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文档简介
.,1,染料敏化太阳能电池的进展研究,.,2,目录,DSSC的主要技术指标,背景介绍,1,提高DSSC光电效率的研究,3,4,DSSC的组成及工作原理,2,.,3,.,资源短缺,环境污染,1.1背景介绍,.,4,1.2发展过程,单晶硅太阳能电池,.,5,2.1DSSC的组成,阳极:染料敏化半导体薄膜,阴极:镀铂的导电玻璃,电解质:I3-/I-,TiO2膜:520um,导电玻璃,.,6,叶绿体的结构,DSSC和植物的光合作用相比较,TiO2,染料分子,.,7,WangP.etal.JACS125(2003)1166,TiO2,Pt,e,S/S+,S*/S+,I,e,1,h,2,3,e,4,I3,e,e,e,2.2DSSC的工作原理,5,.,8,3、DSSC的评价技术指标,.,9,伏安曲线,太阳电池受载特性曲线,.,10,4、提高DSSC光电效率的研究,Pt的可替代材料,1、Pt对电极的制备过程需要高温等苛刻的条件。2、Pt本身价格昂贵,TiO2的改性,.,11,3.1纳米二氧化钛的改性,复合半导体TiO2/ZnO的制备流程,GuangchaoWang,ZhixiaCai,etal.,JournalofAlloysandCompounds583(2014)414418,.,12,复合半导体的扫描电镜图,SEM图(a)0%(b)1%(c)2%(d)3%(d)4%(e)5%,GuangchaoWang,ZhixiaCai,etal.,JournalofAlloysandCompounds583(2014)414418,.,13,伏安特性曲线,复合半导体的表征,波普图,.,14,3.2金属Pt的可替代材料,CoS,NiS,Ni0.85Se,.,15,3.2.1Pt的可替代材料CoSe2,JiaDong,JihuaiWu,etal.,ElectrochimicaActa,168(2015)6975,.,16,3.2.1CoSe2的表征,不同温度下制备的CoSe2XRD图,伏安特性曲线,JiaDong,JinbiaoJia,ShaoyunWu,etal.,ElectrochimicaActa168(2015)6975,.,17,3.2.1CoSe2的表征,CEs,CoSe2-140,CoSe2-160,CoSe2-180,Pt,RS(.cm2),8.7830.002,8.0340.002,15.1700.004,12.8600.003,0.1320.002,0.0970.002,0.9320.002,1.9230.002,Rct(.cm2),阻抗图,JiaDong,JinbiaoJia,ShaoyunWu,etal.,ElectrochimicaActa168(2015)6975,.,18,3.2.1CoSe2的表征,Epp,JiaDong,JinbiaoJia,ShaoyunWu,etal.,ElectrochimicaActa168(2015)6975,.,19,Jsc=17.44mA/cm2Voc=0.791Vff=0.698PCE=10.13%,3.2.2Pt的可替代材料Ni0.85Se,伏安特性曲线,MingGuo,PengWu,etal.,JournalofAlloysandCompounds,640(2015)2933,.,20,3.2.3Pt的可替代材料NiS、CoS,2、CoS、NiS有很高的表面积,是很有前景的材料。,1、金属硫化物一般都具有很高的导电性和电子催化活性。,CoS和NiS的电沉积原理图,JinghaoHuo,JihuaiWu,MinZheng,etal.,ElectrochimicaActa180(2015)574580,.,21,3.2.3Pt的可替代材料NiS、CoS,JinghaoHuo,JihuaiWu,MinZheng,etal.,ElectrochimicaActa180(2015)574580,.,22,3.2.3Pt的可替代材料NiS、CoS,CoS-x-yNiS-x-yx-沉积过程中加入的氨水的量/ml。y-扫描周期。,JinghaoHuo,JihuaiWu,MinZheng,etal.,ElectrochimicaActa180(2015)574580,Thankyou!,AndGodsaid,lettherebelight,andtherewaslight.AndGodsawth
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