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文档简介
西安科技大学高新学院微电子专业实验报告专业: 微电子班级: 1001姓名: 黄 升学号:1001050120指导老师:王进军设计软件:tanner软件实验目的和要求:1、掌握L-edit软件的基本设定和集成电路工艺和版图的图层关系。2、根据性能和指标要求,明确设计要求和规则。3、电路版图实现过程中电源线的走法。4、掌握L-edit和S-edit仿真环境,完成异或门的仿真。5、掌握LVS环境变量。异或门版图的设计方法:1、确定工艺规则。2、绘制异或门版图。3、加入工作电源进行分析。4、与LVS比较仿真结果。实验内容:完成COMS异或门版图设计,COMS异或门原理如下,要求在S-edit中画出每一电路元件,并给出输入输出端口及电源线和地线。(一)异或逻辑关系式及真值表:F=AB=AB+ ABABF000011101110(二)原理图:(三)版图:(四)仿真分析:Main circuit:Module0.include“E:ProgramFilestannerEDAT-Spice10.1modelsm12_125.mdM1 N3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM2 F B N3 Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM3 F N3 B Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM4 N3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM5 F B A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM6 F A B Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uv7 Vdd Gnd 5.0v8 B Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 200n)v9 A Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 400n).tran In 800n.print tran v(A) v(B) v(F)End of main circuit:Module0上升沿 下降沿 均10nv8 B Gnd pulse(0.05.00 10In 10In 100n 200n)v9 A Gnd pulse(0.05.00 10In 10In 100n 400n)*NODE NAMEALASES*1=Gnd(10.5,-12)*2=Vdd(12,37)*4=B(15,12)*5=A(5,13)*6=F(72,13).include“E:ProgramFilestannerEDAT-Spice10.1modelsm12_125.mdM1 F B A Vdd PMOS L=2u W=22u $(68.5 25 70.5 30)M2 3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u $(44.5 25 46.5 30)M3 F A M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $(20.5 25 22.5 30)M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $(68.5 -3.5 70.5 1.5)M5 3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u $(44.5 -3.5 46.5 1.5)M6 F 3 B Gnd NMOS L=2u W=22u $(21 -3.5 23 1.5)v5 Vdd Gnd 5.0v6 B Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 400n)v7 A Gnd pulse(0.05.00 In In 100n 200n).tran In 800n.print tran v(A) v(B) v(F)用LVS对比异或门的原理图和版图是否一致原理图.spMain circuit:Module0M1 N3 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM2 F B N3 Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM3 F N3 B Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM4 N3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM5 F B A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM6 F A B Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u*End of main circuit:Module0版图.spc*NODE NAMEALASES*1=Gnd(10.5,-12)*2=Vdd(12,37)*4=B(15,12)*5=A(5,13)*6=F(72,13)M1 F B A Vdd PMOS L=2u W=22u $(68.5 25 70.5 30)M2 3 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u $(44.5 25 46.5 30)M3 F A M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $(20.5 25 22.5 30)M4 F B Gnd NMOS L=2u W=22u $(68.5
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