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文档简介

6.1JEFT的概念6.2器件的特性6.3非理想因素,第六章结型场效应晶体管,6.1.1pnJFET的基本结构,6.2器件的特性,6.2.1内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压,内建夹断电压：,夹断电压：,耗尽层宽度：,y处电流,均匀分布情况,6.2.3MESFET基本结构,MESFET工作原理,E型MESFET开启电压,6.3非理想因素,6.3.1沟道长度调制效应,其中，沟长调制系数,6.3.2速度饱和效应,6.3.3亚阈值电流,亚阈值电流主要是扩散电流,习题,1（a）画出p沟道JFET结构的能带图（b）定性地讨论I-V特性，包括电流方向以及电压特性2考虑一个n沟道JFET，它具有以下参数：Na=31018cm-3，Nd=81016cm-3，a=0.5m。（a）计算内建夹断电压（b）计算未耗尽沟道宽度为0.20m时所需的栅极电压3N沟道硅MESFET的沟道长度是L=2m。假定沟道中水平电场的均值是E=10kV/cm。计算如下情况时电子在沟道中的传输时间：（a）迁移率为常数n=1000cm2/Vs（b）速度达到饱和,
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