MOS管特性分析ppt课件

.,实验课1MOS管特性分析,本课程作业要求：1、提交手工计算、绘图(Visio)结果。必须对结果进行分析。2、提交仿真sp文件、仿真结果截图。对比1的结果，观察是否一致，若不一致说明原因。,3、提交的实验报告要求是word或pdf文件。,.,MODEL,无说明情况下,实验采用课本32页给出的MODEL,NMOSLEVEL=1VT0=0.7GAMMA=0.45PHI=0.9NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350LAMBDA=0.1TOX=9e-9PB=0.9CJ=0.56e-3CJSW=0.35e-11MJ=0.45MJSW=0.2CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8PMOSLEVEL=1VT0=-0.8GAMMA=0.4PHI=0.8NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100LAMBDA=0.2TOX=9e-9PB=0.9CJ=0.94e-3CJSW=0.32e-11MJ=0.5MJSW=0.3CGDO=0.3e-9JS=0.5e-8,.,用到的命令格式,.ICV(n)=3V*规定n节点的初始电压为3V。.Tran10us5msUIC*在规定的初始条件下进行瞬态分析。,.DCV(n)03.3V0.05V*直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V步进0.05V最大3.3V,.Tran10us5ms*执行5ms的瞬态分析，计算时间间隔10us，也即每10us给出一个仿真数值。*整个瞬态曲线由500个点组成。,.DCV(n)03.3V0.05VsweepV(m)03V0.5V*直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V步进0.05V最大3.3V*同时对M点电位扫描，得出7条曲线。,.MODELNMOSNMOS()*建立model，第一个NMOS为modelname；第二个NMOS为model类型；()内注明各参数的值,.,示例MOS管IV特性分析,*modelNMOS*.MODELNMOSNMOS(+LEVEL=1VT0=0.7GAMMA=0.45PHI=0.9+NSUB=9e+14LD=0.08e-6U0=350LAMBDA=0.1+TOX=9e-9PB=0.9CJ=0.56e-3CJSW=0.35e-11+MJ=0.45MJSW=0.2CGDO=0.4e-9JS=1.0e-8)*modelPMOS*.MODELPMOSPMOS(+LEVEL=1VT0=-0.8GAMMA=0.4PHI=0.8+NSUB=5e+14LD=0.09e-6U0=100LAMBDA=0.2+TOX=9e-9PB=0.9CJ=0.94e-3CJSW=0.32e-11+MJ=0.5MJSW=0.3CGDO=0.3e-9JS=0.5e-8)*,*netlist*M1DNGNSNBNNMOSW=1uL=0.5uM2DPGPSPBPPMOSW=1uL=0.5u,.,示例MOS管IV特性分析,*source*VDSNDNSN0VGSNGNSN0VSNSN00VBNBN00VSDPSPDP0VSGPSPGP0VSPSP03.3VBPBP03.3,*analysis*.DCVDSN03.30.05sweepVGSN030.5.DCVSDP3.300.05sweepVSGP300.5*output*.bei(M1)i(M2)LX7(M1)LX7(M2)*LX7()求器件跨导.end,.,1、执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为1.2V时，PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，手工计算出对于NMOS，当VDS=1V时漏电流、跨导的值；对于PMOSVSD=1V时漏电流、