Array工艺原理及工程检查-检查PPT课件

1 Array检查概要 2 内容 Array检查流程检查项目及使用装置TN的G检TN的D检TN的A检TN的显影后检查 3 ARRAY检查流程 4 检查设备一览表 5 ARRAY检查流程 TN 4MaskProcess G工程 O S检查 AOI检查 LaserRepair D I工程 G检 AOI检查 LaserRepair LaserCVD D检 C工程 PI工程 特性检查 ArrayTest LaserRepair MMO 最终检查 GPR显影后检查 DPR显影后检查 CPR显影后检查 PIPR显影后检查 6 Array检查项目 TN的G检TN的D检TN的A检TN的显影后检查 7 TN的G检 使用设备 O S检查 自动外观检查 激光切断 检查目的 通过对ARRAY工程中像素电气特性的比较检查 对于检出的短路可以进行修复 对应措施 8 TN的D检查 检查目的 通过对ARRAY工程中画素图案的比较检查 可以检出图形缺陷 工程不良和异物付着等缺陷 对于检出的短路和断路不良之后可以进行修复 使用设备 自动外观检查装置 ORBOTECH LaserRepair装置 NEC LaserCVD装置 NEC 检出缺陷 9 TN的D检查流程 10 11 Drain刻蚀剥離完成 自动外观检查 激光切断 短路 激光CVD 断路 激光切断 根据座标数据对短路的部分进行激光切断 D D短路点缺陷 将来 激光CVD 根据座标数据对断路的部分进行激光CVD修复 断路 12 自动外观检查装置示意图 13 检查方法概略 取得画像 画像处理 比较 例 例 LotNoPanelNo缺陷NoX座標 座標SizeMode等 例 重复比较相邻画素图案 对Array基板全面扫描使用Sensor进行取像 area3 Origin 获得缺陷情报 14 缺陷检出方式 Realtimebuffer Delayedbuffer Defectdetection Difference NoDifference Difference 15 实时缺陷信息 16 D工程后象素图形 17 D工程后短路缺陷 18 TN的Array检查流程 检查目的 检查TN型产品画素图形是否良好测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量进行检出之后可以对检出的短路不良进行修复 使用设备 Array检查装置 岛津 激光切断装置 NEC 检出缺陷 19 TN的Array检查流程 Array基板完成品 Array检查 激光切断 短路 PI工程完成后 使用Array检查装置对基板进行电气特性检查 对于短路不良 之后可以用激光切断装置进行修复 20 TN的Array检查流程 Array检查装置 激光切断 短路 Array检查装置 激光切断 短路 检查结果例SheetNo Panel Panel Array检查装置 全数 对Array基板的完成品进行缺陷检出 点缺陷 激光切断 根据座标数据对短路的部分进行激光切断 点缺陷 21 检查的基本原理 高能量电子束打在TFT基板上 给TFT基板加电压 二次电子从ITO上出射 测量ITO电极上的二次电子信号 非正常电压为基板上有缺陷 22 装置的外观图 23 电子枪的外观图 E GUN外観 S1 用 電子銃 搭載 24 Array工程完成品象素图形 25 特性检查装置 Sheet内的点 像素