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文档简介

MOS场效应晶体管及其SPICE模型,MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管的模型描述带来了困难。模型越复杂，模型参数越多，其模拟的精度越高。但高精度与模拟的效率相矛盾。依据不同需要，常将MOS模型分成不同级别。SPICE2中提供了几种MOS场效应管模型，并用变量LEVEL来指定所用的模型。LEVEL1MOS1模型Shichman-Hodges模型LEVEL2MOS2模型二维解析模型LEVEL3MOS3模型半经验短沟道模型LEVEL4MOS4模型BSIM（Berkeleyshort-channelIGFETmodel）模型,MOS1模型,MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流-电压的平方率特性，它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。适用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。,（1）线性区（非饱和区）,MOS1模型器件工作特性,当VGSVTH，VDSVTH，VDSVGSVTH，MOS管工作在饱和区。电流方程为：,（3）两个衬底PN结,两个衬底结中的电流可用类似二极管的公式来模拟。,当VBS0时,MOS1模型衬底PN结电流公式,当VBSVTH，0VDSVTH，VDSVDSAT）,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,强反型时的漏源电流,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,弱反型时的漏源电流,BSIM模型认为：总漏电流是强反型的漏电流与弱反型漏电
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