结型场效应晶体管

第七章结型场效应晶体管,讨论主题：,1.场效应晶体管介绍2.JFET工作原理3.JFET的直流特性4.绝缘栅场效应晶体管,1.场效应晶体管介绍,什么是场效应管?场效应晶体管【FieldEffectTransistor缩写(FET)】简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.,D,S,电流,电场,1965年，按照摩尔老先生在文章中提出，芯片上集成的晶体管数量大约每18个月就将翻一番。,1971年，Intel发布了第一个微处理器4004。4004采用10微米工艺生产，仅包含2300多个晶体管，时钟频率为108KHz。,1974年，主频为2MHz的8位微处理器8080问世，它采用6微米工艺，集成了6000个晶体管。由于它采用了NMOS（N沟道MOS）电路，因此运算速度比8008快10倍，后者采用了PMOS（P沟道MOS）电路。之后，在1978年Intel又陆续推出了8086处理器，这时工艺已经缩减为3微米工艺，含2.9万个晶体管，频率有4.77MHz、8MHz和10MHz。,到了1983年，Intel首次推出了新型处理器286，它含有13.4万个晶体管，频率为6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。随后1985年，推出了386处理器，含27.5万个晶体管，频率为1633MHz，具备初级多任务处理能力）等处理器。1989年，Intel发布了486处理器。这款经过4年开发和3亿美金投入的处理器首次突破了100万个晶体管大关，主频也从25MHz逐步提高到33MHz、40MHz、50MHz、66MHz，此时，处理器工艺已经全面采用了1微米工艺，并且在芯片内集成了125万个晶体管，这时芯片内的晶体管数量已经超过了Intel4004处理器内晶体管数量的五百倍。,直到1993年，采用800纳米的奔腾（Pentium）的出世，让CPU全面从微米时代跨入了纳米时代。奔腾含有310万个晶体管，代表型号有Pentium60（60MHz）和Pentium66（66MHz）。此后，Intel又推出了奔腾75MHz120MHz，制造工艺则提高到500纳米，此后CPU发展直接就跳转至350nm工艺时代。,PentiumMMX,Intel于1996年发明在0.35微米工艺的帮助下，工作频率突破了200MHz,0.35um,0.25um,0.18um,1997-2002（.35&.25&.18时代）,0.13um2002年,0.045um2008年,0.09um,双极型晶体管和场效应晶体管的异同：对比双极和FET:速度,功耗,应用,工艺水平,控制方式(电压/电流).,场效应管的分类:,场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。,2.JFET基本原理,S,D,G,理想对称结构结型场效应晶体管JFET,J:junctionF:fieldE:effectT:transistor,MetalP+-SiN-SiN+-Si,S,D,N沟道JFET正常状态下的偏置方式,P+NP+,G,IDS/mA,VDS/V,非饱和区,饱和区,击穿区,VGS=0,a,b,c,VDSat,IDS/mA,VGS/V,VP,IDSS,转移特性与输出特性密切相关,N管：VP0当VGS=VP沟道被夹断,0.7,VGS=0VDS很小,S,D,P+NP+,G,S,P+NP+,G,P,VGS=0VDS=VDSat,D,VGS=0VDSVDSat,S,D,P+NP+,G,P,3.直流特性,1.PN节空间电荷区宽度和电压关系2.开始导通和饱和的原理定义夹断电压:在源漏电压为0时,使沟道完全闭合的电压,导通栅源阈值电压:饱和漏源电压:,饱和区工作条件:,非饱和区工作条件:,非饱和区电流公式：,其中,是两个冶金结间形成沟道之电导,VD是结接触电势差,饱和电流公式：,其中,是最大饱和漏极电流,是本征夹断电压，漏源电压为零时栅结耗尽层穿通整个沟道所需的栅源电位差,最大饱和电流：,跨导定义：,非饱和区跨导：,饱和区跨导：,最大饱和区跨导：,最小沟道电阻Rmin,从输出特性看几个参数,IDS/mA,VDS/V,非饱和区,饱和区,击穿区,VGS=0,a,b,c,VDSat=7v,VGS=-1,VGS=-2,VGS=-3,总结,对比双极晶体管和场效应晶体管理解JFET的工作原理掌握JFET工作在不同区域的条件，以及夹断电压的定义了解JFET的电流公式，饱和电流公式，最大饱和电流公式，最大跨导公式（电阻），以及影响它们的条件,4、绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,场效应管是利用电场效应来控制半导体中的载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱的改变而变化的电压控制电流的放大器件。其英文名称为：MetalOxideSemiconductorFiledEffectTransistor，缩写为MOSFET场效应管是的外型与晶体管（三极管）相似，但它除了具有三极管的一切优点以外，还具有如下特点：,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,它是以块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,基本上不需要信号源提供电流输入阻抗很高（可达1091015）受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等；只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,场效应管的分类,按封装形式分：塑料封装和金属封装按功率大小分：小功率、中功率和大功率按频率特性分：低频管、中频管和高频管按结构特点分：结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET）按导电沟道的不同还可分为：N沟道和P沟道，而绝缘栅型又可细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型两种。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,N沟道增强型绝缘栅场效应管结构及符号,它是以块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,绝缘栅场效应管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。,N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理,1.UGS=0时，没有导电沟道,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,当栅源短路(即栅源电压UGS=0时，源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背约PN结，不管ED的极性如何，其中总有一个PN结是反偏。如果源极S与衬底相连接地，漏极接电源的正极，那么漏极与衬底之间的PN结果也是反偏的，所以漏源之间没有形成导电沟道，因此漏极电流ID=0(相当于漏源之间的电阻很大)。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,当栅源之间加反向电压(栅极接正极，源极接负极)，则栅极(铝层)和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平行板电容器，在栅源电压作用下，产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。,2.UGSUGS（th）时，出现N沟道,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,当栅源电压UGS达到一定数值时。这些电子在栅极附近的P型硅片表面形成一个N型薄层，将漏极和源极沟通，称为N沟道。由于此沟道是由栅源电压感应产生的，所以又称为感生沟通，如图所示。另一方面，由于它与P型衬底型别相反，所以，又称它为反型层。显然，栅源电压愈强，感生沟道（反型层）愈厚，沟道电阻愈小。这种在UGS=0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压才能形成感生沟道的场效应管，称为增强型绝缘栅场效应管。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,一旦出现了感生沟道，原来被P型衬底隔开的两个N+型区(源极和漏极)，就被感生沟道连在一起了。因此，在漏源电压的作用下，将有漏极电流ID产生。一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压，叫开启电压UGS（th）。,绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理,增强型场效应管只有在只有在UGSUGS（th）时，调节UGS，改变导电沟道的厚度，从而在相同的UDS作用下，有效的控制漏极电流ID的大小。,工作原理总结,绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线,转移特性N沟道增强型MOSFET的转移特性如图所示。其主要特点为：(1)当uGSUGSth时，iD0，uGS越大，iD也随之增大，二者符合平方律关系，如下式所示。,N沟道增强型MOSFET的转移特性,绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线-输出特性,N沟道增强型MOSFET的输出特性如图所示。它分为恒流区、可变电阻区、截止区和击穿区。其特点为：,（1）夹断区（截止区）,当UGSUGS（th）时，反型层导电沟道被完全夹断，ID=0，场效应管处于截止状态。,(2)可变电阻区,在此区域内，UDS很小，导电沟道主要受UGS的控制。,绝缘栅型场效应晶体管-特性曲线,当UDS较大时，出现夹断区，ID趋于饱和。,(3)恒流区,在一定的UGS下，当UDS增大道一定程度时，漏极电流急剧增加，称为场效应管被击穿。,(4)击穿区,绝缘栅型场效应晶体管-主要参数,当UDS为某一固定数值时，使沟道将漏、源极连结起来的最小的栅源电压UGS就是开启电压UGS（th）它只适用于增强型场效应管。,开启电压UGS（th）,最大漏源电压是指漏极电流开始急剧上升