芯片工艺流程

.,芯片生产工艺流程（课件）,.,单晶拉制（1）,.,单晶拉制（2）,.,单晶拉制（3）,.,单晶拉制（4）,.,单晶拉制（5）,.,环境和着装,.,单项工艺-扩散(1),卧式4炉管扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,.,单项工艺-扩散(2),立式扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,.,单项工艺-扩散(3),扩散工序作业现场,.,单项工艺-光刻(1),先进光刻曝光设备,.,单项工艺-光刻(2),现场用光刻曝光设备,.,单项工艺-光刻(3),检查用显微镜,.,单项工艺-光刻(4),清洗,淀积/生长隔离层,匀胶,（SiO2Si3N4金属）,-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶,.,单项工艺-光刻(5),前烘,对版,匀胶,-对每个圆片必须按要求对版,-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。,-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发,.,单项工艺-光刻(6),显影/漂洗,坚膜,腐蚀,-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。,-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。,去胶,-干法腐蚀/湿法腐蚀,.,单项工艺-光刻(7),光刻工艺过程,.,单项工艺-CVD（1）,.,单项工艺-CVD（2）,初级离子气体被吸收到硅片表面,.,单项工艺-CVD（3）,初级离子气体在硅片表面分解,.,单项工艺-CVD（4）,玻璃的解吸,.,单项工艺-CVD（5）,.,单相工艺-离子注入（1）,.,单相工艺-离子注入（2）,.,单相工艺-离子注入（3）,.,单相工艺-蒸发（1）,蒸发原理示意图,.,单相工艺-蒸发（2）,溅射原理示意图,.,单相工艺-蒸发（3）,.,单相工艺-清洗,.,基础认知,.,衬底材料,扩散层,外延层,单晶片,扩散片,外延片,.,一次氧化,sio,2,外延层,.,基区光刻,sio,2,外延层,.,干氧氧化,sio,外延层,2,.,离子注入,sio,外延层,2,杂质注入,.,基区扩散,sio,外延层,2,基区,.,发射区光刻,sio,外延层,2,基区,.,发射区预淀积,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,发射区扩散（*）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,发射区低温氧化（*）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,氢气处理,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,N+光刻（适用于P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,N+淀积扩散（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,N+低温氧化（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,氢气处理（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,3B光刻,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,.,铝蒸发,AL,外延层,基区,发射区,集电区,.,四次光刻,AL,外延层,基区,发射区,集电区,.,氮氢合金,AL,外延层,基区,发射区,集电区,.,AL上CVD,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,.,氮气烘焙（适用N型片）,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,.,五次光刻,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,.,中测抽测,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,.,减薄、抛光,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,减薄和抛光部分,.,蒸金/银,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,.,背金合金,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,.,芯片测试,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,.,N型片制造（一般）工艺流程,N型片投片和编批,一次氧化,基区光刻,干氧氧化,硼离子注入,基区扩散,发射区光刻,发射区磷预淀积,发射区扩散,发射区低温氧化,3次光刻,铝蒸发,氮氢合金,铝上CVD,五次光刻,氮气烘焙,中测抽测,背面合金,芯片测试,减薄/抛光,四次光刻,氢气处理,蒸金,.,P型片制造（一般）工艺流程,P型投片编批,一次氧化,基区光刻,发射区硼预淀积,磷离子注入,基区扩散,发射区光刻,发射区低温