薄膜材料物理第三章金属薄膜的导电_第1页
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第三章金属薄膜的导电第五讲,电阻来源：晶格振动声子散射；杂质杂质散射；缺陷缺陷散射；晶界晶界散射。薄膜特点：连续膜表面散射；网状膜细丝周界散射，接触散射；岛状膜电子隧道。由此可见，电阻的物理根源多于块状。薄膜的成膜过程：岛状薄膜网状薄膜连续薄膜,3.1岛状薄膜的电阻电阻规律：电阻率比连续膜大几个数量级；电阻温度系数为负；低场强下，服从欧姆定律（V-A）;高场强下，非线性关系（V-A关系）。有关岛状薄膜的电导理论有：热电子发射理论；肖特基发射理论；活化隧道理论；允许态间隧道理论；经基片和陷阱的隧道理论。,3.1.1热电子发射理论物理模型：金属岛中电子随温度增加，其动能增加。当其动能大于逸出功时，电子便逸出金属表面，E外定向流动。计算单位时间内逸出金属单位表面的电子数。由固体物理学得知，在金属单位体积内，微分能量元dE中的电子能态数为：,3.1.2肖特基发射理论引入镜像力和外加电场的影响，修正上述中的势垒镜像力：若发射出的电子（-q）在x处如图，则在一x处感应出一个正镜像电荷（+q），两电荷间的库伦力为：电子在x处的势能为：,3.1.3活化隧道理论该理论认为：电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛，因而使原来的一些带有
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