网络学院电子电路基础2011年复习1

第一部分半导体基础一 半导体材料的特点 1 当受外界热和光的作用时 它的导电能力明显变化 2 往纯净的半导体中掺入某些杂质 会使它的导电能力明显增强 1 纯净半导体掺入微量的某种杂质 会使它的导电性能增强 2 在纯净半导体中掺入杂质 就会使半导体的导电性能增强 3 在纯净半导体中掺入杂质或升温 都会使半导体的导电性能增强 4 环境温度升高时 半导体材料的导电能力会增强 5 当半导体材料受光照射时 其导电能力会增强 二 本征半导体载流子特点 本征半导体中存在数量相等的两种载流子 即自由电子和空穴 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度 温度越高 载流子的浓度越高 因此本征半导体的导电能力越强 温度是影响半导体性能的重要外部因素 这是半导体的一大特点 在本征半导体中 电子浓度等于空穴浓度 本征半导体的载流子是电子和空穴 本征半导体参与导电通常有两种载流子 当本征半导体温度升高时 电子和空穴数目都增大 在温度升高时 本征半导体中载流子的数量将增大 三 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质 就会使半导体的导电性能发生显著变化 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加 P型半导体 空穴浓度大大增加的杂质半导体 也称为 空穴半导体 N型半导体 自由电子浓度大大增加的杂质半导体 也称为 电子半导体 自由电子称为多数载流子 多子 空穴称为少数载流子 少子 P型半导体中空穴是多子 电子是少子 1 在杂质半导体中 多数载流子的浓度取决于 C A 晶体缺陷B 温度C 杂质浓度D 掺杂工艺2 半导体中的少数载流子产生的原因是 D A 外电场B 内电场C 掺杂D 热激发3 在本征半导体中掺入3价元素就成为 A 型半导体 A P型半导体B N型半导体C PN结D 纯净半导体4 在本征半导体中掺入5价元素就成为 B 型半导体 A P型半导体B N型半导体C PN结D 纯净半导体5 N型半导体可以在纯净半导体中掺入 C 价元素实现 A 3价B 4价C 5价D 6价 四 N型半导体1 电子为多数载流子的杂质半导体称为N型半导体 2 空穴为N型半导体的少数载流子3 自由电子为N型半导体的多数载流子 4 N型半导体的多数载流子为电子 5 N型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度 五 P型半导体1 空穴为多数载流子的杂质半导体称为P型半导体 2 空穴为P型半导体的多数载流子 3 电子为P型半导体的少数载流子 4 P型半导体的多数载流子为空穴 5 P型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度 六 PN结1 当PN结外加正向电压时 扩散电流 漂移电流 耗尽层变窄 A 大于B 小于C 等于D 不确定2 当PN结外加反向电压时 扩散电流 漂移电流 耗尽层变宽 A 大于B 小于C 等于D 不确定3 当PN结外加正向电压时 内外电场方向 A 相反B 相同C 不确定4 当PN结外加反向电压时 内外电场方向 A 相反B 相同C 不确定5 PN结具有 导电特性 A 双向B 单向C 不确定 七 二极管特性1 二极管两端电压大于 时 二极管才导通 A 击穿电压 B 死区电压 C 饱和电压D 放大电压2 当温度升高时 二极管的反向饱和电流 A 增大 B 减小 C 不变 D 无法判定 3 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 大B 小C 相等D 无法判定 4 硅二极管的死区电压是 A 0 1 0 2VB 0 5VC 0 7VD 0 6V 5 锗二极管的死区电压是 A 0 1 0 2VB 0 5VC 0 7VD 0 6V 八 三极管工作区域1 测得三极管发射结反偏 集电结反偏 此时该三极管处于 A 放大状态B 截止状态C 饱和状态D 击穿状态2 测得三极管发射结正偏 集电结反偏 此时该三极管处于 A 放大状态B 截止状态C 饱和状态D 击穿状态3 测得三极管发射结正偏 集电结正偏 此时该三极管处于 A 放大状态B 截止状态C 饱和状态D 击穿状态4 PNP晶体管工作在放大区 三电极电位关系为A UC UE UBB UB UC UEC UC UB UED UB UE UC5 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC 3 3V UB 3 7V UE 3V 则该管工作在 A 放大区B 截止区C 饱和区D 击穿区 九 三极管管型1 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2 8V 3 5V 6V 则这只三极管属于 A 硅PNP型B 硅NPN型C 锗PNP型D 锗NPN型2 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V 11 8V 12V 则这只三极管属于 A 硅NPN型B 硅PNP型C 锗NPN型D 锗PNP型3 在放大电路中 测得三极管三个电极电位分别为12V 11 3V 0V 则该管属于 A 硅NPN型B 硅PNP型C 锗NPN型D 锗PNP型 九 三极管管型4 在放大电路中 测得三极管三个电极电位分别为3 2V 3V 6V 则该管属于 A 锗NPN型B 锗PNP型C 硅NPN型D 硅PNP型5 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为1 7V 1 94V 6 5V 则可判断该管属于 A 锗NPN型B 锗PNP型C 硅NPN型D 硅PNP型 十 三极管管脚1 测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V 2 3V 12V则三极管的三个电极分别是 A E B C B B C E C B E C D C B E 2 测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 6V 2 7V 则三极管的三个电极分别是 A B C E B C B E C E C B D B E C 3 测某放大电路中三极管各极电位分别是0V 6V 0 2V 则三极管的三个电极分别是 A E C B B C B E C B C E D B E C 十 三极管管脚4 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12 2V 12V 0V 则三极管的三个电极分别是 A E B C B C B E C B C E D B E C 5 测得某放大电路中三极管三管脚对地电位分别是2V 2 3V 5V 则三极管的三个电极分别是 A E B C B C B E C B C E D B E C 十一 场效应管1 单极型半导体器件是 A 二极管B 发光管C 场效应管D 稳压管2 绝缘栅型场效应管的输入电流 A 较大B 较小C 为零D 无法判断3 场效应管属于 器件 A 电流控制B 电压控制C 单向导电D 温度控制4 场效应管的热稳定性比双极型三极管的热稳定性要 A 差B 好C 差不多D 无法判断5 场效应管参与导电的载流子是 A 电子B 空穴C 多数载流子D 少数载流子 十二 简答1 二极管的主要技术参数包括什么 最大整流电流 反向击穿电压 反向电流和极间电容 2 简述二极管的典型应用 典型应用包括二极管整流电路 二极管钳位电路 二极管限幅电路 检波 开关元件等 3 常用的特殊二极管有哪些 包括稳压二极管 光电二极管和发光二极管等 4 晶体三极管的主要参数包括什么 集电极最大允许电流ICM 集电极 发射极反向击穿电压U BR CEO 集电极最大允许耗散功率PCM 十二 简答5 简述三极管输出曲线的工作区域与特点 晶体管输出特性曲线分为放大区 截止区和饱和区 放大区 集电极电流IC的大小主要受基极电流IB的控制 随着UCE增加 曲线微微上翘 要求发射结正偏 集电结反偏 截止区 发射结和集电结均为反向偏置 饱和区 IB的变化对IC影响较小 两者不再符合以小控大的倍数关系 发射结正偏 集电结正偏 一般UCE 1V 二极管 死区电压 0 5V 正向压降 0 7V 硅二极管 理想二极管 死区电压 0 正向压降 0 二极管的应用举例1 二极管半波整流 十三 请画出下面电路在正弦信号作用下的输出波形 vo vi vi 0 7V时 D1 D2截止 所以vo vi vi 0 7V时 D1 D2中有一个导通 所以vo 0 7V vo vi 不管输入信号处于正或负半周 负载上得到的都是正向电压 vi vo 实现放大的条件 1 晶体管必须偏置在放大区 发射结正偏 集电结反偏 2 正确设置静态工作点 使整个波形处于放大区 3 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流 4 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压 经电容滤波只输出交流信号 第二部分放大电路基础一 偏置情况1 在固定偏置放大电路中 当RC RB的参数分别为 时 该电路的静态工作点处在放大区 设三极管的 100 A 5 6k 10k B 5 6k 510k C 5 6k 1M A 100k 1M 2 在固定偏置放大电路中 调小偏置电阻Rb的数值 将使静态工作点 A 升高B 降低C 不变D 不定3 在固定偏置放大电路中 调小偏置电阻Rb的数值 容易出现 失真 A 饱和B 截止C 低频D 交越 第二部分放大电路基础一 偏置情况4 在固定偏置放大电路中 调大偏置电阻Rb的数值 静态工作点将 A 升高B 降低C 不变D 不定5 在固定偏置放大电路中 调大偏置电阻Rb的数值 容易出现 失真 A 饱和B 截止C 低频D 交越 二 耦合情况1 影响放大器高频特性的原因 A 极间耦合电容B 发射极旁路电容C 三极管结电容D 温度2 集成运算放大器采用耦合方式是A 变压器耦合B 直接耦合C 阻容耦合D 光电耦合3 在放大电路的耦合方式中 低频特性最好 A 变压器耦合B 直接耦合C 阻容耦合D 光电耦合4 在放大电路的耦合方式中 级间静态工作点会影响 A 变压器耦合B 直接耦合C 阻容耦合D 光电耦合5 影响多级放大器低频特性的原因是 A 极间耦合电容B 晶体管型号C 三极管结电容D 温度 三 三种组态特点与应用1 简述射极输出器的特点与应用输入输出同相 输出电压跟随输入电压 输入电阻较大 输出电阻很小 带负载能力强 应用 1 将射极输出器放在电路的首级 可以提高输入电阻 2 将射极输出器放在电路的末级 可以降低输出电阻 提高带负载能力 3 将射极输出器放在电路的两级之间 可以起到电路的匹配作用 2简述共发射极放大电路的性能特点与应用A 输出信号和输入信号相位相反 B 有电压放大作用 有电流放大作用 C 功率增益最高 与共集组态和共基极组态比较 D 适用于电压放大与功率放大电路 三 三种组态特点与应用3简述共基极放大电路的性能特点与应用4简述晶体管放大电路的三种组态与应用共基极 高频电路 共集电极 电流放大和阻抗匹配电路 共发射极 适用于电压放大与功率放大电路 5如何选择晶体管放大电路的组态 1 三极管放大电路三种组态中 共集电极组态没有电压放大作用 2 三极管放大电路三种组态中 共集电极组态向信号源索取的电流小 3 三极管放大电路三种组态中 希望输入电阻大 输出电压与输入电压同相 可选用共集电极组态 4 三极管放大电路三种组态中 共基极组态的频率响应好 5 三极管放大电路三种组态中 共发射极组态功率放大能力最强 四 放大电路的性能指标放大电路的输入电阻越大 从信号源吸收的电流越小 放大电路的输出电阻越小 电路的带负载能力越强 多级放大电路的电压增益等于各级增益乘积 多级放大电路的输入电阻等于最前级输入电阻 多级放大电路的输出电阻等于末级输出电阻 试述分压式偏置电路中Re和Ce的作用 Re为反馈电阻 稳定静态工作点 Ce为射极旁路电容 使电路在稳定静态工作点同时 放大倍数不下降 五 放大电路要求1 放大电路的组成原则有哪些 A 要求放大电路发射结正偏 集电结反偏 B 输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极 并形成变化的基极电流iB 进而产生晶体管的电流控制关系 变成集电极电流iC的变化 C 输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式 D 信号通过放大电路时不允许出现失真 2 放大电路耦合方式有什么要求 耦合后 各级仍具有合适静态工作点 保证信号在级与级之间能顺利而有效地传输出去 耦合后 多级放大嗲路的性能指标必须满足实际负载的要求 六 如何判断一个电路是否能实现放大 3 晶体管必须偏置在放大区 发射结正偏 集电结反偏 4 正确设置静态工作点 使整个波形处于放大区 如果已给定电路的参数 则计算静态工作点来判断 如果未给定电路的参数 则假定参数设置正确 1 信号能否输入到放大电路中 2 信号能否输出 与实现放大的条件相对应 判断的过程如下 试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号 不能的请说明改正方法 设图中所有电容对交流信号均可视为短路 A 能够构成低频放大电路 注意 Cb不影响信号的传输 B 集电极无直流偏置 可将C2删除 试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号 不能的请说明改正方法 设图中所有电容对交流信号均可视为短路 A 集电极C2错误 其将输出信号旁路 应取消C2 B 电路不符合发射结正偏 集电结反偏原则 可将晶体管换成NPN管 或将电源电压极性取反 但同时要更改电解电容的极性 试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号 请用 或 表示 不能的请说明改正方法 设图中所有电容对交流信号均可视为短路 A 输入信号在基极被旁路 去掉C2 B 电路发射结不满足正向偏置 可将C1移至R1 R2节点前 例题 2 求电压放大倍数 1 电路中 120 UBEQ 0 7V Rb1 100k Rb2 25k Rc 5k Re 1 2k L 5k VCC 15V 求三极管的静态工作点Q