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此文档收集于网络,如有侵权,请联系网站删除半导体MOS管检验作业指引起草者:贺俊杰日期:2009年09月11日核对者:日期:2009年 月 日批准者:日期:2009年 月 日此文档仅供学习与交流REVISE RECORD 文件修订记录REV版本ECO 更改通知REVISE DETALL修 订 简 述DATE日 期PREPART 制 定CHECK审 核APPROVE批 准A/0/首次发行09-9-11贺俊杰一、目的: 规范半导体MOS管检验过程和检验方法的一致性和准确性。二、职责:1、技术员负责该标准的执行,并认真做好相关记录。所有的实验,在没有特殊规定的情况下,一律按本标准进行测试。2、零件承认工程师负责监督技术员的执行情况和相关报告的审核,并负责所属样件作业指引的制定。3、部门负责人负责本标准的审批。三、半导体NOS管检测项目:1、外观检验项目:1.1、表面标识正确,清晰易辩、无模糊,内容符合文件要求。1.2、本体无裂痕、边角破损、刮花或凹陷等不良现象。1.3、引脚无氧化发黑、无断裂、锈蚀、批锋、压痕、变形、污渍等不良现象。1.4、尺寸参数与样品规格书规定的标准相符。2、性能检验项目:2.1、极性判断:a)判定栅极G: 将万用表拨至R1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。b)判定源极S、漏极D: 在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。2.2、漏-源极击穿电压测试VDSS:a)测试条件:1、环境温度Ta=25;2、测试电流IDS与部品规格书上的测试电流相同。b)测试设备:半导体管特性图示仪XJ4810c)测试方法: 把图示仪的二极管测试台引两根引线出来,正电极接MOS管的漏极D,负电极接MOS管的源、栅极(源极和栅极短路),接上后,再调节Y轴电流按钮和X轴电压按钮到指定的电压电流;最后慢慢地把调制峰值电压按钮从0%往上调高,当LCD面板的坐标图显示D、S极被击穿时,其读数为MOS管的源、漏极的击穿电压VDDS值 。 d)测试结果判断:100%抽检品的击穿电压值一定在规格书的范围值内,否则NG。2.3、漏、源极漏电流测试: a)测试条件:1、环境温度Ta=25;2、测试电压与部品规格书上的测试电压相同。 b)测试设备: 1、可调直流电源; 2、电流表(最高精度为0.001uA)把测试设备和被测MOS管如图1线路连接起来,然后将可调直流电源输出电压VOUT调到指定的测试电压VDS时,电流表所测的读数即为MOS管的漏、源极漏电流IDSS值。 d)测试结果判断:100%抽检品的漏电流IDSS值一定在规格书范围值内,否则NG。3、可焊性检测:MOS管引脚端应易于粘锡(锡炉温度为2605 吃锡时间为2-3S),引出端长度2/3的可焊面积应大于95%,浸锡后锡面应光亮、均匀。4、机械性检测:a)引脚拉力强度:将MOS管本体进行固定,在其引脚与本之间施加一个2Kg拉力,施加时间为101S,实验后引脚不可断裂,本体不可有拉伤现象,其电气性能要符合规格书要求;否则为不合格。b)引脚弯折强度:将MOS管本体进行固定,在管脚上进行来回90弯折,弯折次数为10次,实验后其引针不可断裂,其电气性能要符合规格书要求;否则为不合格。5、标示耐擦性检测:用干净棉布沾上酒精在样品上来回擦拭五遍,观察样品表面字迹不可出现变色、模糊不清或无法辨认等异常。四、注意事项:1、首次采购的原材料均应通过新品认定试验。2、新品认定试验由公司研发部门或由用户指定或委托的质量检验单位负责进行。3、进行新品认定试验的样品数量不少于20PCS。4、试验中出现异常,或某些项目通不过,应停止检验,查出异常原因,写出异常分析报告后,再进行该项目的试验。在整个检验中再次出现异
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