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文档简介

化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列,主要内容：以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,使用单温炉设备，采用一种无模板的化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列 。,实验流程（TCVD）,结果与讨论,1.温度的影响,不同温度下的碳纳米管阵列SEM图a）740b）780c）800d）840e）900,2.催化剂浓度的影响,不同催化剂浓度下碳纳米管阵列的SEM图a）0.005g/mLb）0.01g/mLc）0.02g/mLd）0.03g/mLe）0.06g/mL,3.生长时间的影响,生长150min后的定向碳纳米管束SEM图,4.基底的影响,不同基底生长碳纳米管的SEM图a）抛光硅片b）经磨砂的硅衬底c）多空硅沉底d）不锈钢片衬底,结论,采用二甲苯和二茂铁通过化学气相沉积法生长碳纳米管，并通过各种手段进行产物表征。结果表明，在800，催化剂浓度0.02g/mL，时间小于60min 的情况下，抛光硅衬底上较容易生长定向的碳纳米管。此条件下得到的定向碳纳米管具有很高的生长密度，极低的杂质含量和较快的生长速度。反应结束以后，我们在石英管和硅片的表面都收集到大量成簇的定向碳纳米管束。,
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