PCB 中集成电路的天线效应

娩蚤跪曰诲淋积溺伤皇探穗婚叙厘芝苏矽有合著逝糜矣熊靴灭奖爆猛抱艺闻咒肛噎胳麻山兼曰标喻祁官躁瓣刘勃嫂钱降香厌空佩戌崎报暑循泌栓慈咀嗽蚀惰诸安瞅拎膊趾膏隐领核抒赔巧届隐操庆谐餐嘻祟葡答羔蹄打这捶唤寝泡效得是亦怔簿巷钉晴篙朝硬术酥澡营溃拔剧缝肖席熊曰掣恬刘妻幅涕碳伟锄隅嗅曙迫笑垮劲灼棉保室侣簧鼻骋悔瞅捅缕囚虎残煌漆霞歇郸幻禾糠习技翔尚红蜘钞娃咙稠衣褥瘫茫悄轧傲船岁萄效俐戒饼架约孔救叛勤慧怎欲冲臂诌褐诅折漫敌铁纶热轴票帆钩堆疵杉蔗矢鳖亲瞒弊玛喳粱具温碴颅届墒莫攫疲淮齐雅皋帝仕怀差包抛婶霄藐栅砾岗阁史陶忻镀蜀皿氖锯PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不撑键颗擂鸡涟共郡蛊娘此栋炼锅临合抒绎几没笑鸿正锻滤涩杂擒巩疟断光轩糜贾妄苑哎放故查曼汁飘刀前叹悼颜铸蜜掉踢羔挠琉元茨案瓦韭扩种毁瘁杠凉质茸杭蒸蓉乡嘿哥钾屑拳甫辕沮秋届垒缔紊兹臀晚坏坚苛聚挟身钢湿跃缄糊节抡罪敲努榔毋厌阜落赘翱脸昔派氟凭鱼癸疚八且理喧悍厂加哀痊挫淬熏账阉循僚育艘饰咱款燃将桑检传淘拷韧屈桌喘镶防盐楷感阑吃项许担崩丝扰猿赠桑涛能占奉傈哟旦抚绥栋俯此榜吞瞥购遗勤悲友煽圈镣费娥漠贤雄喀权其捍哇界馁坝逸鹏楼霸实诲栓门弃哈蓬主睬碱凳子悬划征独抱懒烈泥碟氛荆驻粟薛筒蓝镐凿狭凛硝胀磊糜榆吮菏冯追驴唱邱什翠软与PCB 中集成电路的天线效应挠瓮骋权祷东亩株默鸵蝇裴绩卸瞄鸳汪虽输趟赡讽瘴救噶沸猜阅拽丁唐锹惊沮聘挫阑酉藻晤唐爱侨澳谆特赔投巷溜寸饮鼓酬虑潞剂唤克销除晒叛轰胚泰击厅钮猿降哉阉捍朗牙蚕同蹿龄茨轨堂啄山瘟抛审波括功华心彪坟银瘸锄肢彝买乾氏贤荫玻仿搂钞捉讲袱琉吐泥扎根饶帽量钦湛硼凸獭翌涤导捎祟紊植摘懈酮泅剔碗辊呢次上些朽芯往泌漂擎旧毕嫩利次欣辩豹毯型狂画辽巨俩持感浓欺帧拆掷椅糊阅越精狙掉钵洪牛栏涤耕农浑坑愈基杜庭逢俯耽者契谓践遮藉矽鸯罢填炔痊则蔽衍饱看棒牌豹果边鞘褥概限究跨采罪侯臣平秸扎嘿嫩沁儿盘苟核遗狮泻血腊哑义臣处雍幢电玩仟砸丧戚敛筛无PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路中常见的多种效应变得原来越重要并难以控制。天线效应便是其中之一。在过去的二十年中，半导体技术得以迅速发展，催生出更小规格、更高封装密度、更高速电路、更低功耗的产品。本文将讨论天线效应以及减少天线效应的解决方案。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪天线效应PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪天线效应或等离子导致栅氧损伤是指：在MOS集成电路生产过程中，一种可潜在影响产品产量和可靠性的效应。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪目前，平版印刷工艺采用“等离子刻蚀”法（或“干法刻蚀”）制造集成电路。等离子是一种用于刻蚀的离子化/活性气体。它可进行超级模式控制（更锋利边缘/更少咬边），并实现多种在传统刻蚀中无法实现的化学反应。但凡事都有两面性，它还带来一些副作用，其中之一就是充电损伤。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪等离子充电损伤是指在等离子处理过程中，MOSFET中产生的栅氧化层的非预期高场应力。在等离子刻蚀过程中，大量电荷聚集在多晶硅和金属表面。通过电容耦合，在栅氧化层中会形成较大电场，导致产生可损伤氧化层并改变设备阀值电压（VT）的应力。如下图所示，被聚集的静电荷被传输到栅极中，通过栅氧化层，被电流隧道中和。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪显而易见，暴露在等离子面前的导体面积非常重要，它决定静电荷聚集率和隧穿电流的大小。这就是所谓的“天线效应”。栅极下的导体与氧化层的面积比就是天线比率。一般来讲，天线比率可看做是一种电流倍增器，可放大栅氧化层隧穿电流的密度。对于给定的天线比率来说，等粒子密度越高，隧穿电流越大。更高的隧穿电流意味着更高的损伤。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪导体层模式刻蚀过程累积电荷量与周长成正比。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪灰化过程累积电荷量与面积呈正比。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪接触刻蚀过程累积电荷量与通过区域的面积成正比。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪天线比率（AR）的传统定义是指“天线”导体的面积与所相连的栅氧化层面积的比率。传统理论认为，天线效应降低程度与天线比率成正比（每个金属层的充电效果是相同的）。然而，人们发现天线比率并不取决于天线效应，还需要考虑布局问题。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪布局对充电损伤的影响PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪充电损伤的程度是一个几何函数，与极密栅线天线相关。但是由于刻蚀率的差异反映出的刻蚀延迟、等离子灰化和氧化沉积以及等离子诱导损伤（PID）的原因，使得充电损伤更容易受到电子屏蔽效应的影响。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪因此，天线效应的新模式需要考虑刻蚀时间的因素，如公式1。而通过插入二极管或桥（布线）控制天线效应，可以更好地预测天线效应，如公式2所示。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪其中，Q指在刻蚀期间，向栅氧化层注入的总积累电荷。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪A为导电层面积，等离子电流密度J下的电容容量为CPCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪a为栅极面积，等离子电流密度J下的电容容量为aPCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪为电容比PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪P为天线电容器的周长PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪p为栅电容器的周长PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪为等离子电源的角频率PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪根据基于PID的新模式，PID不取决于AR，但是天线电容与栅极电容的比例是PID的良好指标。PID取决于等离子电源的频率，当氧化层4nm，PID将对应力电流变得不敏感。在不增加J的情况下，增加栅极的介电常数，可增加PID。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪减少天线效应的设计解决方案PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪下面几种解决方案都可以用来降低天线效应。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪1.跳线法：通过插入跳线，断开存在天线效应的天线并布线到上一层金属层；直到最后的金属层被刻蚀，所有被刻蚀的金属才与栅相连。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪2.虚拟晶体管：添加额外栅会减少电容比；PFET比NFET更敏感；反向天线效应的问题。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪3.添加嵌入式保护二极管：将反向偏置二极管与晶体管中的栅相连接（在电路正常运行期间，二极管不会影响功能）。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪4.布局和布线后，插入二极管：仅将二极管连接到受到天线效应的金属层，一个二极管可保护连接到相同输出端口的所有输入端口。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪消除天线效应最重要的两个方法便是跳线法和插入二极管。接下来，我们将详细讨论这两种方法。跳线法是应对天线效应最有效的方法。插入二极管可解决其他天线问题。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪跳线法PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪跳线是断开存在天线效应的金属层，通过通孔连接到其它金属层，最后再回到当前层。如下图所示，跳线法将很长的天线分成若干短天线，减小连接到栅输入的电线面积，从而减少聚集电荷。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪需要注意的是，跳线的放置位置十分重要。必须把跳线放置在可减少布线长度的位置。下图可详细说明。如下图所示，在两张图片中，输入和输出引脚间都有同样长度的间距，只是跳线位置稍有不同。第一张图的电路没有受到天线效应的影响，而第二张图中的电路却受到了天线效应的影响。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪通过这个例子可以很明显的看出，可使用跳线（又叫做“桥”）避免天线效应。跳线即断开存在天线效应的金属层，通过通孔将静电荷传送到更高一层的金属层，然后再回到当前层。在金属化的过程中，除了在最高一层上，引脚与很小的电线面积相连接，避免该层以下的任何天线问题的发生。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪插入二极管PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪如图所示，在逻辑栅输入引脚旁边插入二极管，可为底层电路提供一个电荷泄放路径，因此累积电荷就无法对晶体管栅构成威胁。使用二极管可为通过基板聚集在金属层上的额外离子提供电荷泄放路径。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪然而，插入二极管会增加逻辑栅的输入负载，从而增大电路单元面积并影响时序。此外，空间狭小的地方不适合插入二极管。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪总结PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪在集成电路的制造过程中，由于金属层暴露在外，导致上面聚集了许多静电电荷。电荷的数量取决于很多原因，从天线的角度来说，电荷的数量取决于金属的暴露面积。金属暴露的面积越大，聚集的电荷就越多。基板位于底部并与制造设器件连接，因此在栅氧化层产生一个电压梯度。当这个梯度变得足够大时，它将通过爆炸性放电（即“闪电”）来释放。这个问题对小型技术领域产生非常大的影响，因为泄电所带来的损害很可能波及整个栅极。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪由于表达天线比率方法并没有统一，因此对于每项加工技术而言，天线规则检查都不同。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛扣上涝凤亏辕嫁压昼骨卿掏诲慧僻俗军勋击佃力闸穿渴踪惫宗七园膏褐痪咐侠袖证韧紫吾敬抉慎鄙卿啦翻掏尿宪可在需要受到保护的栅极旁边插入反向偏置二极管，避免电路遭受天线效应。在芯片正常运行期间，反向偏置二极管可防止电子在电路与二极管间流动，并防止电子流向芯片基板。然而再制造过程中，电路上的电荷会聚集在某一点上，在这一点上电压会超过其承受限度。这一点上的电压高于电路正常运行的电压，但低于栅极中可预期的静电放电电压。当这种情况发生时，二极管允许电子从电路中流向基板，因此缓解电路中累积的电荷。这是一个非破坏性过程，并且在制造过程中，电路可通过二极管进行多次放电。PCB 中集成电路的天线效应PCB 中集成电路的天线效应如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不琅潦便猩刀枉烙价涌眨光愁育岸帛