标准解读

GB 13539.4-1992 是一项中国国家标准，专注于低压熔断器中专门用于半导体器件保护的熔断体的补充要求。该标准在原有通用低压熔断器标准基础上，针对半导体器件（如晶体管、二极管、集成电路等）的特性，制定了更为具体和严格的规定，以确保这些精密电子组件得到恰当的过电流保护，避免因电流过大造成损坏。

标准内容概览包括：

  1. 适用范围：明确了标准适用于安装在电路中，旨在保护半导体器件免受过电流危害的低压熔断器。这类熔断器需能在过电流情况下快速响应，以减少对半导体器件的潜在损害。

  2. 术语与定义：界定了与半导体保护熔断体相关的专业术语，确保使用者对标准中的概念有统一理解。

  3. 技术要求：

    • 电气性能：规定了熔断体的额定电压、分断能力、熔断特性等电气参数，确保其能适应半导体器件的工作环境和保护需求。
    • 机械性能：包括熔断体的结构强度、耐热性、安装尺寸及兼容性要求，保证安全稳定地集成到电路系统中。
    • 环境条件：考虑到不同使用环境下（如温度、湿度）熔断体应保持的功能稳定性。

  4. 试验方法：详细说明了对熔断体进行验证和测试的具体步骤和条件，如电气试验、机械强度试验、环境适应性试验等，以验证其是否满足规定的性能指标。

  5. 检验规则：规定了产品出厂前的检验项目、抽样方案及合格判定准则，确保每批产品的质量控制。

  6. 标志、包装、运输和储存：要求熔断体的标识清晰，包装适应长途运输和储存需要，防止因外因导致的损坏。

  7. 附加信息：可能包含参考标准、实施日期和标准的替代或废止情况说明等。

此标准的制定和实施，对于提升半导体器件应用的安全性和可靠性具有重要意义，为制造商、设计工程师以及使用这些保护器件的行业提供了统一的技术遵循依据。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 13539.4-2005
  • 1992-07-01 颁布
  • 1993-03-01 实施
©正版授权
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第1页
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第2页
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第3页
免费预览已结束，剩余17页可下载查看

下载本文档

GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求-免费下载试读页

文档简介

UDC621.316.923.027.2K31中华人民共和国国家标准GB13539.4-92低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01发布1993-03-01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求GB13539.4-92中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月电子版制作书号：1550661-26327版权专有侵权必究举报电话：010)68533533中华人民共和国国家标准低压熔断器GB13539.4-92半导体器件保护用熔断体的补充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本标准参照采用国际标准IEC269-4(1986)低压熔断器华导体器件保护用熔断体的补充要术本标准应与GB13539.1一92低压熔断器本要求一起使用。除非本标准另有说明，半导体器件保护用熔断体，还应符合GB13539.1的规定。1主题内客与适用范围本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、7特性、电弧电压特性、试验和标志。本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。注：在多数情况下，以组合设备的一部分作为塔断体的底座。由于设备种类繁多，难以作出一般的规定。组合设备是否通合用作熔断体的底座，应由用户与制造厂协商。但是，当采用独立的婚断器底座或支持件时,则它们应符合GB13539.1的有关规定。这种熔断体通常称为“半导体熔断体”2引用标准GB321优先数和优先数系GB13539.11低压熔断器基本要求3术语、符号、代号3.1术语3.1.1半导体器件基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的-j一种器件、3.1.2半导体熔断体semiconductorfuse-link在规定条件下，能够分断7.2范围内的任何电流值的-一种限流熔断体。注：GB13539.1中术语;“(熔断体的)使用类别”本标准不适用.3.
人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论