STI工艺等ppt课件

以下是以前工作留下的STI相关学习资料 整理了一下 仅供参考 你们在那家代工厂开发 得和具体工程师讨论 我很多年不做辐照效应了 也没查看相关资料 这方面你们是专家 我仅谈谈一些观点供参考 STI技术 STI工艺步骤STI对器件和隔离影响电离辐照效应看法 WhySTI Technology 0 35umCMOS 0 25umCMOSIsolation LOCOS STILOCOSdrawback 1 Bird sbeak 2 poor planarity 3 FieldoxidethinnerasICscaling down 4 NWE 5 Stress induceddefects STI主要工艺步骤 大部分代工厂用紫色框的步骤 下面给出形貌模拟示意图 Padoxide 110ASiN 1600ASTIdepth 0 4um STI蚀刻形状极为重要 下面会提到 lineroxide trenchliner 200A 1000CdryO2有些用SiO2 SiN复合层 trenchoxide 主要用HDPCVDoxide有些用APCVDoxide 但是用于制作CIS 优点是应力小 缺陷少 漏电流低 CMP后 有些加Oxide干刻蚀 目的为了整个硅片STIoxide高度一致 腐蚀SiN 阱注入 清洗等 栅氧化前 divot 栅氧化和多晶硅后 Goodgapfill Smallbird sbeak Topcornerroundingradius Sidewallslope 70 85o Smalloxiderecess divot Bottomcornerrounding Lessmicro loadingeffect STI形状要求 STI技术 STI工艺步骤STI对器件和隔离影响电离辐照效应看法 Intra wellIsolation STIIsolation 特性表征 Vt Vpt Leakage 寄生NMOSFET在PW内 寄生PMOSFET在NW内 影响STI隔离的主要因素 STI蚀刻 深度和STIlineroxide质量 lessQf Dit 等 STI附近的掺杂分布 N 和N P 和P 间距 Inter wellIsolation wellIsolation 寄生N toNWMOSFET 寄生P toPWMOSFET 特性表征 Vt Vpt Leakage 影响STI隔离的主要因素 STI蚀刻 深度和STIlineroxide质量 lessQf Dit 等 STI附近的掺杂分布 PW NWrecipe thermalbudget N 和NW P 和PW间距 STI RNWE orINWE KinkEffect 可用电场增强或并联寄生STIMOS管模型来解释 Birdbeak下面栅氧较厚 掺杂较重 Kinkeffectordoublehump STIoxiderecessordivotresultsintwoparasiticedgetransistor Sharptopcornerenhancesthefield reduceVtoftheparasitictransistor 以下是相关文献总结 DiodeLeakage TI IEDM 1996 TI IEDM 1997 98 Isolationvs WellE CSE STIdepth 浅结 浅井 深槽 深CS抗闭锁 浅结 浅井 深槽有利于隔离 CS的深度要优化 STImat Depend doublehump TI IEDM 1996 STImat Depend SW Qbd STImat Depend NWE STImat Depend diffsize diodeleakage STImat Depend STIisolation HighTemperatureRe oxidationofSTI Roundtopcorner RepairSidamage DensifyHDPoxide BetterRNCE GOI ReduceWeff 0 15um HTR Bell IEDM 1997 HTR temperatureeffects N toN Isolation Qbd RNCE RNCE HTR lineroxideeffects Bell VLSI 1999 Sacrificialoxide lineroxide DCEHTR Anomalousshortchannelhump Hyundai IRPS 2000 STI技术 STI工艺步骤STI对器件和隔离影响电离辐照效应看法 电离辐射主要影响Si SiO2界面 所以STI周围的gateoxide lineroxide divot形状对器件和隔离的抗辐射能力起主要作用 Lineroxide的抗辐射能力影响wellisolation和STIisolation 辐射后会产生漏电 隔离失效 甚至闩锁效应 Divot深度和divot周围氧化层的辐射正电荷会降低寄生管的Vt NMOS管Vt降低 漏电加剧 特别是小尺寸NMOS Divot周围氧化层的辐照缺陷会加剧MOS器件的热载流子效应 降低使用寿命 工艺加固上 可考虑优化lineroxide和gateoxide条件 减小divot工艺和trenchoxide 以及减少PID plasma induc