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1,.,第一章常用半导体器件,2011年9月,习题解答,2,.,N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。,P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半导体。,微变电阻rd,PN结的电流方程,常温下（T=300K）UT26mV,PN结正向偏置P正N负,导通PN结反向偏置P负N正，截止,稳压管：稳定电压UZ，稳定电流IZ、额定功耗,3,.,三极管：由两个PN结背靠背组成结构特点,符号,IE=IC+IB,4,.,输入特性曲线,导通压降：硅管UBE0.60.8V,锗管UBE0.10.3V,开启电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,5,.,输出特性曲线,IB=0,20A,40A,60A,80A,100A,放大区IC=IB,截止区,IB0,IC0,饱和区ICIB,临界饱和UCE=UBEUBC=0,6,.,输出特性三个区域的特点:,(1)截止区：发射结反偏UBE3.7V时，D1导通，D2截止，U0=3V+0.7V=3.7V,二极管正向导通反向截止,Ui-3.7V时，D1截止，D2导通，U0=(-0.7V)+(-3V)=-3.7V,-3.7VVeSi管:Vbe=0.7VGe管:Vbe=0.2V,PNP型VeVbVcSi管:Vbe=-0.7VGe管Vbe=-0.2V,24,.,1.10电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V,=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值,解：（1）当VBB0时，T截止,IB=0,IC=0,uOVCC-ICRC=VCC=12V,（2）当VBB1V时，因为,（3）当VBB3V时，因为,ICQICM所以T处于放大状态,VCC,T处于饱和状态,25,.,例：电路如图所示，试问大于多少时晶体管饱和？,解：临界饱和时UCESUBE=0.7V,所以，,时，管子饱和。,26,.,1.11电路如图所示，晶体管的50，|UBE|0.2V，饱和管压降|UCES|0.1V；稳压管的稳定电压UZ5V，正向导通电压UD0.5V。试问：当uI0V时,uO？当uI5V时,uO？,解：当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。,当uI5V时，,晶体管饱和，uOUCES=-0.1V。,或者：,晶体管饱和,27,.,1.12分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作
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