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文档简介

芯片制造技术中的光刻 刻蚀工艺 1 INTRADUCTION 芯片制造工艺光刻工艺刻蚀工艺 2 3 光刻 蚀刻 最重要决定着芯片的最小尺寸制造时间的40 50 制造成本的30 4 玻璃模版 光刻光化学反应 蚀刻腐蚀 光刻胶膜 5 光刻工艺 6 photoresist siliconsubstrate oxide 紫外光 光刻胶上的阴影 光刻胶的曝光区 模版上的铬岛 硅衬底 光刻胶层 氧化层 光刻原理 7 使用光敏材料 光刻胶 和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形在后续工艺 蚀刻 中 保护下面的材料 光刻工艺 8 光刻工艺步骤 9 光刻工艺 涂胶 曝光 显影 模板 10 Normal Incomplete over under 光刻工艺 显影后 11 光刻工艺 显影后 12 光刻胶上的IC设计图形晶圆表面腐蚀作用 从Si片表面去除不需要的材料 如Si SiO2 金属 光刻胶等湿法和干法 蚀刻工艺 13 刻蚀工艺 14 用液体化学剂 如酸 碱和溶剂等 以化学方式去除Si表面的材料 刻蚀工艺 湿法 15 刻蚀工艺 干法 把衬底表面曝露于气态的等离子体 等离子体与硅片发生物理或 和化学反应 从而去掉曝露的表面材料 亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法 16 曝光 显影 显影液 蚀刻 酸气体 去光阻 去光阻液 17 18 光刻 刻蚀开启电极接触窗口 蒸金 光刻 刻蚀
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