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文档简介
第四单元半导体二极管和三极管复习,第一节半导体的基础知识,第二节半导体器件的核心PN结,第三节:半导体二极管,第四节:特殊半导体二极管,第五节:半导体三极管,第六节:基本放大电路,半导体的导电能力半导体的特性什么是本征半导体什么是本征激发、复合半导体内部存在几种导电方式杂质半导体可以分为几种半导体器件的核心PN结中内电场的方向PN结最重要的特性,绝缘体0.5V时,则三极管工作在()A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区(5)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小(7)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为。A.83B.91C.100,(8)用万用表R1K电阻档测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000,这说明该二极管()A、短路B、完好C、开路D、无法判断,C,(9)某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V,UB=4V,UE=0V,由此可判别三极管(),A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏,D,(10)稳压二极管电路如图,稳压二极管的稳压值UZ=6.3V,正向导通压降0.7V,则UO为()。A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V,C,(11)稳压管()A、是二极管B、不是二极管C、是特殊的二极管,C,12、由锗二极管VD,电源E和电阻R(R=3k)组成电路所示,该电路中电流比较准确的值是()A、0B、0.27mAC、0.4mAD、0.5mA,C,13、某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20,则它的集电极电流等于()mA.A、0.98B、1.02C、0.8D、1.2,A,综合题,1、图示电路,判断各二极管处于何种工作状态?设UF=0.7V,求UAO=?,解:图(a)所示电路中,二极管VD阴极电位为12V,阳极电位为15V,二极管VD反偏截止。电路输出电压UAO=12V。,图(b)所示电路中,二极管VD2阴极电位为9V,阳极电位为12V,二极管VD2反偏截止。而二极管VD1阴极电位为9V,阳极电位为0V,二极管VD1正偏导通,二极管VD1两端电压钳制在0.7V,电路输出电压UAO=0.7,2、桥式整流电容滤波电路如图示电路,设U0=24V,RL=300。求U2=?,解:UO(AV)=1.2U2U2=UO(AV)/1.2=20V,3、测得放大电路中三只晶体管三个电极的直流电位如下图所示。试分别判断它们的管型(NPN、PNP)、管脚以及所用材料(硅或锗)。,NPN硅管,PNP锗管,PNP锗管,NPN型管和PNP型管工作在放大状态时,电位满足如下关系:,硅管导通时UBE大约为0.7V,锗管导通时UBE大约为0.3V。根据上图,T1管有两个极的电位相差0.7V,所以T1应为硅管,而T2和T3管均有两个极电位相差为0.3V,所以T2和T3管为锗管。因为T1管另一个极电位最高,为集电极,可判断为NPN型管;T2和T3管另一个极电位最低,为集电极,所以为PNP型管,NPN型:集电极电位最高,发射极电位最低,UBE0;PNP型;发射极电位最高,集电极电位最低,UBE0。,4、电路如图所示,已知ui10sint(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。,5、电路如图所示,已知ui5sint(V),二极管导通电压UD0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。,6、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?,解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。,【解】,6、在图所示的共射放大电路中,UCC=24V,RB1=33k,RB2=10k,RC=3.3k,RE=1
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