Royer线路解说-01.1.31

w电路原理和变压器算法w变压器结构w设计注意事项影响w输出电压的因素w其他1.电路原理：(以CEUS0509中的线为例)Royer的电路体系结构，最初是west house的专利，通常称为电力变压器的电子变压器，利用Q1、Q2和变压器饱和原理，在第一侧产生Duty=50%的方波，使用变压器n1: N2=v1: v2的圆比关系，在第二侧产生感应电压，输出电压稍高.默认回路为：(a)。原理图(B)核心的B-H曲线(c)电压和磁通量密度应用于变压器N1，N2电感T1T0(a)磁通量为，加上绕组n环的电压v根据法拉第定律，可以表示如下：V=n * (d /dt).(2-12)(b)由下而上两边的反周期积分(积分是计算此反周期T0至T1的电压*时间的区域，称为E-T常数)，=b * AE(磁通量=磁通量密度*截面面积)的公式为：(1/n)*-v * dt=AE *b(b=-b).(2-13)积分的时间t是在0 t/2 (t0 t1)半周期内磁通量密度的变化，可以在-b b的2B范围内用公式(2-13)求得(v * t)/(2 * n)=2 * AE * b.(2-14)V=4 * n * AE * b/t.(2-15)t=2 * ton (duty 50%)和f=1/tV=2 * n * AE * b/ton.(2-15)V=4 * n * AE * b * f.(2-16)N=(v * ton)/(2 * AE * b).(2-17)如果向上磁通量密度的单位为高斯，Ae的单位为cm2，(2-16)型式可以重写：V=4 * n * AE * b * f * 10-8.(2-18)既然在Excel表格中输入了上述公式，您可以输入既有参数以取得所需的旋转数1.1 .Q1开始：输入5V，通过R1=N5，N6分别接收Q1，Q2基础(Base)。假设Q1的VBE较小，Q1首先打开，引导IB电流流入Q1基极。此时，Q1的集电极(Collector)等待5v，因为输入5v已通过N1。当Q1 Base具有IB1时，使用决定值关系，并使用ic1= ib1，因此电流产生于5V=N1=Q1=GND-P注意N1，N5的起点，因为极性。N1的电流增加时，N5的电流也增加，Q1快速进入饱和区域Q1保持ON的时间，确定变压器的N1转数。ton=(2 * bmax * AE * NP)/vinFig. (1.1.A)例如，以现有示例CFUS0509-C为例，以前的转数=主要(Np):次要(ns)=15: 33输入电压与Q1的波形比较： (低电压=大色调，高电压=小色调)(1)。Vin=4.7 V，TON=12.5 uS(2)。Vin=5.0 V，TON=11.7 uS(3)。Vin=5.3 V，TON=11.1 uS项目数值单位n .解释计算(VCE，忽略VF)BMAX2=4580高斯磁通密度Ton=(2 * bmax * AE * NP)/vinAe2=0.04282CM2核心剖面面积Ton=(2 * 4580 * 0.04282 * 15)/5 * 0.01妮可2=15圆初级转数TON=11.76 uSVin2=5螺栓输入电压注意事项：(1)在TON表示式中，* 0.01是单位转换时的比例系数(2)BMAX是材料表中核心为Steward的# 33T材料，Bs大约为4700(Steward catalog Page 8)。由于在波形中测量到ton=11.7us，因此可以通过Excel电子表格优化获得实际的BMAX=4580 Gauss，其中包含的Excel公式再次包含晶体管和二极管的压降。(3)通常使用LCR Meter的电感来区分u值，现在可以使用Royer线从频率的大小来反转BMAX。例如，核心供给配置中的每个配置绕过CFUS0509中的线圈数，测试色调表示核心正确，TON较小(频率较高)表示BMAX较小。打开Q1时，初始电流路径和辅助电流路径如下图所示。通过Q1的最大电流=与 IB1相关联的环路R1和N5确定IB1的大小，N5越多，IB1就越大。一看就知道，Q1很快进入饱和区。其他半导体的工作说明如下：Q2由于N6的极性关系，在Q2的VBE上添加了反向电压，使Q2看起来进入截面通过二次N3的极性，电流通过D1A，N3的感应电压为：(Q 1上的VCE，忽略D1A上的VF)VN 3=5v *(n3/n1)=5 *(23/11)=10.45v(实际考虑半导体压降时较低)C3的电压=vn3-vd1a=10.45v-1.5v=8.95v1.2 .关闭Q1:首先，如果电子变压器利用变压器的饱和产生方波振动，在这里你可以回顾一下歇斯底里症。Q1连续开启，如果变压器的E-T常数(V-uS)超过，变压器将进入饱和区域。饱和就是磁链速度不再随时间变化 b/B/t=0，以下情况发生：(a)变压器失去功能，表示N5、N6不再检测电压，表示VN5、vn60、ib10(b)主(N1)电感迅速减小，表示空心导线包，VN1电压=n1漆包线内部电阻* ic1(c)。可以在晶体管的特性曲线上看到。VCE 1-300；5v & ib1-300表示Q1进入截止区域1.3 .Q2开始：当Q1关闭时，磁场能量不会关闭，从而反转变压器的绕组电压极性，当N6的极性变为适合驱动Q2的基座时，Q2生成类似于Q1的电流路径。(a)。Q2电流路径：5v=N2=Q2=gnd-p(b) n6将导致Q2很快进入饱和区(c)。次要电流路径：N4=D1B=C3CFUS0509的Q1、Q2的测试波形如下：(1)。重载，ton=24.6 us，(2)。空载，ton=23.8 us(1)。Vin=5 V，Load=200 mA(2)。Vin=5 V，Load=0 A变压器结构：Royer体系结构中的直流/直流变压器与拉式变压器的绕组原理相同，泄漏感越小，电压耦合越好2.1 .n1 N2和n3 n4的平均重叠旁路-电压耦合为360，如果可以先缠绕，则泄漏感非常低2.2 .n1 N2和n3 n4各占180的一半。-电压耦合最差(短路电流较大)2.3 .N5，N6为180，平均重叠为n1 N2-驱动电压耦合良好2.4 .N5，N6密度绕组，约10 15叠加，n1 N2中间-驱动电压耦合差(估计短路电流可能较小)3.设计注意事项：3.1 .Q1，Q2的VCEO耐压大于VCE Peak、N5，N6检测到的VPEAK还是大于VEBO3.2输出二极管的逆耐压是否大于测量的逆耐压PEAK值3.3 .输出二极管的向下压力降是否大于设计值(二次电压-VF=输出电压)3.4 .输出二极管的正向电流规格值是否大于输出电流值4.影响输出电压的因素：下一个因素影响上一个圆-非关系中的输出电压。4.1输出二极管的正向电压4.2 .变压器的主要布线方法已经是旧机型，布线方法应该没有问题4.3 .晶体管的饱和电压，随着VEC的增大，输出电压会降低4.4 .核心的BMAX变化(您可以从冲击频率看出核心的差异，BMAX变小=频率变大)5.其他：5.1 .冲击频率越高，短路电流越小，第一次转数增加，建议14: 30转数增加，TON度增加=频率减少，短路电流增加5.2冲击频率