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1 . 9 0 . 9 50 . 9 5 2 . 9 0 . 4 1 . 3 2 . 4 1 . 0 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT- 23 Plastic- Encapsulate Transistors KTA1504 TRANSISTOR（ PNP ） FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W（Tamb=25） Collector current ICM : - 0.15 A Collector- base voltage V(BR)CBO : - 50 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: - 55 to +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25 unless otherwise specified） Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector- base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=- 100A， IE=0 - 50 V Collector- emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= - 1mA， IB=0 - 50 V Emitter- base breakdown voltage V(BR)EBO IE=- 100A， IC=0 - 5 V Collector cut- off current ICBO VCB=- 50 V , IE=0 - 0.1 A Emitter cut- off current IEBO VEB= - 5V , IC=0 - 0.1 A DC current gain hFE VCE=- 6V, IC=- 2mA 70 400 Collector- emitter saturation voltage VCE(sat) IC=- 100 mA, IB= - 10mA - 0.3 V Transition frequency fT VCE=- 10V, IC=- 1mA 80 MHz CLASSIFICATION OF hFE R a n k O Y G R R a n g e 7 0 - 1 4 0 1 2 0 - 2 4 0 2 0 0 - 4 0 0 DEVICE MARKING: KTA1504=AS Unit : mm SOT23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR SOT-23 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 Min 0.900 0.000 0.900 0.300 0.080 2.800 1.200 2.250 1.800 0.300 0 Max 1.100 0.100 1.000 0.500 0.150 3.000 1.400 2.550 2.000 0.500 8 Min 0.035 0.000 0.035 0.012 0.003 0.110 0.047 0.089 0.071 0.012 0 Max 0.043 0.004 0.039 0.020 0.006 0.118 0.055 0.100 0.079 0.020 8 Dimensions In MillimetersDimensions I
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