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文档简介

几种红外发光二极管的参数单位TLN107TLN104HG310HG450HG520BT401正向工作电流(IF)mA(A)506050200(3)40峰值电流(IP-P)mA600600反向击穿电压(VE)V55555管压降(VF)V1.51.51.51.82.01.3反向漏电流(IR)A101050100100光功率(PO)mW1.52.51252010055012光波长(P)nm940940940930930940最大功率(PM)mW(W)75360(6)100L6 BAR17 Sie C - pin diodeL6 BSS69R Zet N - pnp 40V 0.1A 200MHz swL6 MMBC1623L6 Mot N - MPS3904 hfe 200-400 M6 BSR58 Phi F SOT23 2N4858 n-ch fetM6 MMBA812M6 Mot N - 2N5086 hfe 200-400 pnpM6 BSS66 Zet N - npn 40V 0.1A sw fT 250MHz三极管2SC1623,丝印:L6,贴片三极管2SC1623技术参数:NPN管,印记:L6,放大倍数:250-400电流:100mA,电压:60V,功率:200MW贴片三极管S9015LT1,丝印:M6,三极管S9015LT1技术参数:PNP管,丝印:M6,放大倍数:300-400电流:100mA,电压:50V,功率:200Mw光敏电阻器种类: 硫化镉(CdS)型号规格(mm)最大电压(VDC)最大功耗(MW)环境工作温度()光谱峰值(nm)亮电阻10Lux光源下(K)暗电阻0 Lux光源下(M)响应时间(ms)上升下降LXD35263mm系列150 V50-30 +70540nm8 20 K0.5 M0.6 3030LXD353718 50 K2.0 M0.7 LXD354845 140 K5.0 M0.8 LXD45264mm系列150 V50-30 +70540nm8 20 K0.5 M0.63030LXD453718 50 K2.0 M0.7 LXD454845 140 K5.0 M0.8 LXD55065mm系列150 V90 MW-30 +70540nm2 6 K0.2 M0.6 3030LXD55165 10 K0.2 M0.6 LXD5528100 MW8 20 K1.0 M0.7 2030LXD553718 50 K2.0 M0.7 LXD553930 90 K5.0 M0.8 LXD554945 140 K10.0 M0.8 3030LXD5516D560nm5 10 K1.0 M0.62030LXD5626D8 20 K2.0 M0.6LXD5637D18 50 K5.0 M0.7LXD5639D30 90 K8.0 M0.8LXD5649D45 160 K20.0 M0.8LXD5526F5m系列3管脚 150 V100 MW-30 +70540nm8 20 K0.5 M0.63030LXD5537F18 50 K1.0 M0.7LXD5549F45 140 K5.0 M0.8LXD75167mm系列150 V100 MW-30 +70560nm4 10 K0.5 M0.62030LXD7528150 MW8 20 K2.0 M0.7LXD763818 50 K5.0 M0.8LXD764945 140 K10.0 M0.8LXD95169mm系列150 V100 MW-30 +70540nm4 10 K0.5 M0.63030LXD9528150 MW560nm8 20 K2.0 M0.7LXD963818 50 K5.0 M0.8LXD954945 140 K8.0 M0.8LXD1152811mm系列250 V200 MW-30 +70560nm8 20 K2.0 M0.62030LXD1153718 50 K5.0 M0.7LXD1154945 140 K10.0 M0.83030LXD1252812mm系列250 V200 MW-30 +70560nm8 20 K2.0 M0.62030LXD1253718 50 K5.0 M0.7LXD1254945 140 K10.0 M0.83030LXD2052820mm系列500 V500 MW-30 +70560nm8 20 K2.0 M0.63030LXD2053718 50 K5.0 M0.7LXD2054945 140 K10.0 M0.8LXD2552825mm系列500 V500 MW-30 +70560nm8 20 K2.0 M0.63030LXD2553718 50 K5.0 M0.7LXD2554945 140 K10.0 M0.6三极管价格:85元/K 参数:品牌:国产,型号:M6,应用范围:开关,功率特性:小功率,频率特性:低频,极性:PNP型,结构:点接触型,材料:硅(Si),封装形式:贴片型,封装材料:塑料封装,特征频率:150(MHz),集电极允许电流:0.1(A),集电极最大允许耗散功率:0.2(W),营销方式:厂家直销,产品

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