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精选文库电气专业基础与实务(北京市中级职称考试) 复习题和参考答案工程师复习题1 (2010-05-18 21:25:45) 转载 一、判断题 ?电磁 1(直流电电压的幅值是时间的函数。() N 此题有争议 2(随着环境温度升高,电阻的阻值下降。() N 温度升高电阻率增加,电阻增加 3(电阻属于耗能元件。() Y 4(电感和电容都是储能元器件。() Y 5(电容器允许直流电流通过,不允许交流电流通过。() N 6(电容上的交流电流落后于电压90?。() N 7(交流电的电压幅值是时间的函数。() Y 8(阻抗是个复数,它的实部表示电阻,虚部表示电抗。() Y 9(电感储存的磁场能与电感量的大小有关。() Y 10(电感和电容是组成LC谐振电路的重要元件。() Y 11(通过电感的交流电流超前于电压90?。() N 12(振荡电路必须加正反馈回路。() Y 13(品质因数Q值越高,则表示储能元器件的耗能越小。() Y 电感元件有品质因数 品质因数(Q因数)quality factor 电学和磁学的量。表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。电抗元件的Q值等于它的电抗同等效串联电阻的比值。 对于无辐射系统,如Z=R+jX,则Q =|X|/R。SI单 位:1(一)。 Q=无功功率/有功功率 谐振回路的品质因数为谐振回路的特性阻抗与回路电阻之比。 14(磁路中的空气间隙能提高磁性材料的抗磁饱和能力。() N 15(软磁性材料的剩磁很强。() N ?模拟电子 1(半导体二极管的PN结电压与温度无关。() N有关 2(常用的半导体二极管主要分为锗二极管和硅二极管。() Y 3(半导体三极管主要有锗半导体材料的三极管和硅半导体的三极管两种。() Y 有争议,按材料分为硅管和锗管 4(双极型三极管为电压控制器件,而场效应晶体管(FET)为电流控制器件。() N 说反了,三极管电流控制,场效应管电压控制 5(场效应晶体管(FET)的输入阻抗较普通双极型三极管的输入阻抗要高很多。() Y 6(晶体振荡器的Q值很高,其振荡频率稳定度很高。() Y 7(用作线性放大的运算放大器应闭环工作。() Y 8(运算放大器的闭环放大倍数与闭环电路外围元件的参数无关,与运算放大器的开环放大倍数有关。() N ?数字电子 1(CRC校验(循环冗余差错校验)是检验数据在传输过程中有无数据位出错的常用方法。() Y 2(奇偶校验的纠错检错能力有限。() Y 3(触发器是脉冲数字电路的基本电路。() N 是门电路 4(常用的触发器有基本RS触发器,同步RS触发器,JK触发器,D触发器和T触发器等。() Y 5(利用触发器可以组成组合逻辑电路和时序逻辑电路。() Y 6(D触发器使其输出逻辑电平随输入逻辑电平的变化而变化。() Y 7(表示触发器逻辑功能的主要方法有触发器的特性表、触发器的电路原理图、触发器的逻辑状态转换图、触发器的输出波形图、触发器的逻辑方程式等。() Y 8(利用基本RS触发器,同步RS触发器,JK触发器,D触发器和T触发器等可以使组成各种功能的逻辑电路。() Y 9(取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。() Y 10(取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关,取样信号频率越高则取样生成的数据量越小。在有噪声的环境下,取样信号的频率还应更低。() X 11(A/D变换的精度和A/D变换的位数有关。() Y ?电力应用 1(变压器具有变电压、变电流和变阻抗的作用。() Y 2(变压器和光电耦合器具有信号隔离功能。() Y 3(电动机常用的调速方法有(1)变频法,(2)变压法,(3)变频变压法(VVVF)。() Y 4(电动机是一种电能-机械能的转换装置,电动机不可以调速。() N 5(利用继电器可以构成自动控制功能,即继电器控制逻辑电路,而PLC控制逻辑电路比继电器控制逻辑电路的控制功能要更强和使用更方便,在自动控制技术中得到了广泛的应用。() Y 6(交流电桥即可以测直流电阻,也可以测电感器和电容器的参数,故称为万用电桥。() Y 7(霍尔传感器可以把电信号变成磁信号输出。() N 8(电路的合理接地对提高电路的工作性能,降低干扰具有很重要的作用。() Y 9(电路的接地可有可无。() N 二、单选题 1(线性电子元器件满足线性叠加定律。 A A(电阻器是线性电子元器件 B(电感器不是线性电子元器件 C(半导体二极管是线性电子元器件 D(半导体三极管是线性电子元器件 2(电阻器是一种线性电子元器件,电阻器的电阻满足线性叠加定律。 A(电阻器并联后总电阻值变小,电阻器并联后总功率值加大。 Y B(电阻器并联后会电阻器的总电阻值和总功率值变小。 N C(电阻器并联后的总电阻值和总功率值与每个电阻器的电阻值和功率值无关。 N D(电阻值越并联越大,但电阻器并联会使电阻器的总功率值变小。 N 3(电感器的并联会使电感器的总电感量减小。 A(电感器并联会使电感器的总电感量变大。 N B(电感器越并联电感量越大,同时允许通过的总电流越大。N C(电感器越并联电感量越小,同时允许通过的总电流越大。Y D(电感器并联电感量后会总电感量不变。N 4(电容器并联会使总电容量变大。 A(电容器并联使用会使电容器的总耐电压值加大 N B(电容器并联使用会使电容器的总电容量加大,但是电容器的总耐电压值会减小 N C(电容器并联会位电容器的总电容量加大,但是电容器的总耐电压值取决于并联电容器的耐电压值中最小的那只电容器的耐电压值。 Y D(电容器并联会使电容器的总电容量加大,而且电容器的总耐电压值也会加大 N 5(电容器串联会使总电容量变小。 B A(电容器串联使电容器的总电容量加大 N B(电容器串联使电容器的总耐电压值加大 Y C(电容器串联使电容器的总电容量加大,并且电容器的总耐电压值也加大 D(电容器串联的总耐压值取决于串联电容器耐电压值中最小的那只电容器的耐压值 6(磁性材料的类型、磁性材料的形状和磁性材料磁路的长度影响磁性材料磁路磁阻的大小。 A(磁性材料磁路的磁阻与磁性材料的类型、磁路长度无关 N B(磁性材料磁路的磁阻与磁性材料无关,与磁路长度有关 N C(磁性材料磁路的磁阻与磁路长度无关,但与磁性材料有关 D(磁性材料磁路的磁阻与磁性材料的类型、磁路长度和磁路的形状有关 Y 7(软磁性材料的磁特性与其磁滞曲线的矩形系数有关。 A A(剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬 Y B(剩磁越弱的磁性树料的磁特性越硬 N C(磁性材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关,只与磁性材料的磁特性有关 N D(硬磁性材料适合于用作变压器的铁心 N 8(硬磁性材料的磁特性与其磁滞曲线的矩形系数有关。 D A(磁性材料的矩形系数越大,则磁性材料的磁特性越软 N B(磁性材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关,只与磁性材料的磁特性有关 N C(剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬 N D(剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬 Y 9(半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生正向电压降。 D A(硅半导体材料二极管的正向电压降为0.3V N B(硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.7V N C(硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.3V N D(锗半导体材料二极管的正向电压降为0.3V Y 10(双极型晶体管(BJT)的放大区用于信号放大作用。 A A(放大工作区、截止工作区和饱和工作区是双极型晶体管的三个工作区 Y B(双极型晶体管的正常工作区是截止区和饱和区 N C(双极型晶体管的饱和区仍有信号放大作用 N D(双极型晶体管的放大区主要用于开关作用,而饱和区和截止区主要用做信号放大作用 N 11(场效应晶体管(FET)的放大工作区、截止工作区和饱和工作区是场效应晶体管的三个工作区。C A(在场效应晶体管的饱和区仍有较小的放大作用 N B(场效应晶体管的正常工作区是截止区和饱和区 ? C(场效应晶体管的放大区用于信号放大作用 Y D(场效应晶体管的放大区主要用于开关作用,而饱和区和截止区主要用做信号放大作用 12(变压器具有变电压、变电流和可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换功能。 A(变压器可以对输入的直流电功率实现功率变换 N B(变压器既可以对输入的交流电实现变电压,同时也可以对输入的直流电压进行变电压 N C(变压器可以对输入的直流电进行变电压,但是不能对输入的交流电进行变电压 N D(利用变压器可以对输入的交流电流实现电流比变换 Y 13(交流电动机是用交流电驱动的电动机,可以调速。 A(直流电动机不可以调速,而交流电动机可以调速 N B(直流、交流电动机都可以调速,并且有多种调速方法 Y C(交流电动机调速是利用改变供电电压的方法,使用不方便 N D(交流电动机不可以调速 N 14(直流电动机是用直流电驱动的电动机,可以调速。 A(直流、交流电动机都可以调速,并且有多种调速方法 Y B(直流电动机可以调速,而交流电动机不可以调速 N C(交流电动机调速是利用变频的方法,使用不方便 N D(直流电机可以利用改变它的直流供电电压的方法调速,实现较为方便 N 15(霍尔元件是一种将被变化的磁信号转变为电信号输出的信号检测器件。 A(霍尔元件可以将温度信号转换为电信号输出,得到了广泛的使用 N B(霍尔元件是一种特殊传感器,主要用于将位移信号转变为电信号输出 N C(霍尔元件是一种用于电磁检测的半导体传感器,可以用来测量位移、加速度等参量,具有使用方便,测量精度高的特点 Y D(霍尔元件是一种磁信号传感检测器件,它有5个信号端子,可以用来测量有关磁场变化的量,得到了广泛的使用 N 16(红外传感器是一种信号检测装置。 A(红外传感器可以将温度信号转换为电信号输出,得到了广泛应用 Y B(红外传感器主要用于将位移信号转变为电信号输出 N C(红外传感器可以用来测量位移、加速度等参量 N D(霍尔元件是一种半导体红外传感器 N 三、多选题 1(电阻器可以串联、并联和混联使用。 A(电阻器串联总电阻值加大,所以总耐电压值就加大 Y B(每只电阻器本身的耐电压值与其它电阻器无关 Y C(电阻器并联总电阻值加大 N D(利用电阻器和电容器可以组成RC滤波电路 Y 2(电阻在电路中消耗的是有功功率。 A(电感在电路中消耗的是无功功率 Y B(电容在电路中消耗的是有功功率 N C(电阻在电路中可以把电能转换为热能消耗掉 Y D(电阻器串联后总电阻值加大,并且总耐电压值加大 Y 3(电容器有隔直流电流和通过交流电流的能力。 A(电感器的储存的电磁能量与电感量成反比 N B(利用电容器和电感器可以组成LC振荡电路 Y C(电容器的储存电荷的能力与电容量成反比 N D(电感对通过它的交流电有一种叫感抗的阻碍能力 Y 4(阻抗由电阻和电抗两部份组成。 A(电阻是阻抗的实部,而电抗是阻抗的虚部 Y B(组成一个电网络的电感器元件的电感量越大,则这个电网络的阻抗越大 Y C(组成一个电网络的电容器元件的电容量越大,则这个电网络的阻抗越大 Y D(组成一个电网络的电阻器元件的电阻值越小,则这个电网络的阻抗越大 N 有争议 5(在场效应晶体管中只有一种载流子参与工作,是利用沟道导电的工作原理,而在双极型半导体三极管中有N型和P型两种载流子参与工作,是利用PN结的工作原理。 AD A(场效应晶体管是单载流子导电的器件 Y B(半导体三极管和场效应晶体管都利用PN结的工作原理 N C(场效应晶体管也是N型、P型载流子参与导电的器件 N D(半导体三极管是一种两种载流子参与工作的器件 Y 6(施密特电路是一种脉冲整形电路。 A(脉冲整形电路是用于将输入信号的波形加以整形,使输出信号波形更加规范的电路 Y B(单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形 Y C(施密特电路可以用于脉冲整形,而单稳态脉冲电路则不可以用于脉冲整形 N D(单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形,而施密特电路不可以用于脉冲整形 N 7(变压器的变压比(匝数比)n决定变压器的阻抗变换比。 A(变压器的变压比n越大则变压器两侧的阻抗值差别越大 Y B(变压器有改变输入信号工作频率的作用 N C(改变变压器的匝数比,可以改变变压器两侧的阻抗比 Y D(利用变压器还可以实现功率变换的作用 N 8(交流电桥的测量精度与组成交流电桥臂的元件精度有关,与交流电桥的交流供电电压的幅度无关。 A(交流电桥的交流供电电压幅度越高,则测量精度越高 N B(交流电桥电桥臂元件的精度越高,则测量精度越高 Y C(提高交流电桥检流计的精度有助于提高电桥的测量精度 Y D(交流电桥检流计的精度对交流电桥的测量精度影响不大 N 9(照明电光源的发光效率是表示照明电光源发出的光功率与输入电功率的一个比值,照明电光源发光效率的最大值为l。 A(照明电光源的发光效率越高表示该照明电光源的电能利用率越高 Y B(照明电光源的发光效率与照明电光源的种类有关,是表示照明电光源质量的最重要技术指标之一 Y C(白炽灯照明电光源的发光效率是目前所有照明电光源中最高的 N D(照明电光源的色温这个技术指标是照明电光源的很重要技术指标 Y 10(建筑物接地主要是为了保证建筑物的安全,并保证建筑物内有关电器和建筑物的安全使用。 A(建筑物接地的主要目地之一是用于防雷 Y B(建筑物接地实际上是一种建筑物的装饰 N C(建筑物接地可以为建筑物提供一个统一的地电位 Y D(建筑物接地可以确保建筑物内有关电器和建筑物的安全使用 Y 11(信号传输总线实际上是一条信号传输的公共通道。 A(电源线是一种总线 N B(电话线是一种总线 N C(RS一485总线的电性能优于RS一232总线的电性能 Y D(USB、HDMI和CAN是三种总线标准 Y 12(在数字音频信号的记录过程中,常采用数据压缩的方法,MP3是常用的一数字音频信号压缩方法。 A(MP3也是一种数字音频信号的压缩方法 Y B(数字音频信号的压缩方法对节省存储空间影响不大 N C(模拟音频信号记录和数字音频信号记录的重放效果差不多 Y D(WMA也是一种数字音频信号的压缩方法 Y 13(在磁性录音过程中,需在录音磁头加偏磁场,利用偏磁可以解决以下的问题。 A,D A(偏磁有交流偏磁和直流偏磁两大类,交流偏磁的偏磁效果较直流偏磁要好,所以得到了广泛的应用,偏磁可以减小录音信号的失真Y B(偏磁对加大录音输出信号的幅度无影响 N C(偏磁无助于录音输出信号的稳定性 N D(录音磁头加偏磁的主要目的就是为了克服录音磁信号的非线性失真 Y 四、简答题 1(什么叫阻抗匹配,阻抗匹配的意义是什么, 阻抗匹配是选择适当的输入阻抗和输出阻抗,以获取最大的增益. 对于电压放大的输入级和中间放大级,为获取最大的信号电压,输入阻抗应尽量高. 为获取最大带负载能力,输出阻抗应尽量低. 对于功率放大,为获取最大的输入功率,输入阻抗应尽量与前级输出阻抗接近,输出阻抗应尽量与负载阻抗接近. 2(什么叫负反馈,负反馈的作用是什么, 负反馈( negative feedback)是反馈的一种。是指系统的输出会影响系统的输入,在输出变动时,所造成的影响恰和原来变动的趋势相反。 负反馈在放大电路中的作用: 直流:稳定静态工作点 交流:稳定输出,减小非线性失真,扩宽通频带 3(正反馈的作用是什么? 正反馈(positive feedback)是反馈的一种。是指一系统的输出影响到输入,造成输出变动持续加大的情形,在机械、电机、电子、化学、经济或是其他系统都会有类似的情形。 正反馈会造成系统振荡,因此大多数的系统会加入阻尼或是负反馈,避免系统因振荡造成不稳定甚至损坏。 化学或核反应的正反馈会导致爆炸 放大电路中正反馈的作用: 电压-电流转换电路 自举电路 在阻容耦合放大电路中,常在引入负反馈的同时,引入适当的正反馈,以提高输入电阻. 3(为什么输入级的输入阻抗要高,提高输入阻抗有哪些办法, 提高输入阻抗的理由: 减小信号源或前级内阻上的电压损失,以获得较高的输入电压.减小输入电流,降低对信号源或前级的要求. 作为前级的负载电阻,不太多降低前级的放大倍数. 提高输入阻抗的办法: 1)采用高输入阻抗的场效应管作为输入级 2)采用深度串联负反馈 3)采用差动放大电路作为输入级 4)采用射极输出器作为输入级 其它: 放大电路与信号源相连就成为信号源的负载, 输入阻抗越大,表明放大电路从信号源索取的电流越小.放大电路所得到的输入电压Ui越接近信号源电压Us 4(稳定放大电路的工作有哪些措施,原理是什么, 1)采用交流负反馈电路 一是提高放大电路的稳定性 二是通过输入信号与反馈信号的叠加,减小非线性失真 三是延缓在低频区和高频区放大倍数下降的速度,扩展通频带. 2)合理静态工作点,并采用直流负反馈,如采用共基极分压偏置放大电路,稳定静态工作点. 3)采用差动电路作为输入级,克服零点漂移. 4)减小晶体管极间分布电容,扩展通频带,以减小频率失真 5)提高输入阻抗和减小输出阻抗,以减小信号源波动和负载波动的影响. 6)采用高质量稳压电源,以减小电源波动的影响. 5(运算放大器电路的放大倍数与什么因素有关, 运放开环放大倍数主要取决于电路中晶体管的放大倍数,理想运放的放大倍数是无穷大. 闭环放大倍数决定于外围元件的参数,与开环放大倍数无关. 6(理想运算放大器有什么特点, 开环放大倍数无限大 输入阻抗无限大 输出阻抗等于0 K共模抑制比无穷大 CMRR推论 虚断: 运放同向输入端和反向输入端的输入电流都=0 虚短: 运放同向输入端和反向输入端电压相同 7(数字电路和模拟电路的主要特点是什么, 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能. 模拟电路处理连续的模拟信号 电路中的元件(器件)动作方式属于线性变化的电路。通常著重的是放大倍率, 讯杂比, 工作频率等问题。但模拟电路是数字电路的基础,数字电路的器件都是模拟电路组成的. 7(在一个模拟信号转化成数字信号的过程中生成的数字信号信息量与什么因素有关, AD转换时采样频率,采样的分辨率. 9(信号”的信息量与什么有关,如何计算,数字信号信息量的主要使用单位是什么, 相关因素: ?消息的概率; ?信源特征; ?信息的价值; ?采样频率,频率越高,信息量越大; ?存储空间,空间小,可容纳的信息量也小; ?量化精度,精度越高,要求的信息量越大; ?压缩度,压缩度越高,冗余量减小,信息量增大; ?阻抗匹配,匹配好利于传输,信息量增大; ?接口,接口质量高、数量大,信息量也大。 如何计算 离散信号源的平均信息量(香农信息量公式)为 连续信号源的平均信息量为 若干个互相独立事件构成的消息, 所含信息量等于各独立事件信息量之和,也就是说,信息具有相加性. 信息量的单位为比特(bit),是目前广泛使用的单位 10(同轴电缆的阻抗主要和哪些因素有关, D绝缘外径; d导体外径; d编织(缠绕)导体直径; wK导体有效直径系数 111(接地在电路中的作用是什么, (1)接地使整个电路系统中的所有单元电路都有一个公共的参考零电位,保证电路系统能稳定地工作。 (2)防止外界电磁场的干扰。机壳接地可以使得由于静电感应而积累在机壳上的大量电荷通过大地泄放,否则这些电荷形成的高压可能引起设备内部的火花放电而造成干扰。另外,对于电路的屏蔽体,若选择合适的接地,也可获得良好的屏蔽效果。 (3)保证安全工作。当发生直接雷电的电磁感应时,可避免电子设备的毁坏;当工频交流电源的输入电压因绝缘不良或其它原因直接与机壳相通时,可避免操作人员的触电事故发生。此外,很多医疗设备都与病人的人体直接相连,当机壳带有110V或220V电压时,将发生致命危险。 五、案例分析题 1(在下图所示的电路中,试计算I、I、I123 E1单独作用,E2视为短路 R2和R3并联= R2R3/(R2+R3) ERR1(23),ER13ER12E1= I21= I31= I11,RR23RRRRRR121323,RRRRRR121323,RRRRRR121323,R1,RR23,E2单独作用E1短路 R1和R3并联=R1R3/(R1+R3) ERR2(13),ER23ER21E2= I12= I32= I22,RR13RRRRRR122313,RRRRRR122313,RRRRRR122313,R2,RR13,ERRER1(23)23,ERERR132(13),ERER1221,I1=I11+I12= I2=I21+I22= I3=I31+I32= RRRRRR121323,RRRRRR121323,RRRRRR121323,2(求图示电路中的电流I。 0电压源单独作用,电流源视为断路 并联电阻=30*21/51=12.35欧 电压源电流=50/(20+12.35)=1.546A 输出电流=1.546*30/51=0.909A 电流源单独作用,电压源视为短路 20*30/50=12欧 输出电流=1*12/(12+21)=0.3636A I=1.27A 03(计算阻抗Z=5+j5(W)的模和阻抗角。 模=7.07 阻抗角45度 4(试计算图示的RLC电路的谐振频率f和谐振时通过电阻R的电流I ? 0解答: f=1/2pi 0.00314=50.7HZ 谐振时电流I=1A 5(试分析下面电路的工作原理,并画出输出波形图。 解答: 在正弦交流电的前半周期,V1,V3导通,电流方向向下 在正弦交流电的后半周期,V4,V2导通,电流方向向下 6(试分析图示半导体共发射极放大电路的工作原理、分析每个电阻器和电容器元件的作用,并计算电路的工作点V、I、I和I。设电路的COCOEOBOV=0.7V。 BO静态工作点: 基极电流 I=(V-U)/R=(12-0.
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