《数字电子技术基础-刘如军》ch

3.6只读存储器（ROM）,分类,掩模ROM,可编程ROM（PROMProgrammableROM）,可擦除可编程ROM（EPROMErasablePROM）,说明:,掩模ROM,PROM,生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定，不能更改,内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改,紫外光擦除（约二十分钟）,EPROM,存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读,EEPROM或E2PROM,电擦除（几十毫秒）,3.6.1ROM的结构和工作原理,1.基本结构,一、ROM的结构示意图,地址输入,数据输出,n位地址,b位数据,最高位,最低位,2.内部结构示意图,存储单元,数据输出,字线,位线,地址译码器,ROM存储容量=字线数位线数=2nb（位）,地址输入,3.逻辑结构示意图,(1)中大规模集成电路中门电路的简化画法,连上且为硬连接，不能通过编程改变,编程连接，可以通过编程将其断开,断开,与门,或门,缓冲器,同相输出,反相输出,互补输出,(2)逻辑结构示意图,2n个与门构成n位二进制译码器,输出2n个最小项。,.,n个输入变量,b个输出函数,或门阵列,与门阵列,二、ROM的基本工作原理,1.电路组成,二极管或门,二极管与门,位线,字线,输出缓冲,2.工作原理,输出信号的逻辑表达式,字线：,位线：,输出信号的真值表,0101,A1A0,D3D2D1D0,1010,0111,1110,3.功能说明,(1)存储器,(2)函数发生器,地址,存储数据,输入变量,输出函数,(3)译码编码,字线,编码,0101,1010,0111,1110,A1A0,00,01,10,11,输入变量,输出函数,3.6.2ROM应用举例及容量扩展,一、ROM应用举例,用ROM实现以下逻辑函数,例3.6.2,Y1=m(2,3,4,5,8,9,14,15）,Y2=m(6,7,10,11,14,15）,Y3=m(0,3,6,9,12,15）,Y4=m(7,11,13,14,15）,译码器,编码器,二、ROM容量扩展,1.存储容量,存储器存储数据的能力，为存储器含存储单元的总位数。,存储容量=字数位数,字word,位bit,1k1:1024个字每个字1位存储容量1kB1=1kB,1k4:1024个字每个字4位存储容量1kB4=4kB,2568:256个字每个字8位存储容量256B8=2kB,64k16:64k个字每个字16位存储容量1024（1M）B,2.存储容量与地址位数的关系,存储容量2564,8位地址,256=28,4位数据输出,存储容量8k8,8k=8210=213,13位地址,8位数据输出,3.常用EPROM,2764：,27128：,A0A12,8k8(64k),13位地址输入：,8位数据输出：,O0O7,输出使能端,1输出呈高阻,0使能,片选端,ROM工作,（任意）ROM不工作输出呈高阻,16k8(128k),16k=16210=214,27256：,32k8(256k),32k=32210=215,2764,0,1,其他常用的EPROM,4.ROM容量的扩展,地址总线,8位数据总线,16位数据总线,D(70),D(158),8位16位,地址线合并（共用）,输出使能端、片选端合并（共用）,数据输出端分为高8位和低8位,方法,(1)字长的扩展（位扩展）：,(2)字数的扩展（地址码的扩展