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文档简介

宋晨之20150202,EBL基本结构与工作原理,EBL=ElectronBeamLithography=电子束光刻,一、电子束曝光系统结构,column,电子源的分类,直热式W，2700K热发射电子源旁热式LaB6，1800K电子源热场发射ZrO/W，1800K场发射电子源冷场发射,四种电子源对比,电子源三个关键参数：有效源尺寸，亮度，电子能量分布热发射源能量分布大，聚焦斑束大，产生严重相差。冷场致发射稳定性差，对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。,旁热式&热场致电子源结构示意图,阳,地,超高电场,阴,阴,阳,EBL中电子源结构示意图,几个牌子的EBL性能参数,二次电子探测器,Detector,Illustrationswithdifferentsignalsources,ImagingbymeansofSE2detector:5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection),InfluenceofAccelerationVoltage,InfluenceofBeamCurrent,InfluenceofWorkingDistance,二、坐标系的对准,建立坐标系,写场对准,三、曝光,扫描模式,Exposureparameter,Areadose,Linedose,Dotdoes,Areamode,Linemode,Circlemode,ExposurestrategiesUsedbyRaith,四、临近效应,VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG),高能电子打断PMMA内高分子链示意图,前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系,MonteCarloSimulations,Energydeposition,Proximityfunction,trajectories,energydeposition,energydistribution,doubleGaussian,Proximityfunction,proximityfunctionhasthesameshapeasenergydistributionwithrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetweenenergyandPE!(itsjustamo
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