济南大学2010-2011模拟电子考试试卷.doc

装订线答题不要超过此线济南大学20082009 学年第 2 学期课程考试试卷（期中）课 程 模拟电子技术基础 授课教师 考试时间 2009 年 7 月 日 考试班级 学 号 姓 名 题号一二三总 分得分得 分阅卷人一、单项选择题：在下列各题中，将每空唯一正确的答案代码填入答题表内。（每空2分，共20分）顺序12345678910答案1、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。 A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大2、长尾式差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ ）倍。 A、1 B、2 C、33、基本共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 4、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C集成工艺难于制造大容量电容5、欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ； A电压串联负反馈 B电压并联负反馈 C电流串联负反馈 D电流并联负反馈6、PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽7、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。 ANPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管0iD/mA-4 uGS/V58、某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。AP沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 图19、差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的 。A. 平均值 B.和 C. 差10、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适得 分阅卷人二、填空题（ 每空1分，共18分）1、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 负反馈；为了稳定交流输出电流采用交流 负反馈；为了提高放大器带负载能力，一般引入交流 负反馈。2、当信号频率等于放大电路的fL 或fH 时，放大倍数的值下降到中频时的 倍。3、若三级放大电路中Au1 、 Au2 均为 30 dB，Au3 为 20 dB，则其总电压增益折合为 倍。4、抑制50Hz交流电源的干扰，应采用 滤波电路，已知输入信号的频率为15kHz17kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波电路 。5、三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。6、恒流源在集成运放中有两个作用： 一是为各级提供 ， 二是作为有源负载用来提高 。7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。8、欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用加法运算电路。欲实现Au100的放大电路，应选用 运算电路 。9、已知某电路的幅频特性如图2所示，试问： （1）该电路的耦合方式为 ； （2）该电路由 级放大电路组成； （3）当f 104Hz时，附加相移为 装订线 图2得 分阅卷人三、分析计算题（共62分）1、放大电路如图3所示，已知：VCC=12V，RS=10KW，RB1=120KW，RB2=39KW，RL=RC=3.9KW，RE=2.1KW，rbb=200W，=50；电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( UBEQ=0.6V)（2）求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。(15分)usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1_+_RC 图 32、已知某电路的频率特性为 (12分)答题不要超过此线装订线 （1）试画出对应的简化Bode图(包括幅频和相频特性)；（2）在图中标出fL和fH的位置，说明影响低频特性和高频特性的主要原因是什么?（3）该放大电路有几级? 耦合方式是什么?3、电路如图4所示。 (10分) （1）若使电路的输入电阻增大，输出电阻减小，问应引入什么组态的反馈；请合理连线，接入信号源和反馈完成以上功能。 （2）若，则RF应取多少千欧？ 图44、写出图5示运放电路输出电压与