HCS08的FLASH模拟EEPROM

FLASH模拟EEPROM本程序利用S08系列单片机的片内Flash模拟EEPROM。解决部分8位机没有EEPROM导致在运用上的局限。本程序提供一个初始化函数和三个功能函数。用户必须在调用功能函数前调用调用初始化函数。三个功能函数分别是字节写入、字节读取、EEPROM全擦除。用户必须保证调用功能函数前有至少30Bate的栈空间。本程序参考飞思卡尔公司提供的在 HCS08 微控制器上使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM。并在源程序的基础上精简了部分功能，减少了RAM使用量。并尝试使用分页机制确定EEPROM地址。接口函数的EEPROM地址寻址由页地址和页内偏移量组成。即把用户定义的EEPROM分为若干个大小为256字节的页。其地址与FLASH地址的换算关系为：FLASH真实地址=EEPROM空间起始地址+页地址256+页内偏移地址用户在使用EEPROM是只用确定数据保存在EEPROM的相对地址即可。接口函数原型为：EEPROM_WRITE_DATA(数据,页地址, 页内偏移地址);Char EEPROM_READ_DATA(页地址, 页内偏移地址);1. 程序流程分析与设计。由于S08系列单片机在Flash写入时序中不能进行任何的Flash读操作，Flash写入指令必须放到RAM中执行并关闭所有可屏蔽中断。程序流程如图13-1-？。 字节写入/.全擦除程序流程 字节读取程序流程 图13-1-？2.程序源代码。此程序在CodeWarrior 6.0继承编译环境中编译通过/*/河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室/ 文件名：flash_program.h/ CPU ：MC9S08AW60/ 版 本：v1.0/ 日 期：2008年8月12日/ 调试环境：CodeWarrior 6.0 / 作 者：曾 滔/ 描 述: 头文件，用于保存初始化EEPROM设定、用户定制参数、编译器参数等信息。/*/#include #include derivative.h#include /*flash编程指令（请勿改动）*/#define BLACK_CHECK 0x05 /查空指令#define BITE_PROGRAM 0x20 /字节编程指令#define BURST_PROGRAM 0x25 /快速编程指令#define PAGE_ERASE 0x40 /页擦除指令（1页=512字节）#define MASS_ERASE 0x41 /全擦除指令 /*用户定制参数（根据单片机型号和用户flash使用情况定制）*/#define EEPROM_START_ADDRESS 0xE000 /EEPROM区起始地址。512B的倍数#define EEPROM_PAGE_NUM 8 /EEPROM页数。1page=256B #define BUS_FREQUENCY 2000 /总线频率。单位（KHz）/*编译器相关参数*/#define INT8U unsigned char /无符号字节变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0#define INT16U unsigned short int /无符号字变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0/*EEPROM API函数原型*/初始化程序。此函数必须在使用EEPROM前调用。建议用户在系统初始化是调用。void INIT_EEPROM(void);/EEPROM擦除函数。擦除所有EEPROM数据。void EEPROM_ERASE(void);/EEPROM字节写入函数。写入一个字节到EEPROM指定区域。void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)/EEPROM读出函数。读出一个指定的区域所保存的字节的到函数返回值。char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address);/*END*/*/河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室/ 文件名：flash_program.c/ C P U ：MC9S08AW60/ 版 本：v1.0/ 日 期：2008年8月12日/ 调试环境：CodeWarrior 6.0 / 作 者：曾 滔/ 描 述:提供了一个初始化函数和三个功能函数供用户调用，没有可更改参数。 /*/#include flash_program.hconst INT8U FLASH_CODE= / ; flash操作代码 0x45, 0x18, 0x26, / LDHX #$1826 ; FCMD地址写入H：X 0xA6, 0x00, / LDA #$00 ; 0x00为命令占位符 0xF7, / STA ,X ; 将命令写入FCMD命令缓存器 0x5A, / DECX ; 指针指向 FSTAT 0xF6, / LDA ,X ; 0xAA, 0x80, / ORA #$80 ; 0xF7, / STA ,X ; 置位FSTAT_FCBEF。启动flash写入命令 0xF6, / LDA ,X ; 等待3个时钟周期（请勿删除此代码） 0xF6, / LDA ,X ; 读取FSTAT 0xA5, 0x30, / BIT #$30 0x26, 0x05, / BNE *+6 ; 错误则返回/LOOP 0xF6, / LDA ,X ; 等待写操作结束 0xA5, 0x40, / BIT #$40 0x27, 0xFB, / BEQ *-3 ; 跳转到LOOP/EXIT: 0X81 /RTS ; 返回; /*初始化函数*/#if BUS_FREQUENCY = 12000 void INIT_EEPROM(void)FCDIV=(BUS_FREQUENCY/(8*175)|0x40)-1; #endif#if BUS_FREQUENCY =EEPROM_PAGE_NUM)return; /地址错误返回，保护用户代码address=offset_address+EEPROM_page*256+EEPROM_START_ADDRESS; /地址转化 (void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); /复制flash操作代码到RAM code_space4 = BITE_PROGRAM; /修改命令占位符为写入命令 DisableInterrupts; /关中断 if (FSTAT&0x10) /清错误标志 FSTAT = FSTAT|0x10; _asm /写入初始化 LDHX address; LDA data; STA ,X; /写入缓存 TSX; JSR 2,x; /跳入RAM执行 EnableInterrupts; /开中断_RESET_WATCHDOG(); /*EEPROM字读取入函数*/char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)unsigned short int address; /地址变量char rusult; /数据变量address=offset_address+EEPROM_page*0x100+EEPROM_START_ADDRESS; /地址转换asm LDHX address; LDA ,X; /读取地址到数据变量 STA rusult;_RESET_WATCHDOG();return(rusult); /返回/*EEPROM擦除函数*/void EEPROM_ERASE(void)INT16U address;INT8U i; /循环变量INT8U code_space23; for(i=0;i(EEPROM_PAGE_NUM/2);i+) /分页擦除 address=i*0x200+EEPROM_START_ADDRESS; (void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23); /复制flash操作代码到RAM code_space4 = PAGE_ERASE; /修改命令占位符为擦除命令 DisableInterrupts; /关中断 if (FSTAT&0x10) /清错误标志 FSTAT = FSTAT | 0x10; _asm LDHX address; /擦除地址写入缓存 STA ,X; TSX; JSR 3,x; /跳入RAM执行 EnableInterrupts; /开中断 _RESET_WATCHDOG(); /*END*/*/ 版权所有（c）河南工业大学/ 文件名：mian.c/ C P U ：MC9S08AW60/ 版 本：v1.0/ 日 期：2008年8月12日/ 调试环境：CodeWarrior 6.0 / 作 者：曾 滔/ 描 述: 测试Flash模拟EEPROM程序。/*/#include #include derivative.h#include flash_program.h void main(void)char temp;PTADD=0XFF;INIT_EEPROM(); /初始化Flash控制寄存器。do EEPROM_WRITE_