双极型微晶管设计课程设计任务书微电子专业

广东工业大学课程设计任务书题目名称pnp双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级微电子专业09级1班姓 名学 号一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的pn p型硅双极晶体管，满足T=300K时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,共发射极电流增益=50V。BVCEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3)二、课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。4根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序号设计各阶段内容地点起止日期1教师布置设计任务，讲解设计要求和方法教1-4142012.6.252学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定图书馆工三3172012.6.263设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三3172012 .6.274.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题教1-4142012.6.285晶体管工艺参数设计，实验室教1-4142012.6.29-2012.6.306绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教1-4142012.7.12012.7.28教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教1- 41420127.39总结设计结果，写设计报告实验室图书馆2012.7.410写课程设计报告图书馆，宿室2012.7.511教师组织验收，提问答辩实验室2012.7.6五、应收集的资料及主要参考文献1半导体器件基础Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年. 3硅集成电路工艺基础，关旭东编著，北京大学出版社，2005年.发出任务书日期： 2012年 6 月 25 日 指导教师签名：计划完成日期： 2012年 7月6日 基层教学单位责任人签章：主管院长签章：广东工业大学课程设计任务书题目名称npn双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级微电子专业09级2班姓 名学 号一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的npn型双极晶体管，满足T=300K时，共基极电流增益a=0.9920，BVCBO=90V, NB=1017cm-3。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3)二、课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。4根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序号设计各阶段内容地点起止日期1教师布置设计任务，讲解设计要求和方法地点起止日期2学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定教1-4142012.6.253设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三3172012.6.264.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题图书馆工三3172012 .6.275晶体管工艺参数设计，教1-4142012.6.286绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教1-4142012.6.29-2012.6.308教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教1-4142012.7.12012.7.29总结设计结果，写设计报告实验室教1- 41420127.310写课程设计报告实验室图书馆2012.7.411教师组织验收，提问答辩图书馆，宿室2012.7.5五、应收集的资料及主要参考文献1半导体器件基础Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年.