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文档简介
400元进口电子管功放MRF154在固态线性功放中的应用 :TM :A :1007-0745(xx)08-0161-01 摘要:介绍了一种新型的大功率场效应管MRF154的技术参数和特点,给出了由MRF154 组成的一款推挽式高频功率放大器的具体电路,对该电路进行了详细分析,并对实际应用中的有关工艺问题和散热问题作了说明。 关键词:MRF154 功率放大器 射频通路 直流偏压 散热 一、概述 随着高频功率晶体管价格的不断降低,固态大功率线性放大器在无线通信领域也越来越流行,尤其是射频功率场效应管的应用在近几年得到了很大的发展。与双极晶体管相比,场效应管具有更高的输入阻抗、具有更小的反馈电容(c-b或d-g极间电容)、更好的热稳定性、抗辐射性和较低的噪声。MRF154是Motorola公司开发的一种线性大功率、N沟道增强型MOS场效应管,常用于线性及非线性功率放大电路的研发设计。 二、应用电路 图1所示是使用一对MRF154的优化宽带功放电路的电路原理图,它的工作频率为250MHz,推挽输出功率容量为1.2KW,考虑到输出匹配的影响和互调失真的要求,该电路的实际输出功率大约为800W左右。 图1 250MHz放大器电路图 3.1 直流偏压电路 图1中的g极直流电压校准器(IC1)采用可调电压或固定的电源电压,只有保持场效应管的g极直流偏压和空载电流为常数即可。由于IC1的最大工作电压只有40V,因而本电路中使用了一个齐纳二极管(DI)来保证它的安全。为了稳定温度变化时的空载电流,安装时通常要求热敏电阻R9在物理连接上应与场效应管的安装盘良好接触。 场效应管的g极电压应分别可调(可通过图1中的R1和R2来进行),以使g极开启电压与场效应管相匹配。R10、R11和C3、C4组成RC滤波器,这样,在出现很强的射频磁场时,利用它们可以保护电压校准器。为了调整空载电流,R1和R2必须调到最小值,然后调节R3以使电压校准器的输出电压(IC1的3脚)约为场效应管g极门限电压的两倍。在调节R1以获得所需的空载电流时,应严密监测主电源电压端的电流,并使其典型值处于800mA1A之间,然后调节R2使该电流值加倍,这样就可以使两个场效应管的空载电流相等。当全部调整完以后,R1R3的状态应保持不变。 3.2 射频通路 本放大器被设计成标准的50输入/输出界面,并用宽带射频变压器来实现与场效应管的低阻抗匹配,输入变压器(T1)和输出变压器(T2)都是所谓的传统型变压器。输出阻抗变换器的阻抗比一般为1:4、1:9和1:16。其中1:9的阻抗变换器在800W1000W输出时可以达到最佳匹配,而在输出较低功率时效率较差,这时可以采用降低电源电压的方式来提高效率。 为了更方便地调谐,可以在变压器T1的前端焊接一个云母微调电容器。并可在场效应管的d极端线旁的输出变压器每一边的电路板金属箔上开槽,以增大某些高频窄带应用时的串联电感,这样可以减小场效应管的部分输出容量而使得效率提高。但是,在频率较低时(80MHz以下),由于它们会增加内阻损耗,故应短接。C9的定位应选择在合适的位置,否则将影响到30MHz以上频率时的输入驻波比(VSWR)。 旁路电容C10C12必须选择高Q值的电容。在电路平衡时,T2的中心抽头应无射频信号,但实际情况并非如此,在某些情况下这些电容器可辅助完成电路平衡。有L3和C13构成的一个附加滤波器可防止射频能量反馈到电源上,需要特别注意的是,开关电源对射频信号特别敏感,因此,实际电路中有可能会被它毁坏。 反馈网络L1R14和L2R15用于提供反馈,目的是对频率响应产生一个相对平坦的功率增益。同时改善输入回波损耗,以稳定放大器在低频的增益,如果没有这些反馈网络,放大器在低频段的功率增压只有2530dB。这些反馈量在高频端时最小,低频端时最大,它们的绝大部分功率耗散在R14和R15上。 四、散热问题 本放大器在50%效率的情况下,每个场效应管将耗散500W的热量,因此场效应管必须安装在具有低热阻的铜热扩散器上,然后将铜热扩散器紧贴在一个稍差的热阻材料制成的散热片上(例如铝)。散热器至少三面应超过场效应管安装盘面边缘大约3mm,可以将热扩散器与放大器本身做成一样大小,这样可以时所有的PCB电路板垫片具有相同的高度。铜热扩散器,全部热界面必须涂抹导热硅脂或强力散热膏。场效应管的安装工艺应按要求进行,其中包括螺丝的转矩。 五、结束语 本文详细介绍了一种新型的1KW短波宽带固态线性功率放大器的电路形式和工艺方法,可以看出,本放大器在中、大功率等级的短波发信机中具有很高的实用价值。 尽管本放大器在30MHz及以上频率时,所有的谐波都被抑制在基波以下25dB或更多,但是为了更好地提高整机的谐波抑制和杂散性能,使用时可以在本放大器输出端加一个高功率的滤波器。 _: 1Motorola Inc.Semiconductor Sector Application Notes AN-749.AN-758.AN-347.1990 2RF Power Fied Effect Transistor MRF154.Motor
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