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主板MOS管的测量和判断方法主板上基本上都是N沟道的MOS管一般我们的测量方法如下黑笔接D红笔接S 有500欧姆左右的然后红黑对调红笔接D黑笔接S万用表显示1一般这样我们就可以认为管子是好的更保险的说：红黑表笔对调测量G D S除了黑笔接D 红笔接S有阻值以外其他的接法都没有阻值！如果测量到某种接法阻值为0这个使用用镊子或表笔短接G S放电 然后再测量！电子元件之场管结型场效应管一：场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）二：场效应管工做原理 是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道夹断,此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vp表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+Vgs,这里Vgs是Vgs的绝对值.见输入输出特性。 三：结型场应管结场型场直流输入电阻可达106109欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极（控制极） 从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻档层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故UGS的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。如UGS上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。 结型场应管的特点 (1)是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态 (2)结型栅场效应管应用的电
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