石墨烯基本知识

-是啊，芬恩，王东2010年10月。研究报告的主要内容，石墨烯的基本知识对其项目的研究进展提出了几点建议。石墨烯的基本原理，c元素的同种异形，石墨(石墨)层结构，每层碳为6字环，上下相邻层在平行网状方向上相互移动后形成叠层结构，位移的方向和距离不同时形成不同的多重结构。四个碳原子占据四面体顶部的钻石四面体结构。格里芬的基本知识分子富勒烯，C60球棒模型，1985年英国化学家哈罗德沃特波博士和美国科学家理查德莫莉等在氦流中用激光汽化实验制造了最初的60个碳组成的碳簇结构分子C60。克罗托1996年获得了诺贝尔化学奖。接着，由C70等非平面型5元环、6元环等组成的封闭型中空球体或椭球结构的共轭烯烃结构被命名为建筑学家富勒烯，并依次被发现。以石墨烯的基本知识，碳纳米管(CarbonNanotube)在1991年日本NEC基础研究实验室的电子显微镜专家鲍勃(Iijima)用高分辨率透射电子显微镜检查来自石墨弧设备的球形碳分子时，偶然发现了由管状同轴纳米管组成的碳分子，这是目前“carbon nannotube”碳纳米管一般分为单壁(右上)和多壁(右下)两种。格莱芬的基本知识分子格莱芬(Graphene)2004年，曼彻斯特大学游戏教授、诺希洛夫博士和同事们用微机械剥离法将分层石墨拉开，发现了二维碳原子平面结构格莱芬。高分辨率STM照片a)石墨b)单层石墨烯，3个c原子，6个c原子。石墨烯的基本知识，石墨烯的发现，所谓的“热力学波动不允许二维晶体在有限温度下自由存在”*的原始认识动摇了整个物理界。结果发现者A.K.Geim和K.S.Novoselov获得了2008年诺贝尔物理学奖的提名。* novosloks、gei mak、firsovaa。科学、2004、3066366066-669。格莱芬的基本知识，A.K.Geim和K.S.Novoselov获得了2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯的基本知识，石墨烯是什么？Graphene-ene是c原子由SP2电子轨道杂化形成的蜂窝状准二维结构，是c元素的另一个同构。A.K.Geim教授认为，我们认为，石墨、碳纳米管、富勒烯等c的三维结构是单层石墨烯(SG)通过某种变形形成的。石墨烯的基本知识，单层石墨烯，富勒烯，碳纳米管，石墨，akgeimksnovosetlov。nature materials，2007，6333690183-191，石墨烯的基本原理，石墨烯的稳定性完美的二维晶体在有限温度下不稳定存在，因此，最近的理论模拟和透射电镜实验结果提出了石墨烯平面中存在纳米大小微失真的可能解释。nano letters，2009，9 (5) :129-2132，聚合物中石墨烯的相变。a)加热前；b)加热后，石墨烯的基本知识、石墨烯的类型、单层图形(SG)、bi-layer图形(BG)、few-layer图形(fg)(fg)，晶圆级石墨烯，SiC基板热分解2009，美国伯克利大学，伯克利，康斯坦丁等，graner graner，nather，2009，8(3)33603203-207，报道了晶片grappin，CVD外延目前Au，Ag，Pt，Cu，Fe，Co，Ni，Ir，Ru等过渡金属催化CVD方法准备了石墨烯。但是，c和金属溶解量限制了石墨烯的层数。金属晶界缺陷限制了石墨烯的面积。对于Fe、Ni、Ir等c溶解量大的金属，准确控制层数是关键。对于Pt、Cu等c溶解量低的金属，应进一步减少晶界对石墨烯均匀性的不利影响。，晶片级石墨烯，2009年美国德克萨斯大学XuesongLi等在25um厚的铜箔上以CVD方式制造了直径300mm的石墨烯，其中单层石墨烯超过95%，克服了铜晶界的影响，实现了大面积连续。双门FET场感应电子迁移率4050cm2V-1s-1。SEM模式a1 minb 2.5m inc10 mind 60 min，science，2009，324 (6) :12-1314，晶片级耶芬，桑孙，graphin评级，2009年，采用spincoating的方法，包括美国Rutgers大学的HisatoYamaguchi。园林级石墨烯，进步突破了大规模极限，层数控制在一定范围内，产率高。问题级别控制仍然是一个课题，缺陷需要进一步降低。未来开发级别控制；4-12英寸(CVD)，2-6英寸(sic)；CMOS和高频设备；其他用途。石墨烯项目的个人想法，石墨烯研究核心相关设备(MOCVD)石墨烯材料和基于GaN的宽带间隙半导体材料之间的明显区别，MOCVD外延在CVD扩展中对设备的要求更高(精度、可控性)，特别是对过渡金属沉积和石墨烯形成两个关键阶段的可控性。对石墨烯项目的个人想法，反应室结构设计适合于石墨烯级石墨烯生长转变族金属选择，c溶液小转变金属直接影响石墨烯的均匀性和层数，主要工艺压力，流量，温度，上升/冷却速度等因素。个人对石墨烯项目的想法，Cu-C合金相图，个人对石墨烯项目的想法，Fe-C合金相图，个人对石墨烯项目的想法，Cr-C合金相图，个人对石墨烯项目的想法，Ni-C合金相图，个人对石墨烯项目的想法，Ir-C合金相图，个人对石墨烯项目的想法，Ru-C合金相图，对石墨烯项目的个人想法，Pt-C合金相图，对石墨烯项目的个人想法，Au-C合金相图，对graphin项目的个人想法。石墨烯级石墨烯、MOCVD或CVD外延，是实现晶片级石墨烯的最有希望的方法之一，为了精确控制层数，必须慎重选择过渡族金属，关注与c的溶解度，以及金属膜厚度。如上所述，Cu、Pt、Ir、Ru等金属在大约1000 时与c一起溶解得相对较少，与c雇佣性大的金属相比，c的固体量更容易控制，而c的固体量决定了外延厚度(层数)。个人对石墨烯项目的想法，理论上对石墨烯的能带调整(Dirac点)、输运特性、光学和磁性等研究方向没有优势。但是石墨烯的掺杂可以进行一些探索。只是担心理论指南不足，只能进行工艺探索。对石墨烯项目的个人想法，器件方面是我们基于GaN的HEMT器件，石墨烯研究可以做两件事。一是基于带隙调制的石墨烯通道装置开发工作；二是进行以石墨烯为透明电极的研究。在对石墨烯项目的个人想法、石墨烯高温热解的现有研究的基础上，进一步探索石墨烯的层控制和缺陷抑制机制，3英寸石墨烯级石墨烯CVD外延(包括MOCVD)是提高均匀性、层数精确控制的机制，特别是对4英寸以上石墨烯、石墨烯项目的个人想法，石墨烯的其他应用探索传感器实现晶体管发光器件太赫兹光电池是一种新型材料，因此随着研究的深入，需要关注新的研究方向和应用前景。，对石墨烯项目的个人思考开始了应用平台基础研究由微电子主导的两个项目应用，自然科学基金的主要特别和如何申请基于石墨烯的HEMT的海外