物理气相沉积--CVD.pptx

Sputter技术，2013.6.28，Summary，1，1.sputter技术介绍，2， PVD-物理气相沉积技术(PhysicalVaporDeposition )、物理气相沉积技术(PhysicalVaporDeposition，PVD )在真空条件下采用物理方法，将材料气化为气体原子、分子或离子，通过气相过程在基体表面沉积具有特殊功能的薄膜定义、堆积基本过程，从原材料中释放粒子(通过蒸发、升华、溅射等过程)运送到基板上(粒子之间发生碰撞，发生电离、复合、反应、能量交换和运动方向变化)粒子在基板上凝结。 成核成长成膜。 分类，1.Sputter工艺介绍，3、Sputter-溅射、溅射膜是指在真空条件下利用等离子体与靶表面碰撞，通过碰撞能量交换对靶表面的原子获得足够的动能，远离表面最终堆积在基板上的技术。基本原理、4、溅射的发生过程、1.Sputter工艺的介绍、5、Sputter的特征、1.Sputter工艺的介绍、(1)对于任何被镀材料，只要能够制作靶，就能够实现溅射(2)溅射得到的薄膜与基板的密合性溅射得到的薄膜纯度高，致密性好，(4)溅射工艺的再现性好，能够控制膜厚的同时能够实现大面积镀膜的溅射，存在堆积速度低的缺点，基板的温度上升很激烈。 1.Sputter工艺介绍，6 .磁控溅射的基本原理，在溅射装置靶附近施加垂直于电场的磁场，电子受到向心力，即洛伦兹力，电子在洛伦兹力和电场力的作用下，在靶表面附近受到螺旋运动约束，延长等离子体中电子的运动路径增加电子与气体分子碰撞概率和电离过程的等离子体密度，提高沉积速度，7、离子密度沿磁力线分布，可在靶上形成蚀刻图案。 1、sputter工艺介绍、8、溅射成膜工艺、a .成核、b .晶粒生长、c .晶粒凝聚、d .狭缝填充、e .薄膜生长、2.Sputter成膜和主要参数、9、溅射成膜参数的影响、2.Sputter成膜和主要参数、10、溅射成膜参数2.Sputter成膜和主要参数，3.Sputter异常的介绍，11定义： Al薄膜(PureAl )成膜过程中在AnneAl后面出现的小突起穿透Hillock、Hillock、12、SEM表面、AFM表面、Al穿透保护层SEM图，Hillock突出绝缘层3.Sputter常见的异常介绍，13，Hillock原因分析-差示热分析，成膜条件： 0.3Pa，210W(DC )，100，差示热分析DSC主要用于确认Al膜表面的Hillock形成的温度范围，由上图可知，其温度上升到132.76时较强3.Sputter常见异常介绍，14，Hillock的原因分析-应力分析，成膜条件：0.4Pa，110W(DC )，从上图可知，在膜的弹性变形内，膜的应力从拉伸应力直线变化到压缩应力，当压缩应力达到膜的屈服点时(190) 薄膜产生Hillock的主要原因是释放薄膜应力的产生。 3 .由于sputter常见的异常介绍，15，靶的局部散热不均匀导致基板熔化，夹具，Splash，发生原因，Ar，3.Sputter常见的异常介绍，16，DomeType，wingType，AOI检查图，3.Sputter Nodule， ITO靶表面突起3.Sputter常见异常介绍、18、Nodule的形成和增殖、Arcing、3.Sputter常见异常介绍、4.Sputter工艺的应用、19、Sputter工艺在LTPS中的应用、20、Sputter工艺膜厚和均匀性的影响是蚀刻工艺的均匀性差，局部Tape角度大，后续膜层的复盖差，有断线和短路的风险，薄膜面电阻过度影响薄膜面电阻时，栅极线、延迟线等的电压降变高，影响TFT的工作，4.Sputter工艺影响Particle规定、21、Plasma的Sputter的Plasma在对膜层造成损伤的同时，残留多馀的电荷，Ioff也有可能上升。由于M1、M2后有高温修复，passivation后的Ioff值较小，ITO堆积后Ioff上升，ITO退火后略有下降。 说明了ITO前、ITO后、ITOsputter后、Ioff的上升显着，退火后稍微下降，sputter程序与Io