种0 05 图 2 5 6 横向弯曲表及弯曲示意图见表4及图3 表4 引线框架横向弯曲表 单位为mm 产品类型适用品种最大的弓形弯曲尺寸 P DIP所有品种0 254 SOIC所有品种0 254 PLCC所有品种0 254 QFP所有品种0 254 SSOP所有品种0 254 TSSOP所有品种0 254 TSOP所有品种0 254 图 3 5 7 毛刺 竖直毛刺不大于 0 025mm 水平毛刺不大于 0 05mm 5 8 精压区 5 8 1 引线精压后的引线宽度不小于内引线宽度的80 5 8 2 引线精压后的深度不超过材料厚度的30 引线框架一般精压深度为 0 02 0 05 mm 5 9 引线框架扭曲表及示意图见表5和图4 表5 引线框架扭曲表 单位为mm 适用品种最大的弯曲尺寸 每条长度 P DIP所有品种0 635 SOIC所有品种0 635 PLCC所有品种0 635 QFP所有品种0 635 SSOP 所有品种0 635 TSSOP所有品种0 635 TSOP所有品种0 635 图 4 5 10 引线框架扭曲表及示意图表6和图5 表6 引线框架扭曲表 单位为mm 适用品种最大公差 所有品种2o30 大约为 0 0076 到 0 203 0003 到 008 inch 图 5 5 11 引线框架打凹表见表7 PLCC和QFP示意图见图6 SOIC 和TSOP示意图见图7 A表示连筋 B A 表示基岛 表7 引线框架打凹表 单位为 mm 产品类型适用品种最大长度 S 深度 H PDIP8LD 6 8580 33 0 05 14 48LD11 43 12 700 33 0 05 SOIC8LD DUAL3 810 229 0 05 14LD DUAL4 0640 178 0 05 N16LD4 0640 178 0 05 W16LD6 6040 254 0 05 20LD6 6040 254 0 05 24LD6 8580 254 0 05 28LD9 6520 254 0 05 W28LD11 430 254 0 05 表 7 续 单位为 mm 产品类型适用品种最大长度 S 深度 H PLCC18LD9 3980 381 0 05 20LD8 1280 381 0 05 28LD11 1760 381 0 05 32LD10 9220 381 0 05 44LD16 510 381 0 05 68 84LD18 2880 381 0 05 QFP64LD8 3060 203 0 05 80LD8 3820 203 0 05 100LD112 3440 33 0 05 120 208LD18 9990 33 0 05 TSSOP20 24LD4 5460 152 001 48LD3 9370 152 001 SSOP48LD5 3340 254 0 05 56LD6 0960 254 0 05 SOIC8LD Mtx 150mil4 2670 178 0 05 8LD Mtx 208mil4 0130 203 0 05 PDIP8LD Matrix4 7240 356 0 05 图 6 图 7 5 12 芯片基岛的斜度及示意图见表 8 和图 8 表 8 芯片基岛斜度表 单位为 mm 横向尺寸 A 1 272 543 815 086 357 6210 16 最大倾斜量 B 0 0330 0760 1020 1270 1520 1780 203 图 8 5 13 芯片基岛引脚的偏差及示意图见表 9 和图 9 表 9 芯片基岛引脚偏差表 单位为英寸 适用品种偏移量 所有品种a 0 152 b 0 076 图 9 5 14 芯片基岛的平面度及示意图见表10和图10 表10 芯片基岛的平面度 单位为英寸 适用品种冲压平面度尺寸 FLATness DIM 所有品种 0 0025 图 10 5 15 冲压对称性及示意图见表11和图11 表11 冲压对称性表 单位为mm 适用品种 冲压对称性尺寸 STAMPING SYMMETRY 所有品种 0 025 图 11 5 16 引线到基岛的同面度 非打凹衬垫 及示意图见表12和图12 表12 引线到基岛的同面度表 单位为mm 产品类型适用品种平面度 COPLANARITY P DIP所有品种0 127 0 381 SOIC所有品种 0 076 0 203 PLCC所有品种0 127 0 203 QFP所有品种 0 152 SSOP所有品种 0 102 TSSOP所有品种0 076 TSOP所有品种 0 102 注意 引线到基岛的同面度应在基岛中心和每个引线脚的压制表面上离引线头部 0 127mm 的点上测量 图 12 5 17 引线同面度及示意图见表13和图13 表13引线同面度表 单位为mm 图 13 5 18 引脚头部翘起及示意图见表14和图14 表14 引脚头部翘起表 单位为mm 适用品种最大公差 Max TOLERANCE 所有品种 3 大约为 0 025 到 0 508 001 020inch 注意 在引线头部往后 0 254mm 处测量 产品类型适用品种平面度 COPLANARITY P DIP所有品种0 127 0 381 SOIC所有品种0 102 PLCC所有品种0 076 0 127 QFP所有品种 0 152 SSOP所有品种 0 102 P DIP所有品种0 127 0 381 SOIC所有品种0 102 PLCC所有品种0 076 0 127 图 14 5 19 连筋平面度见表15 P DIP 和 SOIC示意图见图15 PLCC 和QFP见图16 表15 连筋平面度表 单位为mm 5 图 15 产品类型适用品种平面度 COPLANARITY P DIP所有品种0 102 SOIC所有品种0 05 PLCC所有品种0 102 QFP所有品种0 05 SSOP所有品种0 05 TSSOP所有品种0 05 TSOP所有品种0 05 图16 5 20 引线框架连筋见表16和图17 表16 引线框架连筋表 单位为mm 引脚数尺寸 DIMENSION 所有品种A 0 343 0 0127 0 089 B 1 27 图 17 5 20 1 对24脚或更多引脚的引线框架 适用于图17中连筋型号中的型号1和型号2 5 20 2 对22引脚或以下引脚的引线框架 以上的连筋型号都可用见图17 5 20 3 切口不应延伸到边框 边框中的槽并不需要见图18 图 18 5 21 凹坑和压痕 5 21 1 在功能区和外引线上不应存在压痕 凹坑深度不应超过0 005 0 013mm 最大表面尺寸不应超 过0 13mm 5 20 2 在其他区域 凹坑和其他缺陷都不应影响引线框架的强度 这些缺陷的深度不应超过0 05mm 最大表面尺寸不应超过0 13mm 5 21 表面缺陷 无镀层部位应呈金属材料本色 无锈蚀 发花等缺陷 5 22 引线框架镀层 局部镀银层厚度不小于3 0 m 5 23 镀层外观 镀层表面应致密 色泽均匀呈镀层本色 不允许有起皮 起泡 发花 斑点 沾污 异物等缺陷 应无明显污点 脱落或镀层漏镀 5 24 镀层耐热性 镀层经高温380 10 试验后应无明显变色 不允许有起皮 起泡 发花 斑点等缺陷 5 25 镀层键合强度 引线框架引线键合区应易于键合 键合强度大于40mN 5 26 引线框架外引线强度 引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂 6 检验规则检验规则 6 1 检验批的构成 一个检验批可由一个生产批构成 或由符合下述条件的几个生产批构成 这些生产批是采用基本相同的材料 工序 设备等制造出来的 每个生产批的检验结果表明 材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量 要求 6 2 质量一致性检验 质量一致性检验由A组 B组和C组检验组成 6 2 1 A组检验 A组检验应逐批进行 其检验中的分组见表17 表17 A组检验分组表 分组检验或试验试验方法检验要求 A1a 引线框架外观目检和变焦显微镜按本标准第5 6 条 A1b 引线框架外观目检和变焦显微镜按本标准第5 7 5 19条 A2 镀层外观目检和变焦显微镜按本标准第5 23条 6 2 2 B组检验 B组检验应逐批进行 其检验中的分组见表18 表18 B组检验表 分组检验或试验试验方法检验要求 B1 引线框架尺寸 用满足测量精度的量具或工具进 行测量 按本标准第5 3 条 B2 引线框架形状和位 置公差 检验按GB T14112 93 附录A按本标准第5 9 条 B3 镀层厚度用X 射线测厚仪测试按本标准第5 22 条 B4 镀层耐热性检验按GB T14112 93 附录B中B1按本标准第5 24 条 6 2 3 C组检验 C组检验为周期检验 应每三个月进行一次 其检验中的分组见表19 表19 C组检验表 分组检验或试验试验方法检验要求 C1 键合强度检验按GB T14112 93 附录B中B2按本标准第5 25 条 C2 外引线强度检验按GB T14112 93 附录B中B3按本标准第5 26 条 6 2 3 检验要求 6 2 3 1 A