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催化剂镍对生长碳纳米管阵列的影响,主要内容,一、课题背景,碳纳米管自1991年被日本的电镜专家Iijima发现以来，以其独特的电学、力学性能和化学稳定性及其在各个领域中具有的潜在的应用价值。能够大批量低成本的制备出碳纳米管是目前要解决的主要问题。,二、实验部分,2.1实验仪器,2.2实验药品,2.3实验步骤,高温真空管式炉,CVD法生长碳纳米管装置,三、结果与讨论,旋涂法沉积催化剂经刻蚀后的SEM图,3.1沉积催化剂的不同方法,溅射法沉积催化剂经刻蚀后的SEM图,3.2刻蚀催化剂形貌分析,溅射法沉积催化剂刻蚀前的AFM图,溅射法沉积催化剂刻蚀后的AFM图,3.3催化剂预处理参数对其形貌的影响,（a）完整的催化剂薄膜（b）高温作用下完整的薄膜破裂（c）进一步破裂成更小的岛状颗粒（d）氨气作用下大的岛状颗粒进一步变小（e）催化剂被刻蚀成适合生长碳纳米管的粒径,催化剂刻蚀处理微观过程,3.4碳纳米管阵列形貌分析,沉积不同厚度催化剂生长出的碳纳米管,10nm,2nm,3.4碳纳米管阵列形貌分析,旋涂法沉积催化剂生长出碳纳米管的SEM图,截面图,平面图,溅射法沉积催化剂生长出碳纳米管的SEM图,截面图,平面图,3.4碳纳米管阵列形貌分析,四、结论,（1）利用旋涂法和溅射法把催化剂沉积到硅衬底上都可以长出碳纳米管，只是两种方法长出的碳纳米管形貌有所不同。实验表明，溅射法沉积催化剂原始厚度在5-10nm，刻蚀后的催化剂具有较高的颗粒数密度，适合生长出优质的定向碳纳米管阵列。（2）对于催化剂的还原处理，只需要在规定温度范围内用氢气进行反应即可。本实验采用的参数为流量100sccm，在400-700通入。（3）刻蚀催化剂所用气体为氨气，反应参数为：流量100s
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