晶体管的开关特性_第1页
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文档简介

晶体管的频率特性,理学院,4.3晶体管的开关特性,一、晶体管的开关作用二、晶体管的开关过程三、提高开关晶体管开关速度的途径,一、晶体管的开关作用,1.晶体管的开关作用,1.开关管的要求：Vces越小越好，最好0Iceo越小越好，最好0BVceo高（使用范围大）开关时间短,导通,2.晶体管的开关区域,3.截止区和饱和区的少子分布,截止区,Vbe0(A)Vbc0Vbe=0(B)Vbc0,Iceo,饱和区,（1）饱和的原因,定义：临界饱和状态,放大区饱和区,（2）少子分布,线性放大状态,临界饱和状态,饱和状态（超量储存电荷）,（3）电流传输,过驱动电流,定义饱和深度,二、晶体管的开关过程,二、晶体管的开关过程,二、晶体管的开关过程中的少子分布,1、延迟时间td,缩短延迟时间td的方法：减小发射结势垒电容减小集电结势垒电容增大基极注入电流，使势垒电容充电进程加快减小反向脉冲幅度,2、上升时间tr,2、上升阶段基区少子分布,0,请注意这是在线性区阶段的少子分布图,缩短上升时间tr的方法：减小发射结势垒电容减小集电结势垒电容增大基极注入电流，但要注意深饱和增大基区少子寿命，减小基区复合电流,3、存储时间ts,抽取基区和集电区超量储存电荷,减小存储时间的途径：减小基极驱动电流增大基极抽取电流缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命,4、下降时间tf,减小下降时间的途径：减小发射结和集电结势垒电容增大基极抽取电流缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命,三、提高开关晶体管开关速度的途径,1、从晶体管内部考虑,掺金，减小饱和时超量存储电荷，加速集区复合,减小结面积,减小基区宽度，降低tr和tf,2、从晶体管外部考虑,加大IB，缩短td和tr，但避免过大使饱和深度S
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