Documents MobileTester User Guide

MobileTester User GuideVersion: 1.0.6DocCode: TOOL-ALL-UG-0001Date: 2008-03-10重要声明版权声明本文档中的任何内容受中华人民共和国著作权法的保护，版权所有 2008，展讯通信有限公司，保留所有权利，但注明引用其他方的内容除外。商标声明展讯通信有限公司和展讯通信有限公司的产品是展讯通信有限公司专有。在提及其他公司及其产品时将使用各自公司所拥有的商标，这种使用的目的仅限于引用。不作保证声明展讯通信有限公司不对此文档中的任何内容作任何明示或暗示的陈述或保证，而且不对特定目的的适销性及适用性或者任何间接、特殊或连带的损失承担任何责任。保密声明本文档（包括任何附件）包含的信息是保密信息。接收人了解其获得的本文档是保密的，除用于规定的目的外不得用于任何目的，也不得将本文档泄露给任何第三方。前 言文档说明本文档为MobileTester工具的使用说明书。阅读对象本工具和文档适用于手机研发、调试以及工厂维修人员使用。内容介绍本文档包括十一个章节，分别为： 第一章：系统设置。简单介绍了工具的主界面以及相关设置操作； 第二章第十章：分别介绍了本工具所提供的各种功能； 第十一章：异常分析。简单给出了几种容易出现的异常现象及应对措施。文档约定本文档采用下面醒目标志来表示在操作过程中应该特别注意的地方。注意：提醒操作中应注意的事项。说明：说明比较重要的事项。相关文档目 录第1章 系统设置1-11.1 设置界面1-11.2 Connect操作1-2第2章 ARM Memory Reading/Writing2-12.1 操作界面2-12.2 Register读写2-12.3 Buffer读写2-22.3.1 Memory参数地址、类型和数量设置2-32.3.2 Memory Buffer的列设置2-32.3.3 Memory Refresh设置2-32.3.4 Memory读写2-42.3.5 Buffer的内容2-4第3章 Register Reading/Writing3-1第4章 RF Calibration4-1第5章 系统信息5-1第6章 Bluetooth6-1第7章 读/写FLASH7-1第8章 TD-Calibration8-1第9章 Common9-3第10章 RF GPIO10-4第11章 异常分析11-1附录A Revision HistoryA-1-v-第12章 异常分析第1章 系统设置1.1 设置界面运行MobileTester程序，主界面如图 11所示，显示的是设置界面。界面的上方为页签栏，用于在不同功能之间的切换。页签栏会随平台的不同而变化，比如对于SC6600D，有Setting、Memory、Register、Calibration、Misc Information、Common、Bluetooth、RF GPIO共八个页签；对于SC6600M&6800&SC8800-GSM，有Setting、Memory、Register、Calibration、Misc Information、Flash、Common、Bluetooth、RF GPIO共九个页签；对于SC8800-TD，有Setting、Memory、Register、Misc Information、Common、Bluetooth、RF GPIO、Flash和TD-Calibration共九个页签。图 11 设置界面图 11界面中各元素说明如所示。元素说明“Port”选择列表Port选择，选择所使用的串口。如果选择的是USB，则表示是使用USB线连接手机进入模式“Mode”选择列表Mode选择。在SC6600D情况下，Mode有三个选项，分别是Cal Mode、Cal Post Mode和Boot Mode；在SC6600M&6800&SC8800-GSM情况下，Mode有四个选项，分别是Cal Mode、Cal Post Mode、Cal Post No Lcm Mode和Boot Mode；在SC8800-TD情况下，Mode有三个选项，分别是TD Cal Mode、TD Cal Post Mode和Boot Mode“Chip”选择列表Chip选择，共有三种，分别是SC6600D、SC6600M&6800&SC8800-GSM和SC8800-TD按钮设置好Port、Mode和Chip类型后，单击，然后再给手机上电，就能控制手机进入相应的模式按钮如果手机已经进入了某种模式，则只需单击打开串口，就可以实现与手机的连接Log窗口界面下部的空白区域，记录Log信息，包括系统状态、错误提示等按钮退出系统按钮清空Log窗口的信息表 11 Mobile Tester设置界面说明1.2 Connect操作(1) 首先进行Chip选择；(2) 然后选择使用的Port；(3) 再进行Mode设置；(4) 单击按钮，然后给手机上电，控制手机进入相应的模式。该过程的实现原理是：l 若Port选择为串口方式：单击之后，工具会打开串口，并处于循环读取串口信息的状态，等待手机在上电时通过串口发出的开机信息；当接收到开机信息以后，再发送相应的模式指令，控制手机进入相应的模式。l 若Port选择的是USB，则表示是使用USB线连接手机进入模式，它的连接方法是：先单击，然后再给手机插上USB线，此时工具就会控制手机进入相应的模式。该过程的实现原理是：单击之后，工具处于等待新的串口产生的状态，这时插上USB线，工具检测到新的COM口的产生便会打开这个串口，并向手机发送设置模式的指令，控制手机进入相应的模式。12-7第2章 ARM Memory Reading/Writing2.1 操作界面在图 11中，选择“Memory”页签，转到如图 21所示界面。图 21 Memory界面下面分别介绍各部分的功能与含义2.2 Register读写图 22 Register界面图 22中各元素说明如表 21所示。表 21 Register界面说明元素说明按钮读取Register里的值向Register里写入值文本框读取到的或要写入的Register值下拉列表框（左）Register组下拉列表框（右）Register名字Register组和Register名字是从配置文件“PhoneTester.ini”读取出来的，配置文件采用如下初始化格式，同时也定义了Register的地址：External Memory Control/ Register组ExtMemCtl0 = 0x20000000/ Register名字=Register地址ExtMemCtl1 = 0x20000004ExtMemCtl2 = 0x20000008ExtMemCtl3 = 0x2000000C用上述的初始化格式可以很方便的添加新的Register名字和Register地址。2.3 Buffer读写图 23 Memory界面2.3.1 Memory参数地址、类型和数量设置图 24 Memory参数地址、类型和数量设置界面图 24中各元素说明如表 22所示。表 22 Memory参数地址、类型和数量设置界面说明元素说明“Mode”下拉列表框读写访问的Mode，共有三种：BYTE、WORD、DWORD“Addr”文本框要读的Memory地址，十六进制格式“Count”文本框一组数据，十进制格式注意：这些参数不是Buffer的大小(buffer_size = count * sizeof(access_mode) )。2.3.2 Memory Buffer的列设置如图 25所示。该参数用来定义Memory Buffer的列。其中“Auto”意思是自动计算添满编辑框的列数，否则右边设置的值生效。图 25 Memory Buffer列设置界面2.3.3 Memory Refresh设置如图 26所示。“Auto Refresh”意思是自动刷新Memory Buffe；否则下边设置的Timer值生效，Timer的单位为“毫秒”。当上一次读成功，就会刷新Memory Buffer；一旦读取失败，Timer将会自动停止。图 26 Memory Refresh设置界面注意：一旦开启了“Auto Refresh”，读取Buffer就不会停止。要想关闭读取，必须先关闭“Auto Refresh”。2.3.4 Memory读写如图 27所示。当编辑完从Memory读取的Buffer内容之后，这个用来设置写的模式。如果选中“Immediate Write”，所编辑的Buffer的内容会立即被写入。比如若将“0x11223344”改为“0xAABBCCDDEE”，则写的操作将执行8次：A1223344，AA223344，AABBCCDDEE。如果不选此项，则所编辑的Buffer的内容时将不执行写的操作，必须要单击按钮才能执行写操作。图 27 Memory读写2.3.5 Buffer的内容设置的Mode不同，Buffer的显示也不同。当以BYTE mode读时，内容包括：Start Address、Memory Map 和Corresponding ASCII 字符，如图 28所示。图 28 Memory BYTE mode数据显示当以WORD或DWORD mode读时，内容不包括ASCII字符，如所示。图 29 Memory WORD或DWORD mode数据显示说明：不管是哪种访问mode，Memory Buffer地址总是按照从低到高排列，这和Target Board 的Memory Map排列方式完全一致。第3章 Register Reading/Writing在图 11中，选择“Register”页签，转到如图 31所示界面。图 31 Register界面Read：选中树型控件中的某一项后，单击按钮就可以实现Register的读取；Write：当改变某一项的值之后，释放该项就可以实现写Register。第4章 RF Calibration在图 11中，选择“Calibration”页签，转到如图 41所示界面。图 41 Calibration界面Calibration说明：(1) 做Calibration之前，首先要确保手机进入“Calibration mode”，如果不是，则要单击按钮进入校准模式（目前不支持）。(2) 接着单击按钮，连通DSP与RF之间的通路。(3) 然后选择手机的工作频段，共有五种：EGSM900、DCS1800、EGSM-DCS-DUALBAND、PCS1900和GSM850（在不同的频段，arfcn、txpwr lv有不同的数值）。(2)、(3)步的操作完成后，即可进行发射或接收的操作。(4) 单击按钮可以开发射。此处有两个参数：afc、dac（在DCXO下有afc、dac两个参数；在TCXO下有dac一个参数）。执行该步操作可以实现AFC的操作。(5) 按钮可设置发射时的factor值。再点击按钮即可实现APC的操作。(6) 按钮可启动接收。在此之前要先设置好RX的各个值：type、gain ind、gain val、rach ab。在“Result”区域显示RSSI的值。执行该步操作可以实现AGC的操作。(7) 选中复选框“Multi Ramp”，即可设置所需PA parameter和Ramp Up Num两个参数。其中const up和const down两个参数分别选用的是ramp up数组的第一个值和ramp dn数组的最后一个值。(8) 单击按钮，即可根据Pcl、Band和Multi Ramp选项读取Flash中的Ramp参数；单击按钮将修改后的Ramp参数写入手机。(9) 单击按钮会根据Pcl和Band读取PA参数，单击按钮将PA参数写入手机。(10) pwr ramp 2用来设置RAMP点的值，共有三种方式： 在图 42中单击按钮弹出如图 43所示界面，选择和拖拉每一个点形成所需图形，编辑框的值也会做相应的改变。 选择一个编辑框，输入所需的数值，图形也会做相应的改变。 选择一个编辑框，调整上升沿和下降沿的组值。图 42 Ramp设置图 43 Ramp图表图 43中，界面上半部分为图表部分，可以拖拉每一个点；下半部分为编辑部分，值和RAMP图形相一致。第5章 系统信息在图 11中，选择“Misc Information”页签，转到如图 51所示界面。图 51 Misc Information界面图 51中各元素说明如表 51所示。表 51 Misc Information界面说明元素说明“IMEI”组合框可从手机读取或写入IMEI号（D-Chip只能读，不支持写的功能）“SN”组合框可从手机读取或写入SN号“Common”组合框一些常用的功能。Read Voltage：读取电压值；Enter SleepMode：让手机进入睡眠模式；Read Version：读取手机软件版本信息；Read Production Info：读取手机生产相关信息；Max Tx：让手机进入最大发射状态；Led On：让手机的Led灯亮；Vibrator On：让手机的振子振动；Disable Log：关闭ARM Log；Read GPS Hard ID：读GPS硬件IDWrite GPS Hard ID：写GPS硬件ID“AT Command”组合框向手机发送AT命令“Call”组合框让手机进行拨号，可以通过Band Select选择所支持的网络“ADC”组合框选择ADC的通道，读取ADC值第6章 Bluetooth在图 11中，选择“Bluetooth”页签，转到如图 61所示界面。图 61 Bluetooth界面图 61中各元素说明如表 61所示。表 61 Bluetooth界面说明元素说明按钮EUT模式：进入该模式后，蓝牙能进行信令下的测试“NV”组合框NV参数操作：读写NV中的蓝牙地址和DAC值“Calibration AFC”组合框/“DAC部分”AFC校准：设置DAC参数，进行蓝牙AFC的校准，默认信道为39“Calibration AFC”组合框/非信令测试部分非信令测试：非信令测试项以及相关的参数第7章 读/写FLASH只有在选择M-Chip的情况下才有Flash读/写功能。在图 11中，选择“Flash”页签，转到如图 71所示界面。图 71 Flash界面图 72 操作界面图 72中各元素说明如表 71所示。表 71 读/写Flash界面说明元素说明左侧下拉列表框有两个选项：FLASH、RAM。可以选择是对FLASH或者RAM进行读/写操作右侧下拉列表框有两个选项：DCXO、TCXO。此处只对AFC的参数有影响“Multi Ramp”复选框是否选择Multi Ramp。此处只对RAMP参数有影响“75 Comp Value”复选框AGC补偿值是否为75个。此处只对AGC参数有影响按钮从手机读取相应的数据按钮把修改的数据写入到手机下面对图 72中各个元素做进一步说明。(1) 晶振类型选择：若选择TCXO，参数如图 73所示。图 73 选择TCXO时的参数若选择DCXO，参数如图 74所示。图 74 选择DCXO时的参数(2) Multi Ramp选择选中Multi Ramp，参数如图 75所示。图 75 选中Multi Ramp时的参数未选中Multi Ramp，参数如图 76所示。图 76 未选中Multi Ramp时的参数(3) 从手机读取数据上述参数设置好之后，单击按钮，可从手机读取相应的数据，如图 77所示。图 77 读取到的数据(4) 向手机写入数据也可对相应的值进行修改，然后在单击按钮，把修改的数据写入到手机，如图 78所示。图 78 写入数据到手机第8章 TD-Calibration只有在选择TD Chip的情况下才有TD-Calibration功能。在图 11中，选择“TD Calibration”页签，转到如图 81所示界面。图 81 TD Calibration界面图 81中各元素说明如表 81所示。表 81 TD Calibration界面说明元素说明按钮要进行TD-Calibration，必须要进入TD CAL MODE，若手机不在此模式，单击本按钮即可进入（目前不支持）ACTIVE测试AFC、TX、RX之前，先单击本按钮，连接DSP与RF之间的通路“Common Setting”组合框设置ARFCN，其值的范围是：（10054，10121）选择TD的项目“AFC”组合框开/关AFC发射，DAC的范围是：（0，1023）“Tx”组合框开/关功率发射，如果选中Power10dbm，FACTOR的值的范围是：（0，816）；如果不选择Power10dbm，FACTOR的值的范围是：（32768，33584）如果选择 Display Hex,则Factor值以16进制显示，否则以十进制显示 Factor值。“Rx”组合框开/关功率接收，Cell Power的值的范围是：（-110，-20）；Rx Gain的值的范围随着LNA、MIXER的不同状态而变化：LNA MIXER Rx Gain的值的范围High High (49152,50175)Low High (32768,33791)High Low (16384,17407)Low Low (0,1023)第9章 Common在图 11中，选择“Common”页签，转到如图 81所示界面。图 91 Common界面图 81中各元素说明如表 81所示。表 91 Common界面说明元素说明“Keyboard”组合框该界面功能为模拟键盘操作。该功能只能在手机处于Cal Post模式或正常开机的情况下才能使用。“Read/Write Flash In Boot Mode”组合框在Boot模式下读写Flash，读的时候读取到的内容将保存在工具当前目录下的ReadFlashLog.txt文件中。该功能只能在手机处于Boot模式时使用。第10章 RF GPIO在图 11中，选择“RF GPIO”页签，转到如图 81所示界面。图 101 RF GPIO界面该界面用于计算NV中的RF参数，实际并不对手机进行操作。第11章 TV DVT Test在图 11中，选择“TV DVT Test”页签，转到如图 81所示界面。图 111 TV DVT Test界面表 111 TV DVT Test界面说明元素说明按钮在下拉框中选择频点，点击按钮进行DISPLAYTEST模式，然后可以进行其他测试。按钮可以得到芯片PLL的锁定信息，非锁定状态显示红色，锁定状态显示绿色。按钮可以得到芯片的调试方式，LDPC速率，及RS速率信息。按钮点击按钮，可以得到每秒钟的频率误差信息，并在界面上实时显示。当前按钮会变成,点击此可以停止频率误差的测试。按钮点击按钮可以得到芯片误块率信息，误块数及总的测量块数，并在界面上实时显示，当前按钮会变成,点击可以停止误块率的测试。按钮点击点按钮可以清零之前的误块率信息，并开始重新测量。按钮点击按钮可以在界面上实时显示芯片的RSSI测量信息，“Register” 组合框单击左侧列表框中的寄存器名字，可以得到当前寄存器的值,并在Data编辑框中显示。点击 按钮，可以将Da