图形电镀流程介绍ppt课件

圖形電鍍流程介紹 目錄一 簡介二 流程介紹三 PD与Tenting流程對比四 PD流程示意圖五 PD個性站別作業重點介紹六 PD流程优缺點七 蝕刻因子与補償值 一 簡介 圖形電鍍過程簡介 即在經過一次電鍍銅PCB干膜圖形板上電鍍第二次銅 英文名PlatinginDryfilm 簡稱PD 也叫做PatternPlating 第一次電鍍為一次銅 第二次電鍍為二次銅 圖形電鍍流程設定目的簡介 1 通過調節一二次銅的分配 達到減小蝕刻銅厚 從而降低蝕刻難度 2 克服Tenting流程因干膜附著力不足帶來的線路open 3 克服干膜不能覆蓋保護大的貫孔之缺點 4 克服間距較小易產生曝光short 5 克服干膜越高解析度 而厚度又越薄易破之矛盾 6 減少消耗銅球 降低成本 二 流程介紹 NC鑽孔 高壓水洗 Deburr 除膠渣 Desmear 化學銅 PTH 一次銅 PD前處理 預熱 壓膜 對片 曝光 顯影 二次銅 含鍍錫 除膠 鹼性蝕刻 剝錫 AOI 三 PD与Tenting流程對比 PD流程 NC鑽孔 高壓水洗 Deburr 除膠渣 Desmear 化學銅 PTH 一次銅 PD前處理 預熱 壓膜 對片 曝光 顯影 二次銅 含鍍錫 除膠 鹼性蝕刻 剝錫 AOI Tenting流程 NC鑽孔 高壓水洗 Deburr 除膠渣 Desmear 化學銅 PTH 全板電鍍銅 PanelPlating DF前處理 預熱 壓膜 對片 曝光 顯影 酸性蝕刻 除膠 AOI 四 PD流程示意圖 NC Deburr Desmear PTH 一次銅 壓膜 前處理略 曝光 對片略 顯影 二次銅 鍍錫 除膠 鹼性蝕刻 剝錫 鉛 五 PD個性站別作業重點介紹 一次銅要求 1 在孔內化學銅的基礎上 電鍍一層電鍍銅 确保在PD前處理微蝕及二次銅微蝕中不致孔內銅被咬蝕成破洞 導致貫孔不良 2 因蝕刻銅厚越厚 蝕刻越為困難 所以必須控制在一定范圍以內 3 因二次銅受干膜厚度及板子特性限制 鍍得太多會產生夾膜及孔徑大小异常 二次銅的量不可以無限加大 一般需要一次銅在蝕刻能力范圍內 盡可能多鍍一點 不同線寬蝕刻銅厚 一次銅后表銅 最大值表 若某机种最小線寬5mil 補償值 設定表中可查 3mil 則3mil比原基准補償2mil大1mil 則一次銅后表銅最大值管制上浮1 0 5 0 25 0 5mil 則該机种表銅管制2 2milmax PD壓膜 特點 1 氣源壓較大 2 范圍較大4 5 6 0kg cm2 氣源壓較大原因 Tenting做法 壓膜壓力過大會造成孔口膜破 所以其難以通過提高壓膜壓力來提高干膜附著力 而壓膜壓力又是一個提高干膜附著力的十分顯著的因素 PD做法 壓膜壓力過大孔口膜破只會對不貫孔產生影響 風險性不大 而且PD用的干膜厚度一般都在2mil以上 即使壓膜壓力大一點 也不會造成孔口膜破 范圍較大原因 是因實際作用到板子上的壓強會隨板幅變化 PD顯影 因PD顯影后 板子還要進行電鍍 若顯影不盡或清洗不干淨會導致電鍍受阻或電鍍凸起 引起電鍍粗糙 所以控制要比Tenting來得嚴格 顯影點抓取要以全程法 即最大速度法 抓取 方法如下 全程法 選擇某一速度顯影1pnl某一厚度干膜 控制板面干膜覆蓋率約30 60 根据板面殘留干膜圖形調整顯影均勻性 通過調整噴壓 直至均勻性OK 然后依次降低0 3m min速度再顯影1pnl确認均勻性並作調整 直至找到某一速度恰好使板面殘留干膜覆蓋率0 5 左右 然后以該速度乘以55 即為該厚度干膜生產選用速度 水洗量 水質及新液自動添加量要保証 水洗量不足會導致顯影sludge殘留 水質太臟會污染板面 足夠的新液自動添加量可以減少顯影sludge后帶 減小水洗壓力 導致主要不良 1 二次銅粗糙 顯影水洗不淨 2 干膜漂移 3 顯影未淨 二次銅 特點 1 因板子兩面圖形不同 在同一電流密度下 兩面電流不等 所以不能用同一整流器同時給板子兩面提供電流 必須板子兩面各用一個整流器控制 2 前處理有微蝕槽以提高板面新鮮度 增強一二次銅間結合力 3 線上有鍍錫槽 以提供鹼性蝕刻時的錫抗蝕層 導致主要不良 1 夾膜 2 PD貫孔不良 鹼性蝕刻 特點 1 溶液為弱鹼性 2 不能用一般干膜作為抗蝕層 抗蝕層一般為電鍍錫或錫鉛 3 對電鍍金 化學鎳金及電阻材料攻擊性較小 可以利用這一特性制作一些特殊板子 電鍍金 化學鎳金在鹼性蝕刻時被當作抗蝕層利用 導致主要不良 1 阻抗不符 2 蝕刻過度 3 蝕刻不全 槽液特性 因銅离子与OH 根會產生沉淀 所以必須控制好溶液中NH3 OH 的濃度平衡 否則會導致沉淀死槽 如何保証槽液穩定性 依比重自動添加新液 子液 不含銅离子 生產槽內藥水 母液 會隨蝕刻的進行銅离子會增加 比重會增加 當高于設定值時 就會啟動自動添加系統 浮球比重自動添加系統一般工作原理圖 電磁閥 液位 浮球 鹼性蝕刻反應机理 2Cu 2Cu NH3 4Cl2 4Cu NH3 2Cl4Cu NH3 2Cl 4NH3 4NH4Cl O2 4Cu NH3 4Cl2 2H2O蝕刻藥水以Cu NH3 4Cl2為咬蝕劑 O2為再生劑 六 PD流程优缺點 优點 1 貫孔大小作業不受限制 干膜Tenting大孔易膜破 如 板邊電鍍Slot孔 2 可以作業沒有ring的貫孔 在DF作業則干膜沒有Tenting位置 3 因一次銅電鍍較少 銅厚均勻性對其影響較小 4 對偏破不會造成貫孔不良 5 對減少細密集線路open 有一定幫助 缺點 1 風險性較大 當蝕刻初片發現問題時較難挽救 2 二次銅易夾膜導致除膠困難 3 對板子的形態選擇性較強 一般殘銅率較小的板子不适合走PD流程 4 鍍錫易出現异常 產生PD貫孔不良 5 蝕刻速度較快 不貫孔內物質易蝕刻不盡 給后制程造成影響 七 蝕刻因子与補償值 蝕刻因子 原始蝕刻因子 側蝕寬度a 正蝕深度h Dryfilm Cu 基板 蝕刻因子 h a 實際蝕刻因子 h a 實影 虛影 蝕刻因子 h a 補償值 就是因為蝕